四象限InGaAs APD探測器的研究

2023年12月13日發(fā)(作者：寫物作文)

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四象限InGaAs APD探測器的研究

王致遠;李發(fā)明;劉方楠

【期刊名稱】《光通信研究》

【年(卷),期】2007(000)006

【摘 要】文章中設(shè)計的四象限InGaAs雪崩光電二極管(Avalanche Photo

Diode,APD)的管芯結(jié)構(gòu)采用正入光式平面型結(jié)構(gòu),而材料結(jié)構(gòu)采用吸收區(qū)、倍增區(qū)漸變分離的APD結(jié)構(gòu),在對響應(yīng)時間、暗電流和響應(yīng)度等參數(shù)進行計算與分析的基礎(chǔ)上,優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)參數(shù).試驗結(jié)果表明,其響應(yīng)時間≤1.5 ns,響應(yīng)度≥9.5 A/W,暗電流≤40 nA,可靠性設(shè)計時使PN結(jié)和倍增層均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏電流,提高器件的可靠性.

【總頁數(shù)】4頁(P43-46)

【作 者】王致遠;李發(fā)明;劉方楠

【作者單位】重慶郵電大學(xué),光電工程學(xué)院,重慶,400065;重慶郵電大學(xué),光電工程學(xué)院,重慶,400065;重慶郵電大學(xué),光電工程學(xué)院,重慶,400065

【正文語種】中 文

【中圖分類】TN3

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