氮化鎵MOCVD感應加熱裝置的優化設計

氮化鎵MOCVD感應加熱裝置的優化設計

徐龍權;劉新衛;唐子涵;方頌

【期刊名稱】《機械科學與技術》

【年(卷),期】2017(036)012

【摘 要】為了設計一款成本低、效率高的中頻感應加熱器樣機,利用ANSYS軟件

對感應加熱立式氮化鎵MOCVD反應室建立2D模型.首先分別通過改變加熱線圈

與石墨基座下表面距離及線圈之間的間距,研究分析其改變對石墨盤表面溫度均勻

性分布的影響,熱-電耦合分析結果表明減小線圈和石墨之間的垂直距離及線圈之間

的距離可以提高加熱效率,并根據仿真結果對感應加熱器的結構進行優化設計,確定

加熱效果較好的加熱器結構.結合仿真與分析結果,制作出一臺感應加熱器樣機.實驗

驗證可知,石墨盤表面溫度浮動在0.2％,溫度分布均勻性較好,符合工藝的要求,滿足

生產條件.

【總頁數】5頁(P1921-1925)

【作 者】徐龍權;劉新衛;唐子涵;方頌

【作者單位】南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心,南昌330047;南昌大學信

息工程學院,南昌330031;南昌大學信息工程學院,南昌330031;南昌大學信息工程

學院,南昌330031;南昌大學信息工程學院,南昌330031

【正文語種】中 文

【中圖分類】TN305

【相關文獻】

1.以氮化鎵/氮化鋁鎵超晶格結構優化氮化銦鎵LED [J], 吳玄元;羅正忠;楊鴻志;鄧

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2.基于氮化鎵全球專利布局特點推進我國氮化鎵產業創新發展 [J], 王瀟;王晶;王莎;

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3.基于氮化鎵全球專利布局特點推進我國氮化鎵產業創新發展 [J], 王瀟;王晶;王莎;

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4.腐蝕坑處氮化鎵二次MOCVD外延生長的特性 [J], 陸敏;方慧智;陸曙;黎子蘭;楊

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生長Ⅲ族氮化物鎵源的選擇 [J], 顧星;葉志鎮;趙炳輝

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