鄧林峰,男,漢,出生于1980年8月,畢業(yè)于香港大學,現(xiàn)任湖南大學電氣與信息工程學院副教授。
主要研究方向:微電子器件與集成電路設(shè)計(與長沙芯連心智慧系統(tǒng)有限責任公司開展聯(lián)合研發(fā));射頻通信系統(tǒng)無源互調(diào)、輻射雜散騷擾的機理、監(jiān)控與抑制技術(shù);功率半導(dǎo)體器件及其在電力電子中的應(yīng)用(以湖南大學超大功率半導(dǎo)體中心為平臺開展研究);嵌入式系統(tǒng)及其應(yīng)用。
中文名鄧林峰
國籍中國
畢業(yè)院校香港大學
學位/學歷博士
職業(yè)教師
職務(wù)湖南大學電氣與信息工程學院副教授
人物經(jīng)歷教育經(jīng)歷2013年12月-2014年3月:香港理工大學Rearch?Associate;
2016年2月-2017年2月:韓國延世大學訪問學者;
2008/01–2011/12,香港大學,工程學院電機電子工程系,博士;
2005/09–2007/06,華中科技大學,光學與電子信息學院微電子學系,碩士;
1999/09–2003/07,合肥工業(yè)大學,電子科學與應(yīng)用物理學院物理系,學士。
工作經(jīng)歷2014/10至今,湖南大學,電氣與信息工程學院,助理教授
主要成就科研成就科研項目
OPPO廣東移動通信有限公司產(chǎn)學研項目,由手機電連接產(chǎn)生的RSE問題機理研究,2020/08-2022/07,在研,主持
國家自然科學基金面上項目,51877073,碳化硅BJT功率集成基礎(chǔ)技術(shù)研究,2019/01-2022/12,在研,主持
國家自然科學基金青年科學基金項目,61404048,基于低頻噪聲的有機場效應(yīng)晶體管可靠性研究,2015/01-2017/12,已結(jié)題,主持
高等學校博士學科點專項基金項目,20120161120012,有機薄膜晶體管1/f噪聲機理與特性研究,2013/01-2015/12,已結(jié)題,主持
湖南省自然科學基金項目,2015JJ3043,基于1/f噪聲的有機場效應(yīng)晶體管器件可靠性研究,2015/01-2017/12,已結(jié)題,主持
湖南大學青年教師成長計劃項目,531107040551,有機薄膜晶體管1/f噪聲的物理及電路模型研究,2012/05-2016/12,已結(jié)題,主持
面向非微電子專業(yè)《ASIC設(shè)計初步》的新教學方法探索,湖南大學教改項目,?2013/05-2014/05,已結(jié)題,主持
國家重點研發(fā)計劃-先進軌道交通(子課題),Z202003400077,封裝可靠性優(yōu)化技術(shù),2020/05-2023/12,?在研,參加
湖南省科技計劃項目-重大專項計劃,?201733401294,?SiC電力電子器件的機理性工藝和仿真設(shè)計研究,2017/07-2020/06,?在研,參加
國家自然科學基金面上項目,51577054,碳化硅雙極結(jié)型晶體管的研究,2016/01-2019/12,在研,參加
家自然科學基金面上項目,61671203,波束賦形和自適應(yīng)波束調(diào)節(jié)的MIMO測試關(guān)鍵技術(shù)研究,2017/01-2020/12,在研,參加
國家自然科學基金面上項目,51977068,基于GaN晶體管的高性能多電平變換器,2020/01-2023/12,在研,參加
湖南大學學科交叉項目,2016020,碳化硅BJT器件設(shè)計及在固態(tài)變壓器中的應(yīng)用研究,2016/01-2017/12,已結(jié)題,參加
湖南省自然科學基金項目,2013WK3033?,便攜式高精度電導(dǎo)測試儀的研究,2013/03-2014/03,已結(jié)題,參加
教育部科技項目,?教技司(2015)354號,5G移動通信無線傳輸關(guān)鍵技術(shù)研究與評估,2016/01-2017/12,已結(jié)題,參加
湖南省科技計劃重大專項計劃,201733401294,SiC關(guān)鍵裝備和電力電子器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,2017/07-2020/06,在研,參加
湖南省科技計劃項目,201433400223,微電流測量抗干擾理論及方法研究,2014/05-2015/12,已結(jié)題,參加
論文著作
L.?F.?Deng,?Q.?Liu,?H.?Q.?Huang,?J.?Wang,?D.?Cheng,?H.?Wen,?and?SeongiIm,?“Compact?I-V?Modefor?Ambipolar?Field-Effect?Transistors?with?2D?Transition?MetaDichalcogenide?as?Semiconductor”,?IEEE?Transactions?on?Nanotechnology,?accepted.
L.?F.?Deng,?C.?M.?Si,?H.?Q.?Huang,?J.?Wang,?H.?Wen,?and?S.?Im,?"Explicit?continuous?I-V?modefor?2D?transition?metadichalcogenide?field-effect?transistors,"?Microelectronics?Journal,?vol.?88,?pp.?61-66,?2019.
S.?W.?Liang,?J.?Wang,?L.?F.?Deng(通訊作者),?Y.?Z.?Shi,?X.?Yin,?and?Z.?J.?Shen,?"An?Improved?ProportionaBa?Driver?for?Minimizing?Driver?Power?Consumption?of?SiC?BJT?Over?Wide?Current?and?Temperature?Range,"?IEEE?Journaof?Emerging?and?Selected?Topics?in?Power?Electronics,?vol.?7,?pp.?1727-1735,?2019.
S.?W.?Liang,?J.?Wang,?F.?Fang,?L.?F.?Deng(通訊作者),?and?Z.?J.?Shen,?"Optimization?Design?of?Isolation?Rings?in?Monolithically?Integrated?1200V?SiC?Transistor?and?AntiparalleDiode?for?Improved?Blocking?Voltage,"?IEEE?Journaof?Emerging?and?Selected?Topics?in?Power?Electronics,?vol.?7,?pp.?1513-1518,?2019.
J.?Wang,?S.?W.?Liang,?L.?F.?Deng(通訊作者),?X.?Yin,?and?Z.?J.?Shen,?"An?Improved?SPICE?Modeof?SiC?BJT?Incorporating?Surface?Recombination?Effect,"?IEEE?Transactions?on?Power?Electronics,?vol.?34,?pp.?6794-6802,?2019.
S.?W.?Liang,?J.?Wang,?L.?F.?Deng,?Fang?F.,?and?Z.?J.?Shen,?"Monolithic?Integration?of?SiC?Power?BJT?and?SmalSignaBJTs?for?Power?ICs,"?IEEE?Journaof?Emerging?and?Selected?Topics?in?Power?Electronics,?Early?Access.
L.?F.?Deng,?P.?T.?Lai,?W.?B.?Chen,?J.?P.?Xu,?Y.?R.?Liu,?H.?W.?Choi,?and?C.M.?Che,?“Effects?of?Different?Annealing?Gas?on?Pentacene?OTFT?With?HfLaO?Gate?Dielectric,”?IEEE?Electron?Device?Letters,?2011,?32,?93-95
L.?F.?Deng,?Y.?R.?Liu,?H.?W.?Choi,?J.?P.?Xu,?C.?M.?Che,?P.?T.?Lai,?“Effects?of?Annealing?Temperature?and?Gas?on?Pentacene?OTFTs?with?HfLaO?as?Gate?Dielectric,”?IEEE?Transactions?on?Device?and?Materials?Reliability,?2012,12,?10-15.
L.?F.?Deng,?Y.?R.?Liu,?H.?W.?Choi,?C.?M.?Che,?P.?T.?Lai,?“Improved?Performance?of?Pentacene?OTFTs?with?HfLaO?Gate?Dielectric?by?Using?Fluorination?and?Nitridation,”?IEEE?Transactions?on?Device?and?Materials?Reliability,?2012,12,?520-525
L.?F.?Deng,?P.?T.?Lai,?J.?P.?Xu,?H.?W.?Choi,?W.?B.?Chen,?and?C.?M.?Che,?“Improved?Performance?of?Pentacene?OTFT?with?HfLaO?Gate?Dielectric?by?Annealing?in?NH3,”?ECS?Transactions,?2010,?33,?265-269
鄧林峰,?余岳輝,?彭亞斌,?周郁明,?梁琳,?王璐,反向開關(guān)復(fù)合管的物理模型與數(shù)值方法實現(xiàn),?半導(dǎo)體學報,?2007,28(6):931-938
Liu?Y.?R.,?Deng,?L.?F.,?Yao,?R.?H.,?Lai,?P.?T.?,?“Low-operating-voltage?polymer?thin-film?transistors?bad?on?poly(3-hexylthiophene)?with?hafnium?oxide?as?the?gate?dielectric,”?IEEE?Transactions?on?Device?and?Materials?Reliability,?2010,10,?233-238
Cheng?K.?H.,?Tang?W.?M.,?Deng?L.?F.,?Leung?C.?H.,?Lai?P.?T.,?Che?C.?M.,?“Correlation?between?carrier?mobility?of?pentacene?thin-film?transistor?and?surface?passivation?of?its?gate?dielectric,”?Journaof?Applied?Physics,?2008,104,?116107-1--116107-4
Y.?R.?Liu,?P.?T.?Lai,?R.?H.?Yao,?L.?F.?Deng,?“Influence?of?octadecyltrichlorosilane?surface?modification?on?electricaproperties?of?polymer?thin-film?transistors?studied?by?capacitance-voltage?analysis,”?IEEE?Transactions?on?Device?and?Materials?Reliability,?2011,11,?60-64
Shiwei?Liang,?Jun?Wang,?Fang?Fang,?Linfeng?Deng,?“Simulation?study?of?a?4H-SiC?lateraBJT?for?monolithic?power?integration”,?Journaof?Semiconductors,?2018,?39,?124004-1--?124004-4
L.?F.?Deng,?P.?T.?Lai,?Q.?B.?Tao,?H.?W.?Choi,?W.?B.?Chen,?C.?M.?Che,?J.?P.?Xu,?Y.?R.?Liu,?“Improved?Performance?of?Low-voltage?Pentacene?OTFTs?by?Incorporating?La?to?Hafnium?Oxide?Gate?Dielectric,”?2010?IEEE?InternationaConference?on?Electron?Devices?and?Solid-State?Circuits,?EDSSC,?Hong?Kong,?P.R.?China,?2010.11.11-11.12
Deng?L.?F.,?Choi?H.?W.,?Lai?P.?T.?,?Liu?Y.?R.,?Xu?J.?P.,?“Low-voltage?polymer?thin-film?transistors?with?high-k?HfTiO?gate?dielectric?annealed?in?NH3?or?N2,”?2009?IEEE?InternationaConference?on?Electron?Devices?and?Solid-State?Circuits,?EDSSC,?Xi’an,?P.R.China,?2009.12.14-12.15.
Deng?L.?F.,?Tang?W.?M.,?Leung?C.?H.,?Lai?P.?T.?,?Xu?J.?P.,?Che?C.?M.,?Pentacene?thin-film?transistors?with?HfO2?gate?dielectric?annealed?in?NH3?or?N2O,?2008?IEEE?InternationaConference?on?Electron?Devices?and?Solid-State?Circuits,?EDSSC,?Hong?Kong,?P.R.?China,,2008.11.20-11-21
Liang,?Shiwei;?Li,?Zhiqiang;?Zhou,?Kun;?Deng,?Linfeng;?Li,?Juntao,?Wang,?Jun,?Influence?of?Device?Parameter?and?Parasitic?Inductances?on?Transient?Behaviors?of?ParalleConnection?of?SiC?GTOs,?IEEE?InternationaConference?on?Electron?Devices?and?Solid-State?Circuits?(EDSSC),?2019.
鄧林峰,余岳輝,梁琳,王璐,重頻RSD的關(guān)斷模型研究,?中國電工技術(shù)學會電力電子學會第十屆學術(shù)年會,西安,中國,2006.
肖劍波,鄧林峰,張淵,黃海清,王俊,沈征,一種應(yīng)用于SiC?BJT脈沖放電的快速驅(qū)動電路,中國科技論文,2017,(02):214-219.
楊亞超,全惠敏,鄧林峰,趙振興,基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的焊機參數(shù)預(yù)測方法,焊接學報,2018,(01):32-36.
王俊,張淵,李宗鑒,鄧林峰,SiC?GTO晶閘管技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展,大功率變流技術(shù),2016,(05):7-12.
人才培養(yǎng)主講課程為射頻電子電路(本科)、ASIC設(shè)計初步(本科)、衛(wèi)星通信(本科)、電路(本科)、電子技術(shù)(本科)、通信電路(留學生)、光纖通信(留學生)、研究生專業(yè)英語(碩士生)
社會任職IEEE?Transactions?on?Materials?and?Device?Reliability,?IEEE?Transactions?on?Nanotechnology,?Journaof?Emerging?and?Selected?Topics?in?Power?Electronics,?CPSS?Transactions?on?Power?Electronics?and?Applications等期刊雜志審稿人。
參考資料本文發(fā)布于:2023-06-03 20:19:18,感謝您對本站的認可!
本文鏈接:http://m.newhan.cn/zhishi/a/92/191135.html
版權(quán)聲明:本站內(nèi)容均來自互聯(lián)網(wǎng),僅供演示用,請勿用于商業(yè)和其他非法用途。如果侵犯了您的權(quán)益請與我們聯(lián)系,我們將在24小時內(nèi)刪除。
本文word下載地址:鄧林峰(湖南大學電氣與信息工程學院副教授).doc
本文 PDF 下載地址:鄧林峰(湖南大學電氣與信息工程學院副教授).pdf
| 留言與評論(共有 0 條評論) |