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            泡利不相容原理、洪特規(guī)則、構(gòu)造原理

            更新時(shí)間:2023-10-27 08:39:25 閱讀: 評(píng)論:0

            傳承紅色基因作文-水之戀

            泡利不相容原理、洪特規(guī)則、構(gòu)造原理
            2023年10月27日發(fā)(作者:小氣鬼)

            物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

            一、基態(tài)與激發(fā)態(tài)原子光譜

            1.基態(tài)與激發(fā)態(tài)

            處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子(ground state atom),基態(tài)是原子最基本的狀態(tài),是穩(wěn)定的狀

            態(tài);當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后,電子會(huì)躍遷到較高能級(jí),變成激發(fā)態(tài)原子(excited atom)

            激發(fā)態(tài)原子不穩(wěn)定,電子又會(huì)躍遷到能量較低的能級(jí),并釋放能量;其轉(zhuǎn)化關(guān)系如下:

            (輻射)是電子釋放能量的重要形式之一,在日常生活中,我們看到的許多可見光,如燈光、

            激光、焰火……都與原子核外電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān);

            2.原子光譜atomic spectrum

            原子光譜:不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,可以用光譜儀攝取各種元素

            的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜,總稱原子光譜

            發(fā)射光譜(emission spectrum)是暗色背景的明亮譜線,吸收光譜(absorption spectrum)則是明亮

            背景的暗色譜線,兩者譜線一一對應(yīng)(因?yàn)閮蓚€(gè)能級(jí)之間電子躍遷,吸收的能量和釋放的能量

            相同)

            ※銫cesium1860年發(fā)現(xiàn),其光譜圖中有特征的藍(lán)光,在拉丁語里,銫的含意是天藍(lán)色;

            ※銣rubidium1861年發(fā)現(xiàn),其光譜圖中有特征的紅光,在拉丁語里,銣的含意是深紅色;

            ※氦helium1868年分析太陽光譜發(fā)現(xiàn)的,來源于希臘文,原意是“太陽”;

            By H.L.

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            物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

            ③原子光譜的應(yīng)用

            不同元素產(chǎn)生不同的原子光譜,在現(xiàn)代化學(xué)中,常利用原子光譜上的特征譜線來鑒定元素,

            稱為光譜分析(spectrum analysis),歷史上,利用光譜分析也曾發(fā)現(xiàn)了許多新元素;

            二、構(gòu)造原理與電子排布式

            1.多電子原子核外電子的排布順序

            在多電子原子中,電子在能級(jí)上的排布順序是:電子最先排布在能量低的能級(jí)上,然后依次排

            布在能量較高的能級(jí)上

            2.構(gòu)造原理aufbau principle

            隨著原子核電荷數(shù)的遞增,絕大多數(shù)元素原子的核外電子是按照如圖所示的能級(jí)順序填充的,

            填滿一個(gè)能量低的能級(jí)后,再填一個(gè)能量高的新能級(jí),這種規(guī)律稱為構(gòu)造原理

            By H.L.

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            物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

            3.能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象energy level overlap phenomenon

            由構(gòu)造原理可知,從第三能層開始各能級(jí)不完全遵循能層順序,產(chǎn)生了能級(jí)交錯(cuò)排列,即產(chǎn)生

            “能級(jí)交錯(cuò)”現(xiàn)象;【產(chǎn)生原因:鉆穿效應(yīng)、屏蔽效應(yīng)】

            H原子由于核外只有一個(gè)電子,沒有屏蔽效應(yīng),不存在能級(jí)交錯(cuò),所以能級(jí)的能量高低只取

            決于主量子數(shù);對于3d4s4p,顯然3d小于4s等于4p

            4.電子排布electronic configuration

            ①根據(jù)構(gòu)造原理可表示出一些元素原子的電子排布式,先按能量由低到高的順序依次寫出能級(jí)

            符號(hào),再用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角表明各能級(jí)上排布的電子數(shù),這就是原子的電子排布式

            在書寫電子排布式時(shí),能層低的能級(jí)要寫在左邊,不能按填充順序?qū)懀玮?/span>Sc的電子排

            布式為:1s2s2p3s3p3d4s

            226261221

            ,而不能按照填充順序先寫4s后寫3d

            ②電子排布式的簡化寫法

            為了避免電子排布式過于繁瑣,可以把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體元素原子結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)的

            稀有氣體元素符號(hào)外加方括號(hào)表示,例如:K的電子排布式可表示為:[Ar]4s

            1

            ,其中[Ar]

            原子實(shí)(atomic kernel)4s

            1

            叫做價(jià)電子(valence electron)

            原子序數(shù) 元素符號(hào) 電子排布式 原子序數(shù) 元素符號(hào) 電子排布式

            1 H 1s

            12

            2 He 1s

            3 Li 1s2s2s

            2122

            4 Be 1s

            5 B 1s2s2p2s2p

            221222

            6 C 1s

            7 N 1s2s2p2s2p

            223224

            8 O 1s

            9 F 1s2s2p2s2p

            225226

            10 Ne 1s

            11 Na [Ne]3s

            12

            12 Mg [Ne]3s

            13 Al [Ne]3s3p3p

            2122

            14 Si [Ne]3s

            15 P [Ne]3s3p3p

            2324

            16 S [Ne]3s

            17 Cl [Ne]3s3p3p

            2526

            18 Ar [Ne]3s

            19 K [Ar]4s

            12

            20 Ca [Ar]4s

            21 Sc [Ar]3d4s4s

            1222

            22 Ti [Ar]3d

            23 V [Ar]3d4s4s

            3251

            24 Cr [Ar]3d

            25 Mn [Ar]3d4s4s

            5262

            26 Fe [Ar]3d

            27 Co [Ar]3d4s4s

            7282

            28 Ni [Ar]3d

            29 Cu [Ar]3d4s4s

            101102

            30 Zn [Ar]3d

            31 Ga [Ar]3d4s4p4s4p

            10211022

            32 Ge [Ar]3d

            33 As [Ar]3d4s4p4s4p

            10231024

            34 Se [Ar]3d

            35 Br [Ar]3d4s4p4s4p

            10251026

            36 Kr [Ar]3d

            37 Rb [Kr]5s

            12

            38 Sr [Kr]5s

            39 Y [Kr]4d5s5s

            1222

            40 Zr [Kr]4d

            41 Nb [Kr]4d5s5s

            3251

            42 Mo [Kr]4d

            43 Tc [Kr]4d5s5s

            5262

            44 Ru [Kr]4d

            45 Rh [Kr]4d5s5s

            7282

            46 Pd [Kr]4d

            47 Ag [Kr]4d5s5s

            101102

            48 Cd [Kr]4d

            49 In [Kr]4d5s5p5s5p

            10211022

            50 Sn [Kr]4d

            三、泡利原理、洪特規(guī)則、能量最低原理

            1.電子自旋與泡利原理spin of the electron & Pauli exclusion principle

            ①電子自旋spin of the electron

            量子力學(xué)告訴我們,電子除了空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)外,還有一種狀態(tài)叫做自旋

            電子自旋可比喻成地球的自轉(zhuǎn);

            By H.L.

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            物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

            電子的自旋有順時(shí)針和逆時(shí)針兩種相反的狀態(tài),常用上下箭頭“”“”表示;

            【電子自旋(spin of the electron)是電子的基本性質(zhì)之一,屬于量子物理學(xué)科,電子自旋先由實(shí)

            驗(yàn)上發(fā)現(xiàn),然后才由狄拉克(Dirac)方程從理論上導(dǎo)出的】

            自旋量子數(shù)(spin quantum number)是描述電子自旋運(yùn)動(dòng)的量子數(shù),自旋磁量子數(shù)用m表示,

            s

            代表正方向自旋電子,代表逆方向自旋電子】

            ②泡利原理Pauli exclusion principle

            1925年,泡利正式提出,在一個(gè)原子軌道里,最多只能容納2個(gè)電子(通常稱為電子對)

            而且它們的自旋狀態(tài)相反,稱為泡利原理(也稱泡利不相容原理)

            Pauli1900--1958 Dirac1902--1984 Hund1896--1997

            2.電子排布圖

            原子核外電子排布可利用電子排布圖來表示,這是用方框(或圓圈)和箭頭表明核外電子排布的另

            一種方法,也叫軌道表示式;每一個(gè)方框表示一個(gè)軌道,能量相同的軌道連在一起,與電子排

            布式相比,它具有軌道上自旋方向和成鍵時(shí)電子變化明晰的特點(diǎn),但是稍微麻煩些,書寫時(shí)先

            寫元素符號(hào),再根據(jù)能量最低原理泡利原理洪特規(guī)則等書寫,例如:

            3.洪特規(guī)則Hund rule

            基態(tài)原子中,填入簡并軌道的電子總是先單獨(dú)分占,且自旋平行,稱為洪特規(guī)則

            By H.L.

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            物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

            洪特規(guī)則不僅適用于基態(tài)原子,也適用于基態(tài)離子;

            【洪特規(guī)則特例】

            等價(jià)軌道(同一能級(jí))上的電子排布為全充滿(p)、半充滿(p)和全空(p

            6101435700

            dfdfd

            f)狀態(tài)時(shí),具有較低的能量和較大的穩(wěn)定性,可以理解為洪特規(guī)則特例

            0

            例如:鉻(Cr)[Ar]3d4s4s

            24

            51

            正確[Ar]3d錯(cuò)誤;

            42

            (Cu)[Ar]3d4s4s

            29

            101

            正確[Ar]3d錯(cuò)誤;

            92

            4.能量最低原理lowest energy principle

            ①基態(tài)是能量最低的狀態(tài),基態(tài)原子的電子排布式能量最低的原子軌道組合;

            ②在構(gòu)建基態(tài)原子時(shí),電子將盡可能地占據(jù)能量最低的原子軌道,使整個(gè)原子的能量最低,這

            就是能量最低原理lowest energy principle

            ③多電子原子的核外電子要先占據(jù)能量低的能層,在能量低的能層中又優(yōu)先占據(jù)能量低的能級(jí),

            然后再依次進(jìn)入能量較高的能層,這樣使整個(gè)原子處于最低的能量狀態(tài),原子軌道能量的高

            低依據(jù)構(gòu)造原理來判斷;

            5.補(bǔ)充:Fe1s 2ssp 3s3p3d 4s

            26

            2262662

            ①電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)=電子數(shù);(26)

            ②電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)=電子所占的軌道數(shù);(15)

            ③電子的運(yùn)動(dòng)范圍=能層數(shù);(4)

            ④電子的能量=能級(jí)數(shù);(7)

            By H.L.

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            中元節(jié)祭祖-多彩的活動(dòng)

            泡利不相容原理、洪特規(guī)則、構(gòu)造原理

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