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             首頁(yè) > TAG信息列表 > 遷移率
            • 重?fù)絀nP生長(zhǎng)的InGaAs外延層遷移率的測(cè)量
              2023年12月13日發(fā)(作者:初日照高林)-重?fù)絀nP生長(zhǎng)的InGaAs外延層遷移率的測(cè)量 付雪濤;劉筠;張旭;王香;管琪;裴會(huì)川;張永剛;李雪 【摘 要】通過(guò)襯底剝離技術(shù)對(duì)以重?fù)絅型磷化銦(N +-InP)襯底生長(zhǎng)的In0.53 Ga0.47 As外延層的遷移率測(cè)量方法進(jìn)行了研究。首先,采用環(huán)氧樹脂膠將In0.53 Ga0.47 As外延層粘貼在半絕緣藍(lán)寶石襯底上,以鹽酸溶液腐蝕掉InP襯底;
              時(shí)間:2023-12-13  熱度:5℃
            • 電荷遷移率
              電荷遷移率    電荷遷移率,是表示電場(chǎng)與電勢(shì)能的一種量。    人們一般只重視兩個(gè)效應(yīng),即電場(chǎng)力效應(yīng)和靜電場(chǎng)的環(huán)流效應(yīng)。電荷遷移率E=fV/qp=E- Vq。    1、遷移率:指物體在電場(chǎng)中從某點(diǎn)移到另一點(diǎn)所作的功,或物體從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)所作的功。    電場(chǎng)強(qiáng)度E,方向豎直向下,單位是安培。電荷遷移率f(E
              時(shí)間:2023-06-09  熱度:140℃
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