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            • 一種InGaAsInP體系的單行載流子的光電探測(cè)器制備方法[發(fā)明專利]_
              2023年12月13日發(fā)(作者:采礦專業(yè))-專利內(nèi)容由知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社提供專利名稱:一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測(cè)器制備方法專利類型:發(fā)明專利發(fā)明人:陳子超,陳釗鑒,金運(yùn)姜申請(qǐng)?zhí)枺篊N2.0申請(qǐng)日:20220117公開號(hào):CN114400273A公開日:20220426摘要:本發(fā)明公開了一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測(cè)器制備方法,包括以下步驟:使用HSQ光刻膠在
              時(shí)間:2023-12-13  熱度:5℃
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