
第21卷
第17期
VoL21
No.17
電子設(shè)計(jì)工程
Electronic Design Eng Sep.2013
2013年9月
超高頻窄帶單級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)
吳志毅 。孫建華
(1.四JI1信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院四Jll廣元620840;2.成都天宇寶通有限公司四jll成都611731)
摘要:文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路,該電路結(jié)構(gòu)小巧(20mm x13mm,厚度為0.6mm),功能可靠、穩(wěn)
定。放大器芯片采用3SK318YB,該芯片具有高增益、低噪聲等特點(diǎn)。電路主要用于超高頻段微波通信,電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采
用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰減法進(jìn)行設(shè)計(jì)。生產(chǎn)成品并經(jīng)測(cè)試,該產(chǎn)品性價(jià)比高,完全達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵詞:低噪聲放大器;增益;噪聲系數(shù);平坦度;共軛匹配
中圖分類號(hào):TN925+.2 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1674—6236(2013)17—0147—02
Ultra-higlI frequency narrow band single stage low noise ampliifer design
WU Zhi-yi。,SUN Jian-hua
(1.Sichuan Information Technology College,Guangyuan 620840,China;
2.Chengdu Tianyu Treasure to Pass,Chengdu 611731,China)
Abstract:This paper introduces a ultra-high frequency narrow band low noise ampliifer circuit,the circuit structure compact
(20 mm x 13 mm,thickness of 0.6 arm),the function is reliable and stable.Ampliifer chip adopt 3 sk318yb,this chip wiht
hiSh gain。low noise characteristics.Circuit is mainly used in high frequency band microwave communication,circuit topology
structure the feedback type,stable attenuator method and low gain attenuation method to carry on the desin.Productgion of
ifnished products and he ttest,the product price is high,fully meet the design requiements.r
Key words:low noise ampliifer;gain;noise factor;flatness;conjugate matching
隨著科技現(xiàn)代工業(yè)化的普及,工業(yè)噪聲、自然界的噪聲 輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的作用是使器件與信號(hào)源的阻抗匹配,輸
到處沖滿我們的生活。給我們生活中微波通信系統(tǒng)提出了挑
戰(zhàn)。為了使接收機(jī)能夠正常的工作,不受外界的噪聲嚴(yán)重的
干擾。因此,必須在接收機(jī)前端連接高性能的低噪聲放大器,
降低噪聲干擾,使整個(gè)接收機(jī)系統(tǒng)噪聲系數(shù)變低、信燥比得 器芯片為35k318YB場(chǎng)效應(yīng)管。該管的特點(diǎn):
到改善、靈敏度得到提高,因此對(duì)微波通信中低噪聲放大器 1)低噪特點(diǎn),最大2.2 dB,典型值為1.4 dB;
的研究具有重要的意義。
本文所研制的低噪聲放大器主要用于超高頻段微波通
出匹配網(wǎng)絡(luò)的作用是使器件與負(fù)載的阻抗匹配。使得信號(hào)在
放大器過程中不產(chǎn)生反射損耗。
根據(jù)技術(shù)指標(biāo)要求.設(shè)計(jì)單級(jí)低噪聲放大器選用的放大
2)優(yōu)秀的交叉調(diào)制特性;
3)功率增益最小為18 dB,典型值為21 dB;
4)低功耗、低電壓工作能力;
5)OIP3為30 dBm左右。 功率增益>13 dB、噪聲系數(shù) .5 dB、帶內(nèi)增益平坦度<o.5 dB、
電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰
減法進(jìn)行設(shè)計(jì)。
1.1噪聲系數(shù)分析
放大器噪聲系數(shù)一般用ⅣF表示.它是用來衡量有噪系 單級(jí)微波場(chǎng)效應(yīng)管低噪聲放大器的構(gòu)成框圖如圖1
信系統(tǒng)中。產(chǎn)品的主要指標(biāo):頻率范圍4OO一435 MHz頻段上,
帶外抑制≤一75( ̄<fo-90 MHz處測(cè)試)、輸入/輸出負(fù)載50 Q。
1設(shè)計(jì)方案
所示。它是由輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、微波場(chǎng)效應(yīng)管、輸出匹配網(wǎng)
絡(luò)組成。 與輸出信噪功率比(SNR)廬 /Ⅳ0的比值:
Z
統(tǒng)的噪聲性能。定義為:放大器輸入信噪功率比(S ) SIN,
(SNR =、b S器 o| (1)
圖1低噪聲放大器原理
Fig.1 Low noise ampliier prfinciple
在工程設(shè)計(jì)與運(yùn)用中,噪聲系數(shù)一般用分貝表示。表達(dá)
式如下:
NF=101gF(dB)
收稿日期:2013-03-03 稿件編號(hào):201303021
對(duì)于單級(jí)低噪聲放大器。其噪聲系數(shù)為:
作者簡(jiǎn)介:吳志毅(1968一),男,四Jl1廣安人,高級(jí)工程師。
研究方向:射頻,微波技術(shù)、應(yīng)用電子技術(shù)。
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