MgF2薄膜的制備方法及其應用

2024年3月1日發(作者：我是重慶人)

云南師范大學學報（自然科學版）　２０１３年９月一３３卷５期（Ｖｏｌ。３３　Ｎｏ．５）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｙｕｎｎａｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ＤＩＯ：１０．７６９９／ｊ．ｙｎｎｕ．ＩｌＳ一２０１３－０６６　ＭｇＦ２薄膜的制備方法及其應用　李石周，　廖華，　安家才，　王建秋，　付蕊，　肖祥江，　白紅艷，　謝明達　（云南師范大學太陽能研究所；教育部可再生能源材料先進技術與制備重點實驗室；　云南省農村能源工程重點實驗室，云南昆明６５００９２）　摘要：　概述了ＭｇＦ　薄膜的制備方法及其在各領域中的應用。通過對制備方法的對比研究和分　析，得到：眾多的方法中，真空蒸發具有較為簡單的設備和方法；而應用最多的是電子束蒸發法。ＭｇＦ：　薄膜以其優異的性能已廣泛應用于各行業中。　關鍵詞：氟化鎂；制備方法；應用；減反射膜　中圖分類號：０４８４　文獻標志碼：　Ａ　文章編號：　１００７—９７９３（２０１３）０５—００３４—０４　氟化鎂（ＭｇＦ　）是無色金紅石（ＴｉＯ　）型結構，　四方晶系，點群４／ｍｍｍ，空問群Ｐ４２／ｍｎｍ．作為一　種廣泛應用的光學性能優良的鍍膜材料，氟化鎂　薄膜具有折射率低（ｎ＝１．３８）、透明波段寬　（１２０ｎｍ～８　０００ｎｍ）、能隙寬（Ｅ　＝１１ｅＶ）、熱穩定　性好、機械強度大和激光損傷閾值高等優異性能，　是制備增透膜、高反膜和高損傷閾值膜的重要材　料　，因此ＭｇＦ　薄膜在各種光學膜層制備中有　著廣泛的應用。　如化學均勻性好、純度高、顆粒細、操作簡單等。　但其工藝程序復雜、薄膜厚度與均勻性控制稍差。　崔延霞等采用溶膠一凝膠法　Ｊ，以醋酸鎂和　氟化氫為原料，用甲醇為溶劑制備了ＭｇＦ，溶膠，　并利用浸漬提拉法在石英基片上鍍膜，結果表明：　通過該方法制備出的ＭｇＦ　薄膜表面平整，在紫外　區的增透性能良好，具有較高的抗激光損傷性能。　１．２脈沖激光淀積法　脈沖激光淀積法（ＰＬＤ）是一種廣泛應用的新　興的薄膜制備技術，與其他技術相比最主要的優　點是它能得到化學配比良好的材料，目前已廣泛　應用于化合物半導體材料Ｉ　和超導材料　的　制備。　本文研究ＭｇＦ：薄膜的制備方法及其相關應　用，逐漸探索其在太陽電池上的應用。　ｌ　ＭｇＦ：薄膜的制備方法　目前ＭｇＦ，薄膜的制備方法主要有：真空蒸發　法、磁控濺射法、溶膠一凝膠法、脈沖激光淀積法　等，其中應用最多的是電子束蒸發法。　１．１溶膠一凝膠法（Ｓ０ｌ—ｇｅｌ法）　溶膠．凝膠法…是６Ｏ年代發展起來的一種　制備玻璃、陶瓷等無機材料的新方法。它是將金　屬醇鹽或無機鹽經水解或經解凝形成溶膠，然后　再將溶質聚合凝膠化、干燥、焙燒，最后得到無機　于琳等利用脈沖激光淀積方法制備了ＭｇＦ　光學薄膜　，對其表面形貌以及光學性質進行了　測試分析。ｘ射線光電子能譜分析顯示樣品具有　很好的化學組分配比，Ｆ／Ｍｇ原子比在１．９～２．１　之間，接近體材料，在可見光波段其光透過率為　６０％～８０％，在紅外波段達到了９０％以上，而且　由克喇末一克勞尼格關系（簡稱ＫＫ關系）變換計　算的折射率大約為１．３９，也接近體材料折射率　１．３８．　材料的一種方法。它與許多其他的納米微粒的制　備方法（如濺射法、水熱法等）相比，有很多優點，　２．３磁控濺射法　磁控濺射技術也是被廣泛應用的制備薄膜的　收稿日期：２０１３—０７—１８　作者簡介：李石周（１９８５一），男，云南馬龍人，碩士研究生，主要從事太陽電池方面的研究．　通信作者：廖華，博士，研究員，主要從事太陽能光伏應用研究．Ｌｉａｏｈｕａ８＠ｖｉｐ．ｓｉｎａ．ｃｏｎ　

第４期　李石周，等：ＭｇＦ　薄膜的制備方法及其應用　?３５?　方法，與其他方法相比，具有較低的沉積溫度、較　高的濺射速率、沉積的薄膜附著力強、設備操作簡　便、制造成本較低、易于進行大批量生產等優點，　目前已廣泛用于各種薄膜材料的制備　“Ｊ。　史守華等采用射頻磁控濺射技術¨　在室溫　ｓｉ基片上制備出厚度分別２５．Ｏｎｍ和６０．７ｎｍ的　ＭｇＦ　薄膜樣品，對薄膜的光學常數測試分析，結　果表明：在２５０～８３０ｎｍ光頻范圍內，隨著膜厚增　加，ＭｇＦ：薄膜的光學常數Ｉ１、ｋ的變化范圍減　小，平均值增大，而且ＭｇＦ：薄膜樣品的吸收曲線　中，在波長入為２７０ｎｍ和３６０ｎｍ處均出現吸收　峰，分析表明是由通過輻射產生的Ｆ心引起的吸　收峰。孫兆奇等¨　用射頻磁控濺射法在室溫ｓｉ　基片上制備了６０．７～１　５４５．０ｎｍ范圍內不同厚度　的ＭｇＦ：薄膜，并對其微結構和應力分布進行了測　試分析，結果表明：制備的ＭｇＦ，薄膜在　＝３０ｍｍ　選區內全場平均應力均表現為張應力；隨膜厚增　加，其平均應力值開始呈近似線性緩慢減小，當膜　厚大于ｉ　２００ｎｍ時，其平均應力及應力差基本趨　于穩定。　但是Ｍａｒｔｉｎｕ等¨　采用磁控濺射方法制備　ＭｇＦ：薄膜時，氟鎂比例與標準計量比差距較大，　氟缺陷很多，而且存在多余的氧。因而如何得到　氟鎂比良好且折射率低的氟化鎂薄膜成為人們一　直關注的一個重要課題。　２．４真空蒸發法　真空蒸發是目前真空鍍膜技術中一種成熟且　主要的真空鍍膜方法。而電子束蒸發是將膜材放　入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使膜材中　的原子或分子從表面汽化逸出后入射到基片表面　凝結成膜¨　。　尚淑珍等采用傳統的電子束熱蒸發方法鍍制　的１９３ｎｍ　Ａ１：Ｏ，／ＭｇＦ　反射膜　，并對它們在空　氣中分別進行了２５Ｏ—４００℃的高溫退火，發現樣　品的光學損耗隨退火溫度的升高而下降，而后趨　于飽和，而且還發現隨著退火溫度的升高散射損　耗有所增加。鄭臻榮等¨　用電子束蒸發在Ｋｑ玻　璃上制備了由ＴｉＯ，和ＭｇＦ，兩種材料構成的８層　結構的在４００～９００ｎｍ波段上的超寬帶減反射　膜，實驗結果表明：用這兩種材料設計的超寬帶減　反射膜有很好的減反射效果，而且對于垂直入射　的情況，多種材料的膜系并不比兩種材料更具優　越性。袁海榮　在Ａｌ　Ｃａ。　Ａｓ／ＧａＡｓ太陽電池　表面蒸鍍ＭｇＦ　／ＺｎＳ雙層減反射膜可明顯減少太　陽光的反射，增加光吸收，提高太陽電池短路電流　和轉換效率。　雖然氟化鎂（ＭｇＦ，）在紫外波段是光學薄膜　最具應用潛力的材料之一，并且已被廣泛研　究¨　２　５ｌ，但是其薄膜的性能在很大程度上與沉積　方法和沉積工藝條件密切相關　卜　，而掌握和控　制各個具體制備條件是制造優質薄膜的重要環　節，因此有必要對ＭｇＦ，薄膜做更深入的研究。然　而由于ＭｇＦ：薄膜的光學損耗比較低，因此在所有　的沉積方法中比較合適的是真空蒸發法，而沉積　溫度又是最重要的工藝參數之一¨　。　２　ＭｇＦ：薄膜的應用　２．１　ＭｇＦ，薄膜在化工領域的應用　氟化鎂既是一種氟化工行業的下游產品，同　時也是一種重要的無機化工原料。它是生產玻　璃、特種陶瓷和熱壓晶體的重要原料，可作為冶煉　金屬鋁和鎂的助熔劑，作為焊接劑，作為顏料的涂　著劑，另外還可用于制備光學儀器中的各種鏡片、　濾光涂層和陰極射線屏中的熒光材料等精密部　件。隨著科技的發展，近年來對紫外和紅外研究　不斷的深入，其應用越來越廣，氟化鎂的應用需求　也將逐步增大　Ｊ。　在具有鈣鈦礦結構的Ｌａ　Ｃａ　ＭｎＯ　（簡記為　ＬＣＭＯ）薄膜上蒸鍍ＭｇＦ　保護膜　，研究表明該　薄膜可以有效地保護ＬＣＭＯ薄膜不被損壞、提高　探頭的穩定性，并且蒸鍍上ＭｇＦ　保護膜后，其激　光感生電壓（ＬＩＴＶ）峰值與激光能量仍然成較好　的線性關系。孫兆奇等　采用真空蒸發技術制　備了Ｃｕ—ＭｇＦ　納米金屬陶瓷薄膜。微結構分析表　明該薄膜由ｆｅｅ—Ｃｕ晶粒均勻分布于主要呈非晶　態的ＭｇＦ　陶瓷基體中構成的，其平均粒度約為　ｌ４～１６ｎｍ．而對Ｃｕ—ＭｇＦ　納米金屬陶瓷薄膜的吸　收光譜特性測試表明：隨波長增加，吸收減小；Ｃｕ　納米晶粒的表面等離子共振在５６０ｎｍ處出現吸　收峰；短波長區表現出較強的Ｃｕ的帶間躍遷吸　收。同時用三維彌散系統的Ｍａｘｗｅｌｌ—Ｇａｒｎｅｔｔ理論　計算的Ｃｕ—ＭｇＦ　復合體系的吸收光譜與實驗結果　基本吻合。因而能夠從理論上對Ｃｕ．ＭｇＦ　復合體　系的實驗吸收光譜特性作出較好的解釋。　２．２　ＭｇＦ，薄膜在減反射膜上的應用　氟化鎂薄膜由于折射率低、透明波段寬、能隙　寬、熱穩定性好等優異性能　，因此ＭｇＦ，薄膜在　減反射膜上也有著廣泛的應用。　孫秀菊等采用真空熱蒸發技術－３　，制備出　

?３６?　云南師范大學學報（自然科學版）　第３３卷　性能優良的ＭｇＦ　／ＺｎＳ雙層減反射薄膜，其研究　表明襯底溫度為２００￣Ｃ且ＭｇＦ：／ＺｎＳ厚度為　１１０ｎｍ～３５ｎｍ時具有最佳減反射效果。羅小　蘭　利用混合介質理論模型和ＴＦＣａｌｃ膜系設計　軟件，通過雙源共蒸工藝制備了ＭｇＦｚ－ＴｉＯ　混合　漸變折射率薄膜。結果發現隨著膜厚的增加，薄　膜的折射率從２．１８逐漸降至１．５９，并且以指數　函數發生漸變，這種薄膜在４００～８００ｎｍ波段的　平均反射率僅為５．５６％，減反特性優于分層介質　減反膜，不僅在中心波長附近消除了菲涅爾反射，　取得全透效果，而且還基本實現了全方位減反，適　合于全天候的服役環境。　３　結束語　隨著科技的不斷發展，ＭｇＦ　在光學儀器、特　種陶瓷、玻璃和冶金等領域的用途越來越廣泛，對　其性能的要求也越來越高，而制備方法與其性能　密切相關。各種制備方法都有其各自的優缺點，　研究比較表明：真空蒸發是較為適合的ＭｇＦ　薄膜　制備方法；而其中應用電子束蒸發法制備ＭｇＦ　的　研究較多；與其他薄膜材料，如：ＺｎＳ、ＴｉＯ　等構成　雙層膜系，探索其在太陽電池上的應用。近年來，　ＭｇＦ　薄膜的研究在不斷深人，并且以其優異的性　能在較多的領域中獲得研究及應用。　參考文獻：　［１］　王寶玲，吳興惠，柳清菊，等．溶膠一凝膠法制備氧化　鋁薄膜的研究［Ｊ］．云南大學學報：自然科學版，　２００２，２４（１Ａ）：５６—６２．　［２］　崔延霞，張磊，徐耀，等．溶膠一凝膠法ＭｇＦ　紫外增透　膜的制備和性能研究［Ｊ］．強激光與粒子，２００８，２０　（３）：４０１—４０５．　［３］　ＪＯＳＥＰＨ　Ｍ，ＴＡＢＡＴＡ　Ｈ，ＫＡＷＡＩ　Ｔ．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｂｅ—　ｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　Ｌｉ—ｄｏｐｅｄ　ＺｎＯ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　Ｓｉ（１００）ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ．，１９９９，　７４：２５３４—２５３６．　［４］ＣＨＯ　Ｋ　Ｇ，ＫＵＭＡＲ　Ｄ，ＬＥＥ　Ｄ　Ｇ．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｌｕｍｉｎｅｓ—　ｅｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｉｅｓ　ｏｆ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　Ｅｕ：Ｙ２　Ｏ３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｄｉａｍｏｎｄ　ｃｏａｔｅｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．　Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９７，７１：３３３５—３３３７．　［５］　Ｓｈｉｎｄｅ　Ｓ　Ｒ，Ｏｇａｌｅ　Ｓ　Ｂ，Ｇｒｅｅｎｅ　Ｒ　Ｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎ—　ｄｕｃｔｉｎｇ　ＭｇＢ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ．，２００１，７９：２２７－２２９．　［６］　于琳，韓新海，王冠中，等．脈沖激光淀積ＭｇＦ　薄膜　的制備及性質研究［Ｊ］．量子電子學報，２００４，２１　（１）：４８－５０．　［７］ＰＡＬ　Ｕ，ＳＥＧＵＲＡ　Ｇ　Ｃ，ＣＯＲＯＮＡ　Ｏ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｇｅ／ＺｎＯ　ｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ　ｂｙ　ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ａｌｔｅｒｎａｔｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．　Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ，　２００３，７６（３）：３０５—３１２．　１　８　１　ＦＡＮ　Ｄ　Ｈ，ＮＩＮＧ　Ｚ　Ｙ，ＪＩＡＮＧ　Ｍ　Ｆ．Ｃｈａｒａｃｔｅｉｒｓｔｉｃｓ　ａｎｄ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｇｅ　ｄｏｐｅｄ　ＺｎＯ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ａｌｔｅｒｎａｔｅ　ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｓｕｒ　Ｓｃｉ，２００５，２４５（１—４）：４１４—４１９．　［９］　ＡＷＡＮ　Ｓ　Ａ，ＧＯＵＬＤ　Ｒ　Ｄ，ＳＧＲＡＶＡＮＯ．Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　ｉｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｒ．ｆ．ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｕｓｉｎｇ　ｎｉｔｒｏｇｅｎ　ｇａｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，１９９９，３５５－３５６：４５６—４６０．　［１０］陳蓓蓓，蔡瑜，周濤．濺射工藝參數對ＴｉＡＩＮ薄膜力　學性能及結構成分的影響［Ｊ］．機械工程材料，　２００７，３１（９）：１５—２２．　［１１］ＲＡＮＡ　Ｍ　Ｍ，ＢＵＴＬＥＲ　Ｄ　Ｐ．Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｓｐｕｔ—　ｔｅｒｅｄ　Ｓｉｌ…Ｇｅ　ａｎｄ　Ｓｉ１…Ｇｅ　Ｏ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｕｎｃｏｏｌｅｄ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｌ　Ｊ　１．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００６，５１４　（１－２）：３５５—３６０．　［１２］史守華，何玉平，宋學萍，等．ｓｉ基片上射頻磁控濺　射ＭｇＦ：薄膜的光學常數研究［Ｊ］．合肥工業大學學　報：自然科學版，２００３，２６（３）：３８４—３８７．　［１３］孫兆奇，呂建國，何玉平，等．射頻磁控濺射的不同　厚度ＭｇＦ　薄膜的微結構和應力特性［Ｊ］．硅酸鹽學　報，２００４，３２（６）：７００—７０３．　［１４］ＭＡＲＴＩＮＵ　Ｌ，ＢＩＥＤＥＲＭＡＮ　Ｈ，ＨＯＬＬＡＮＤ　Ｌ．Ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ＭｇＦ２　ｉｎ　ａｎ　ｒｆ　ｐｌａｎａｒ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，１９８５，３５（１２）：５３１．　［１５］陳敏，王存華．真空鍍膜機的原理及故障分析［Ｊ］．　光電子技術，２００２，２２（２）：１１４—１１８．　［１６］尚淑珍，邵建達，沈健，等．退火對電子束熱蒸發　１９３ｎｍ　Ａ１　Ｏ　／ＭｇＦ　反射膜性能的影響［Ｊ］．物理學　報，２００６，５５（５）：２６３９－２６４３．　［１７］鄭臻榮，顧培夫，陳海星，等．超寬帶減反射膜的設　計和制備［Ｊ］．光學學報，２００９，２９（７）：２０２６—２０２９．　Ｉ　ｌ８　ｌ　ＺＵＫＩＣ　Ｍ，ＴＯＲＲ　Ｄ　Ｇ，ＳＰＡＮＮ　Ｊ　Ｆ，ｅｔ　ａ１．Ｖａｃｕｕｍ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ．１：Ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｓｔａｎｔｓ　ｏｆ　ＢａＦ２，　ＣａＦ２，ＬａＦ３，ＭｇＦ２，Ａ１２Ｏ３，ＨｆＯ２　ａｎｄ　ＳｉＯ２［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｏｐｔ，１９９０，２９（２８）：４２８４—４２９２．　『１９］ＥＶＡ　Ｅ，ＭＡＮＮ　Ｋ，ＳＣＨＡＬＬＥＮＢＥＲＧ　Ｕ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎ—　ｌｆｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｎｕｍｂｅｒ　ｏｆ　ｄｏｕｂｌｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄａｍ　ａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｏｆ　Ａ１２　Ｏ３／ＳｉＯ２　ａｎｄ　ＬａＦ３／ＭｇＦ２　ｍｉｒｒｏｒｓ　ａｔ　２４８　ｎｍｌ　Ｃ　１．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９５，２７１４：４９９—５１０．　１　２０　ＫＡＩＳＥＲ　Ｎ，ＡＮＴＯＮ　Ｂ，ＪＡＥＮ　ＣＨＥＮ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｓｅｒ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ　ｏｆ　ＬａＦ３／ＭｇＦ２　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ｅｘ—　ｃｉｍｅｒ　ｌａｓｅｒｓ［ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９５，２４２８：４００　－４０９．　［２１］ＤＩＪＯＮ　Ｊ，ＱＵＥＳＮ　ＥＬ　Ｅ，ＲＯＬＬ　ＡＮＤ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｄａｍａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ　ＵＶ　ｍｉｒｒｏｒｓ　ｍａｄｅ　ｂｙ　ｉｏｎ　

第４期　李石周，等：　ＭｇＦ：薄膜的制備方法及其應用　?３７?　ｂｅａｍ　ｓｐｕｔｔ—ｅｒｉｎｇ［Ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９８，３２４４：４０６—　４１６．　Ｖｉｓｉｂｌｅ　ｌｉｇｈｔ　ｐｈｏｔｏｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　４－ｃｈｌｏｒｏｐｈｅｎｏｌ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｏｋｅ—ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｔｉｔａｎｉｕｍ　ｄｉｏｘｉｄｅ　ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｔ［Ｊ］．　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃａｔｌｙｓａｉｓ　Ｂ：Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ，２００１，３２（４）：２１５　－［２２］ＰＲＯＴ　ＯＰＡＰＡ　Ｍ　Ｌ，ＰＥＲＲＯＮＥ　Ｍ　Ｒ，ＰＩＥＧＡＲＩ　Ａ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｓｅｒ　ｄａｍａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　２２７．　ｂｙ　ｐｈｏｔｏａｃｏｕｓｔｉｃ　ｂｅａｍ　ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ［Ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，　２０００。３９０２：１７５—１８１．　［２９］ＳＨＡＨＥＤ　Ｕ　Ｍ　ＫＨＡＮ，ＭＯＦＡＲＥＨ　ＡＬ—ＳＨＡＨＲＹ，　ＷＩＬＬＩＡＭ　Ｂ　ＩＮＧＬＥＲ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ　［２３］ＰＲＯＴ　ＯＰＡＰＡ　Ｍ　Ｌ，ＤＥ　ＴＯＭＡＳＩ　Ｆ，ＰＥＲＲＯＮＥ　Ｍ　ｗａｔｅｒ　ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ　ｂｙ　ａ　ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｎ—ＴｉＯ２［Ｊ］．　Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００２，２９７（５５９０）：２２４３—２２４５　Ｒ．Ｌａｓｅｒ　ｄａｍａｇｅ　ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　ＭｇＦ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｖａｃ　Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ，２００１，１９（２）：６８１—６８８．　［３０］陳崧哲，張彭儀，祝萬鵬，等．可見光響應光催化劑　研究進展［Ｊ］．化學進展，２００４，１６（４）：６１３—６１９．　［２４］ＹＯＳＨ　ＩＤＡ　Ｋ，ＯＨＹＡ　Ｍ，Ｈ　ＡＴ　ＯＯＫＡ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．　Ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｐｏｒｏｕｓ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ＵＶ　［３１］俞守耕．鈣鈦礦型氧化物在凈化汽車尾氣催化劑中　的應用［Ｊ］．貴金屬，２００１，２２（２）：６１—６６．　ａｎｄ　ＤＵＶ　ｌａｓｅｒｓ［ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００２，４６７９：４２９　—４３４．　［３２］楊永安，劉翔，張鵬翔．ＭｇＦ　保護膜的制備及其性能　研究［Ｊ］．云南冶金，２００６，３５（１）：５６—５８．　［３３］孫兆奇，吳桂芳，李愛俠，等．Ｃｕ．ＭｇＦ　納米金屬陶瓷　［２５］ＲＩＳＴ　Ａｕ　Ｄ，ＧＵＮＳＴＥＲ　Ｓ，ＢＯＳＣＨ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｕｌｔｒａｖｉｏ—　ｌｅｔ　ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ａｎｄ　ＬａＦ３　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｉｏｎ－ｂｅａｍ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ａｎｄ　ｂｏａｔ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｂｅａｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｏｐｔ，　２００２，４１（１６）：３１９６—３２０４．　薄膜的微結構及吸收光譜特性研究［Ｊ］．安徽大學　學報：自然科學版，２０００，２４（３）：６４—６９．　［３４］占美瓊，黃建兵，尚淑珍，等．真空退火對３５５ｎｍ　［２６］袁海榮．Ａｌ　Ｇａｌ一　Ａｓ／ＧａＡｓ太陽電池ＭｇＦ２／ＺｎＳ雙層　減反射膜的研究［Ｊ］．太陽能學報，２０００，２１（４）：３７１　－Ａ１　０，／ＭｇＦ：高反射薄膜性能的影響［Ｊ］．強激光與　粒子束，２００４，１６（１１）：１３８９—１３９２．．　［３５］孫秀菊，李海玲，勵旭東，等．硅太陽電池用ＭｇＦ，／ＺｎＳ　雙層減反射薄膜的制備及表征［Ｊ］．人工晶體學報，　２００９，３８（３）：５４７－５５０．　３７８．　［２７］ＡＳＡＨＩ　Ｒ，ＭＯＲＩＫＡＷＡ　Ｔ，ＯＨＷＡＫＩ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｖｉｓｉ—　ｂｌｅ——ｌｉｇｈｔ　ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ　ｉｎｎｉｔｒｏｇｅｎ——ｄｏｐｅｄ　ｔｉｔａｎｉｕｍ　ｏｘｉｄｅｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００１，２９３（１３）：２６９－２７１．　［２８］ＬＥＴＩ＇ＭＡＮＮ　Ｃ，ＨＩＬＤＥＮＢＲＡＮＤ　Ｋ，ＫＩＳＣＨ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．　［３６］羅小蘭．ＴｉＯ　系光學減反膜的設計與制備［Ｄ］．湖南　大學，２０１１．　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　ｉｔｓ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＭｇＦ２　Ｆｉｌｍｓ　ＬＩ　Ｓｈｉ—ｚｈｏｕ，ＬＩＡＯ　Ｈｕａ，ＡＮ　Ｊｉａ－ｃａｉ，ＷＡＮＧ　Ｊｉａｎ—ｑｉｕ，ＦＵ　Ｒｕｉ，　ＸＩＡＯ　Ｘｉａｎｇ－ｊｉａｎｇ，ＢＡＩ　Ｈｏｎｇ—ｙａｎ，ＸＩ　Ｅ　Ｍｉｎｇ—ｄａ　（Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ；Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ａｄｖａｎｃｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　Ｒｅｎｅｗａｂｌｅ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｍｉｎｉｓｔｙ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｒｏｎ；Ｙｕｎｎａｎ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ　Ｋｅｙ　Ｌａｂ　ｏｆ　Ｒｕｒａｌ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　Ｙｕｎｎａｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｋｕｎｍｉｎｇ　６５００９２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｏｕｔｌｉｎｅｄ．Ｉｔ　ｉｓ　ｆｏｕｎｄ　ｔｈａｔ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，ｖａｃｕｕｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｈａｓ　ｓｉｍｐｌｅ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ　ｗｈｉｌｅ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｉｓ　ｍｏｓｔ　ｗｉｄｅｌｙ　ｕｓｅｄ．Ｆｏｒ　ｉｔｓ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ＭｇＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｗｉｄｅｌｙ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｉｎｄｕｓｔｒｙ　ｆｉｅｌｄｓ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：　Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ；Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ；Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ；Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｆｉｌｍｓ