雙端口SRAM

2023年12月30日發(作者：吊睛白額虎)

(19)中華人民共和國國家知識產權局

(12)發明專利說明書

(21)申請號 CN2.5

(22)申請日 2021.07.27

(71)申請人 上海華力集成電路制造有限公司

地址 201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室

(72)發明人 陳品翰 郭成磊

(74)專利代理機構 31211 上海浦一知識產權代理有限公司

代理人 郭四華

(51)

G11C11/413(20060101)

G11C14/00(20060101)

(10)申請公布號 CN 113611343 A

(43)申請公布日 2021.11.05

權利要求說明書 說明書 幅圖

(54)發明名稱

雙端口SRAM

(57)摘要

本發明公開了一種雙端口SRAM，

SRAM單元結構具有雙端口，在版圖上，兩個端口對應的選擇管就近設置在對應的存儲節點的下拉管附近，SRAM單元結構的單元版圖結構呈中心對稱，第一子單元版圖結構中一個選擇管和第一下拉管采用相同的有源區，另一個選擇管的有源區設

置的第一下拉管和第一上拉管的有源區之間。本發明能提高各端口對兩個存儲節點的讀取路徑的對稱性從而能提高讀取電流的對稱性，同時還降低PMOS的電學性能的變異量，從而提高PMOS的電學性能的穩定性。

法律狀態

法律狀態公告日

2021-11-05

法律狀態信息

公開

法律狀態

公開

權 利 要 求 說 明 書

【雙端口SRAM】的權利說明書內容是......請下載后查看

說 明 書

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