硅基InGaAs溝道雙柵COMS器件

2023年12月13日發(fā)(作者：盛的拼音)

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（19）中華人民共和國國家知識產(chǎn)權(quán)局

（12）發(fā)明專利申請

（21）申請?zhí)?CN2.1

（22）申請日 2016.12.27

（71）申請人 中國科學(xué)院微電子研究所

地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

（10）申請公布號

CN106601740A

（43）申請公布日 2017.04.26

（72）發(fā)明人 常虎東;劉洪剛;夏慶貞;孫兵;王盛凱

（74）專利代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司

代理人 張瑾

（51）

H01L27/092;

H01L29/10;

H01L21/20;

權(quán)利要求說明書 說明書 幅圖

（54）發(fā)明名稱

硅基InGaAs溝道雙柵COMS器件

（57）摘要

本發(fā)明提供一種硅基InGaAs溝道雙柵

COMS器件。本發(fā)明采用介質(zhì)鍵合方法實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體材料與InGaAs溝道雙柵CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的異構(gòu)集成度，且雙柵結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)器件的低功耗工作，且器件的閾值電壓調(diào)節(jié)更容易。

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