LED 的原理 LED 的核心部分是由n 型半導體與p 型半導體組成的晶片,利用注入式發光原理製作而成。
在n 型與p 型半導體之間,有一個p-n 結的過渡層,當注入的多數載流子和少數載流子複合時,多余的能量會以光的形式在某些半導體材料中釋放出來,進而將電能轉換成光能。
如果反向加電壓,那么難以注入少數載流子,因此也就不會發光。
LED 由週期表中的V 族元素與III族元素組成,是由化合物半導體材料組成,如:磷化鎵與砷化鎵是單色LED 常用的材料。
目前,氮化鎵是製造白光LED 的主要材料。
對于GaN 薄膜材料,目前還沒有體單晶GaN 可以同質外延,主要是依靠有機金屬氣象沉澱法,在相關的異型支撐襯底上來生成。
在沉底上依次鍍上n-A1GaN、p-A1GaN、n-GaN 等材料,然后使用一系列工藝過程,如: 封裝、劃片,來完成製造。
這種工藝目前發展成熟,但由于藍寶石是GaN 基LED 的主要襯底材料,所以能夠替代它的襯底材料目前還未發現。
大功率LED 散熱的重要性傳統管芯的功率比較小,需要散熱也不多,所以在散熱上,并沒有什么嚴重問題,但大功率的LED 就不同了,它的晶片功率密度非常大。
目前,由于半導體制造技術的原因,有80% 以上的輸入功率轉化為了熱能,只有不到20% 轉化成了光能。
晶片的熱量如果只是簡單的按比例將封裝尺寸放大,是無法散發出去的,且極有可能會導致焊錫融化,造成晶片失效,而加快熒光粉與晶片老化是必然會發生的情況,LED 的色度在溫度上升時也會變差。
對LED 來說散熱具有非常重大的意義,一般要求結溫在110° C 以下,這樣才能保證器件的使用壽命。
目前,大功率LED 封裝需要考慮的首要問題就是如何改進不斷增大的晶片功率所帶來的散熱問題。
目前,比較常用的改進LED 散熱問題的方法有兩種,分別是:加快散發內部熱量,對LED的散熱結構進行改進,使晶片的溫度可以有效降低;從根本上減少熱量的產生,提高晶片的發光效率,提高器件內量子效率。
最新的LED 熱量控制技術傳統的方法是採用散熱器進行散熱,水冷、熟管技術、風冷、微管道散熱等,是目前較為常用的散熱技術。
本文發布于:2023-02-28 08:12:14,感謝您對本站的認可!
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