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             首頁 > TAG信息列表 > 半導(dǎo)體
            • 【項(xiàng)目管理知識(shí)】飛利浦研發(fā)戰(zhàn)略解析項(xiàng)目形式簡(jiǎn)化技術(shù)三重門
              2024年2月24日發(fā)(作者:作文《我的樂園》) 飛利浦研發(fā)戰(zhàn)略解析項(xiàng)目形式簡(jiǎn)化技術(shù)三重門 飛利浦的“TOP計(jì)劃”還在延續(xù),這項(xiàng)原本旨在“形象整合,降低成本,共享服務(wù)”的計(jì)劃,波及面正在不斷擴(kuò)張。 搬遷新址 “我工作中重要的一項(xiàng)職責(zé)就是選址,”范彥柏坦言,“TOP計(jì)劃實(shí)施后,我們將更多的基礎(chǔ)研究搬到了中國。” 事實(shí)上,范彥柏所言有著深厚的歷史背景。飛利浦的研發(fā)部門屬于復(fù)雜的“矩陣式”結(jié)構(gòu),從研發(fā)類
              時(shí)間:2024-02-24  熱度:10℃
            • 帶隙基準(zhǔn)電壓正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)
              2024年2月21日發(fā)(作者:含有星的詩句)帶隙基準(zhǔn)電壓正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù) 導(dǎo)言: 帶隙基準(zhǔn)電壓是半導(dǎo)體器件中重要的電性能指標(biāo)之一。它在不同溫度下的變化特性對(duì)于設(shè)計(jì)和應(yīng)用具有重要意義。本文就帶隙基準(zhǔn)電壓的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)進(jìn)行介紹與分析。 一、帶隙基準(zhǔn)電壓正溫度系數(shù) 帶隙基準(zhǔn)電壓的正溫度系數(shù)是指隨著溫度升高,帶隙基準(zhǔn)電壓增大的現(xiàn)象。在半導(dǎo)體器件中,此現(xiàn)象源于載流子的熱激發(fā)。 1.1 形成
              時(shí)間:2024-02-21  熱度:19℃
            • 溫差發(fā)電
              2024年2月20日發(fā)(作者:黨員冬訓(xùn)心得體會(huì))溫差發(fā)電 溫差發(fā)電目前有兩種形式,一是利用海水表層和深層的溫差,用其熱量使蒸發(fā)器中的水沸騰,用氨蒸汽帶動(dòng)渦輪機(jī)發(fā)電。隨后,氨蒸汽進(jìn)入深層海水冷卻,重新變成液體。在這一循環(huán)往返過程中,可以依次將海水的溫差變成電力;二是用半導(dǎo)體溫差效應(yīng)直接發(fā)電。 海洋中蘊(yùn)藏著豐富的太陽熱能。太陽每年供應(yīng)給海洋的熱能大約有600多萬億千瓦時(shí),如此巨大的能量,除了
              時(shí)間:2024-02-20  熱度:170℃
            • 電子行業(yè)周報(bào):華為禁令再升級(jí),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何
              2024年2月19日發(fā)(作者:看金門) 20200823 研究所 證券分析師: 吳吉森 S2 *************** 華為禁令再升級(jí),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何 ——電子行業(yè)周報(bào) 最近一年行業(yè)走勢(shì) 電子 100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%-20.00%滬深300 投資要點(diǎn): ? 本周投資主題:美國升級(jí)對(duì)華為限制,短期而言,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
              時(shí)間:2024-02-19  熱度:7℃
            • 半導(dǎo)體實(shí)習(xí)報(bào)告(共5篇)
              2024年2月13日發(fā)(作者:撫今悼昔)半導(dǎo)體實(shí)習(xí)報(bào)告(共5篇) 第1篇:半導(dǎo)體實(shí)習(xí)報(bào)告 實(shí)習(xí)報(bào)告 1.實(shí)習(xí)目的: 根據(jù)學(xué)院對(duì)??粕?,我在深圳意法半導(dǎo)體制造(深圳)有限公司,為期十個(gè)月的實(shí)習(xí)。畢業(yè)實(shí)習(xí)的目的是:接觸實(shí)際,了解社會(huì),增強(qiáng)社會(huì)主義事業(yè)心,責(zé)任感,鞏固所學(xué)理論,獲取專業(yè)實(shí)際知識(shí),培養(yǎng)初步的工作能力,具體如下: 培養(yǎng)從事工作的專業(yè)技能,了解
              時(shí)間:2024-02-13  熱度:5℃
            • 電子教學(xué)教案范文
              2024年1月10日發(fā)(作者:讀書作文)電子教學(xué)教案 電子教案模板 篇一 章節(jié)·課題 1.1.1數(shù)制 教學(xué)目的和要求: 掌握數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)的區(qū)別,幾種進(jìn)制之間的轉(zhuǎn)換。 重難點(diǎn)分析 進(jìn)制之間的轉(zhuǎn)換 課型: 講授 教法:講授、任務(wù)驅(qū)動(dòng)法 教具:計(jì)算機(jī)、多媒體等 教學(xué)內(nèi)容與過程:(見教案) 教學(xué)過程 (一)、導(dǎo)入新課 回憶計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)中所講的二進(jìn)制,引出本次課內(nèi)容。 (二)、講授新課 一、數(shù)字電路概述
              時(shí)間:2024-01-10  熱度:10℃
            • (完整版)電子技術(shù)教案
              2024年1月10日發(fā)(作者:愛好廣泛) 第1.2課時(shí) 教學(xué)內(nèi)容:1、半導(dǎo)體的基本知識(shí) 2、PN結(jié)的形成及特點(diǎn),半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、特性、參數(shù)、應(yīng)用電路 教學(xué)目標(biāo): 知識(shí)目標(biāo):讓學(xué)生了解半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)及PN結(jié)的形成,掌握PN結(jié)的單向?qū)щ姽ぷ髟?技能目標(biāo):能運(yùn)用常用公式解題。 情感目標(biāo):1.養(yǎng)成良好的學(xué)習(xí)習(xí)慣 2.樹立堅(jiān)強(qiáng)樂學(xué)的意識(shí) 教學(xué)重點(diǎn):從半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)及PN
              時(shí)間:2024-01-10  熱度:8℃
            • 1.3μm InGaAsSb/GaAsSb 量子阱激光器有源區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
              2023年12月13日發(fā)(作者:紅山口會(huì)議)-1.3μm InGaAsSb/GaAsSb 量子阱激光器有源區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 何斌太;劉國軍;魏志鵬;劉超;安寧;劉鵬程;王旭 【摘 要】為了研制滿足光纖通訊需求的高性能半導(dǎo)體激光器,對(duì)壓應(yīng)變 InGaAsSb /GaAsSb 量子阱激光器有源區(qū)進(jìn)行了研究。根據(jù)應(yīng)變量子阱能帶理論、固體模型理論和克龍尼克-潘納模型,確定了激射波長與量子阱材料組分及阱寬的關(guān)系。
              時(shí)間:2023-12-13  熱度:8℃
            • load port中eap接口標(biāo)準(zhǔn)
              2023年12月13日發(fā)(作者:小孩牙疼怎么辦)-Load Port中EAP接口標(biāo)準(zhǔn) 1. 什么是Load Port中的EAP接口標(biāo)準(zhǔn)? Load Port作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的重要設(shè)備,其EAP接口標(biāo)準(zhǔn)是指Load Port與設(shè)備之間進(jìn)行通信和控制的標(biāo)準(zhǔn)接口。EAP是英文Ethernet Access Point的縮寫,意為以太網(wǎng)接入點(diǎn),它是半導(dǎo)體設(shè)備和外部設(shè)備之間的通信橋梁,有助于實(shí)現(xiàn)智能
              時(shí)間:2023-12-13  熱度:9℃
            • 半導(dǎo)體dbt工藝
              2023年12月6日發(fā)(作者:有關(guān)孔子的故事)-半導(dǎo)體dbt工藝 半導(dǎo)體DBT工藝 引言: 半導(dǎo)體工藝是制造集成電路的關(guān)鍵步驟之一,而DBT(Diffusion Barrier Technology)工藝作為半導(dǎo)體制造中的一種重要工藝,起到了關(guān)鍵的保護(hù)和隔離作用。本文將介紹DBT工藝的原理、應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)。 一、DBT工藝的原理 DBT工藝是一種通過在金屬線與半導(dǎo)體材料之間形成屏蔽層,從而阻止金屬
              時(shí)間:2023-12-06  熱度:69℃
            • 電荷轉(zhuǎn)移器件
              341第十章  電荷轉(zhuǎn)移器件為謀求IC 設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)化,導(dǎo)致一類新功能結(jié)構(gòu)的發(fā)明,這類結(jié)構(gòu)稱為電荷轉(zhuǎn)移器件(CTD )。在CTD 器件中,按工作原理劃分,有兩類不同的器件:電荷耦合器件()CCD 和斗鏈器件()BBD 。 10.1 電荷轉(zhuǎn)移電荷轉(zhuǎn)移的概念可以用增益為1以及輸入阻抗無窮大的一系列放大器連成的鏈來說明,如圖10-1a 所示。當(dāng)接通開關(guān)1S 時(shí),輸入訊號(hào)以電荷束(電荷包)的形式存貯
              時(shí)間:2023-06-09  熱度:78℃
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