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            • InGaAs 材料
              2023年12月13日發(作者:寒食東風)-常識:近紅外波段 0.78-3μm,中紅外波段 3-6μm,中遠紅外波段 6-20μm,遠紅外波段 20-1000μm。粗略地認為有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三個大氣窗口 短波紅外是指 1~3μm 波段的紅外輻射. ,其廣泛存在于自然界中 1.探測材料的比較 InSb 和 InAs: 材料禁帶寬度較小,都是窄禁帶半導體,探測器性能穩定,
              時間:2023-12-13  熱度:6℃
            • 上海技物所在短波紅外InGaAs焦平面領域取得研究進展
              2023年12月13日發(作者:關于那件事)-上海技物所在短波紅外InGaAs焦平面領域取得研究進展短波紅外光電材料與器件具有高性能、高可靠性、低功耗、低成本等顯著優點,可廣泛應用于智慧城市、駕駛視覺增強、安防監控、光伏芯片檢測、光譜檢測以及航天航空等諸多領域,具有重大的科學價值和經濟效益。基于III-V族InP/InGaAs材料體系的短波紅外InGaAs探測器,具有高靈敏度、高均勻性、高穩定性等
              時間:2023-12-13  熱度:3℃
            • InGaAs短波紅外探測器的光電機理
              2023年12月13日發(作者:寫事作文300)-InGaAs短波紅外探測器的光電機理 邵海洋;邢懷中 【摘 要】利用ISE TCAD仿真軟件,建立了銦鎵砷(InGaAs)短波紅外探測器表面漏電的二維模型.在背面照射方式下,模擬研究了InGaAs短波紅外探測器的表面漏電對器件暗電流、總電流、量子效率和響應率的影響.研究結果表明,表面漏電會導致器件的暗電流和總電流增大,但響應率和量子效率會降低.由此
              時間:2023-12-13  熱度:14℃
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