簡要介紹如何使用VASP及相關(guān)軟件來計算和處理用來分析成鍵過程的電荷密度差（charge density difference）
VASP 軟件經(jīng)驗 電荷密度 電子結(jié)構(gòu)
這里主要是討論在VASP中如何得到用來分析成鍵前后電荷轉(zhuǎn)移的電荷密度差。
此時電荷密度差定義為：
delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom
其中 RHO_sc 為自洽的面電荷密度，而 RHO_atom 為相應(yīng)的非自洽的面電荷密度，是由理想的原子周圍電荷分布堆徹得到的，即為原子電荷密度的疊加(a superposition of atomic charge densities)。
不同晶面的 RHO_sc 可由自洽計算的CHG或CHGCAR得到；
而計算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽計算得到:
仍使用原來自洽計算時的四個輸入文件，但I(xiàn)NCAR中需要設(shè)置 ICHARG=12 和 NELM=0，其他設(shè)置不變。
需要特別注意的，應(yīng)保持前后兩次計算（自洽和非自洽）中的 FFT-mesh 一致。因為，只有維數(shù)一樣，我們才能對兩個RHO作相應(yīng)的矩陣相減。不過，只要按上一段提到的設(shè)置方法做就行了，無須特別增加別的設(shè)置。
數(shù)據(jù)處理：
矩陣相減：使用MatLab或是自已寫個小程序。
作圖：Origin 或 MatLab。
