一種InGaAsInP體系的單行載流子的光電探測器制備方法[發(fā)明專利]_

更新時間:2023-12-13 09:02:24 閱讀：評論：0

2023年12月13日發(fā)(作者：采礦專業(yè))

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專利內(nèi)容由知識產(chǎn)權(quán)出版社提供專利名稱：一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測器制備方法專利類型：發(fā)明專利發(fā)明人：陳子超,陳釗鑒,金運(yùn)姜申請?zhí)枺篊N2.0申請日：20220117公開號：CN114400273A公開日：20220426摘要：本發(fā)明公開了一種InGaAs/InP體系的單行載流子的光電探測器制備方法，包括以下步驟：使用HSQ光刻膠在晶圓上進(jìn)行旋涂然后完成電子束光刻；使用電感耦合等離子體刻蝕法進(jìn)行垂直刻蝕；使用反應(yīng)離子束刻蝕法刻蝕殘留的HSQ光刻膠；沉積一層介質(zhì)膜；使用熱穩(wěn)定負(fù)性光刻膠進(jìn)行普通光刻曝光，完成器件隔離；使用BCB膠做平坦化處理；使用對電子敏感的ARP光刻膠再次進(jìn)行電子束光刻曝光出P電極圖型；使用電子束蒸鍍系統(tǒng)蒸鍍相應(yīng)金屬，然后進(jìn)行光刻膠的剝離去除其他位置的金屬；使用熱穩(wěn)定負(fù)性光刻膠對N臺面進(jìn)行光刻，曝光出N電極圖形，電子束蒸鍍系統(tǒng)蒸鍍N臺面上的金屬，再使用丙酮完成剝離，完成器件制備。本發(fā)明提高了光電探測器成片的表面潔凈度，同時兼顧臺面刻蝕的質(zhì)量。申請人：中山大學(xué)地址：510275 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號國籍：CN代理機(jī)構(gòu)：廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司代理人：禹小明更多信息請下載全文后查看