所謂霍爾效應,是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時,產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。當電流通過金屬箔片時,若在垂直于電流的方向施加磁場,則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯,而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈現極強的霍爾效應。
中文名霍爾系數
外文名Hall effect
定義霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。 霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場,則在寬度Y方向上會產生電動勢UH,這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢,其大小可表示為:
UH=RH/d*IC*B(1)
式中,RH稱為霍爾系數,它的單位是米的三次方每庫侖,由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度。
設RH/d=K,則式(1)可寫為:
UH=K*IC*B(2)
可見,霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比,K稱為乘積靈敏度。K值越大,靈敏度就越高;元件厚度越小,輸出電壓也越大。
在式(2)中,若控制電流IC為常數,磁感應強度B與被測電流成反比,就可以做成霍爾電流傳感器;另外,若仍固定IC為常數,B與被測電壓成正比,又可制成霍爾電壓傳感器。
霍爾效應霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。當電流垂直于外磁場通過導體時,在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
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