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電子技術基礎實驗課程設計-用74LS161設計六十進制計數器
2024年3月29日發(作者：小猴爬樹) 電子技術基礎實驗 課程設計 用74LS161設計六十進制計數器 學院： 班級： 姓名： 學號： 電氣工程學院 電自1418 用74LS161設計六十進制計數器 摘要 計數器是一個用以實現計數功能的時序部件，它不僅可用來及脈沖數，還常用作數子系統的定時、分頻和執行數字運算以及其它特定的邏輯功能。目前，無論是T
時間：2024-03-29 熱度：9℃
工作總結
電氣圖形符號大全
2024年3月29日發(作者：移動上網)觸點觸頭限定符號接觸器功能斷路器功能隔離開關功能負荷開關功能自動釋放限制/位置手車式抽功能開關功能屜式插口火花間隙和避雷器圖火花間隙避雷器觸點圖形符號動合常開觸點動斷常閉觸點先斷后合的轉換觸點中間斷開的雙向觸點先合后斷的轉換觸點(橋接)雙動合觸點雙動斷觸點過渡觸點圖形符號當操作器件被當操作器件被當操作器件被吸合吸合時,暫時釋放時,暫時或釋放時,暫時閉閉合的過
時間：2024-03-29 熱度：13℃
試題
厚膜化電源模塊老煉篩選過程的殼溫控制
2024年3月7日發(作者：形容很好吃的成語)射ｌｌ卷，第３蝴 Ｖｏｌ １ｌ ＮＯ ３ 電子與封裝 ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ 總第９５ ２０１ １年３月 封 裝 、 組 裝 與 測 試 厚膜化電源模塊老煉篩選過程的 宣 日 Ｉｎｎ 控制 李晨旭 （人水ＬＰｑ九電ｒ 有限公司， ‘肅人水７４１０００） 摘 要：在現代電源模塊技術中用厚膜４Ｌ．ｚ＿藝和ＳＭＴ（表面貼裝工藝）生產的電源
時間：2024-03-07 熱度：65℃
知識文檔
mos 負溫度系數
2024年2月21日發(作者：幼兒珠心算培訓班)mos 負溫度系數 MOS負溫度系數 MOS是金屬-絕緣體-半導體場效應晶體管的簡稱，它是一種常用的電子器件。在MOS中，負溫度系數是一個重要的性質，它影響著器件的工作性能和穩定性。 負溫度系數是指當溫度升高時，器件電阻值下降的趨勢。在MOS中，負溫度系數主要是由金屬-絕緣體結構中的絕緣體層引起的。絕緣體層通常是由二氧化硅（SiO2）構成，具有較
時間：2024-02-21 熱度：11℃
工作總結
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb 量子阱激光器有源區結構設計
2023年12月13日發(作者：紅山口會議)-1.3μm InGaAsSb／GaAsSb 量子阱激光器有源區結構設計 何斌太;劉國軍;魏志鵬;劉超;安寧;劉鵬程;王旭 【摘 要】為了研制滿足光纖通訊需求的高性能半導體激光器，對壓應變 InGaAsSb ／GaAsSb 量子阱激光器有源區進行了研究。根據應變量子阱能帶理論、固體模型理論和克龍尼克－潘納模型，確定了激射波長與量子阱材料組分及阱寬的關系。
時間：2023-12-13 熱度：8℃
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雙層InGaAs溝道InP HEMT
2023年12月13日發(作者：哈佛大學入學要求)-維普資訊 第２９卷第１期 電子器件 Ｃｈｉｎｅｓｅ ＪｏｕｒｍＩ Ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｎ ｉ嘲 ｖ０１．２９ Ｎｏ．１ Ｍａｒ．２００６ ２００６年３月 Ｄｏｕｂｌｅ ＩｎＧａＡｓ Ｃｈａｎｎｅｌ ＨＥＭＴ ｏｎ ＩｎＰ ⅥＮ Ｊｕｎ－ｊｉａｎ，ＣＨＥＮ Ｌｉ－ｑｉａｎｇ，ＷＡＮＧ Ｎｉｎｇ，ＺＨＡＮＧ Ｈａｌ—ｙｉｎｇ，ＬＩＵ Ｘｕｎ－ｃ
時間：2023-12-13 熱度：6℃
職場規劃
四象限InGaAs APD探測器的研究
2023年12月13日發(作者：寫物作文)-四象限InGaAs APD探測器的研究 王致遠;李發明;劉方楠 【期刊名稱】《光通信研究》 【年(卷),期】2007(000)006 【摘 要】文章中設計的四象限InGaAs雪崩光電二極管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯結構采用正入光式平面型結構,而材料結構采用吸收區、倍增區漸變分離的APD結構,在對響應時間、暗電流和響應度等
時間：2023-12-13 熱度：4℃
工作總結
p-i-n InPInGaAs光電探測器的電流及電容特性研究
2023年12月13日發(作者：日本姓名)-第42卷，第1期文章編號:1672-8785(2021)01-0001-05紅外1p-i-n In&InGaAs光電探測器的 電流及電容特性研究夏少杰陳俊"(蘇州大學電子信息學院，江蘇蘇州215006)摘要：為了實現高靈敏度探測，紅外探測器需要得到優化&利用Silvaco器 件仿真工具研究了 p-i-n型InP/Ino. 53Ga0.47As/In0.
時間：2023-12-13 熱度：9℃
職場規劃
InGaAs探測器的光電性能仿真與結構優化研究
2023年12月13日發(作者：租賃合同協議書)-InGaAs探測器的光電性能仿真與結構優化研究 短波紅外In GaAs探測器在近室溫下具有良好的性能,在航天遙感領域有著重要的應用價值。為進一步提升短波紅外InGaAs探測器的性能,本論文重點研究了InAlAs帽層的晶格匹配和延伸波長探測器的關鍵結構參數對暗電流的影響,并進行了實驗驗證,研究了器件暗電流機制;仿真了吸收層內含有電子阻擋層器件的暗電流
時間：2023-12-13 熱度：5℃
生活講堂
硅基InGaAs溝道雙柵COMS器件
2023年12月13日發(作者：盛的拼音)-（19）中華人民共和國國家知識產權局 （12）發明專利申請 （21）申請號 CN2.1 （22）申請日 2016.12.27 （71）申請人 中國科學院微電子研究所 地址 100029 北京市朝陽區北土城西路3號 （10）申請公布號 CN106601740A （43）申請公布日 2017.04.26 （72）發明人 常虎東;劉洪剛;夏慶貞;孫兵;
時間：2023-12-13 熱度：5℃
知識文檔
四象限InGaAs APD探測器的研究
2023年12月13日發(作者：海市蜃樓意思)-四象限InGaAs APD探測器的研究 王致遠;李發明;劉方楠 【摘 要】文章中設計的四象限InGaAs雪崩光電二極管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯結構采用正入光式平面型結構,而材料結構采用吸收區、倍增區漸變分離的APD結構,在對響應時間、暗電流和響應度等參數進行計算與分析的基礎上,優化了器件結構參數.試驗結果表明,其響
時間：2023-12-13 熱度：19℃
實用范文
延伸波長InGaAs紅外探測器的實時γ輻照研究
2023年12月13日發(作者：幼兒三字經全文)-延伸波長InGaAs紅外探測器的實時γ輻照研究 李淘;喬輝;李永富;唐恒敬;李雪;龔海梅 【摘 要】通過實時測試方法,研究了延伸波長InGaAs紅外探測器在55×104 rad的γ輻照下的電流-電壓特性變化,發現器件的暗電流沒有明顯變化,零偏電阻稍有變化,但變化的幅度很小.在輻照前后對器件的性能進行了測試,發現在輻照后器件的信號稍有下降,噪聲基本不
時間：2023-12-13 熱度：4℃
工作總結
InGaAs短波紅外探測器的光電機理
2023年12月13日發(作者：寫事作文300)-InGaAs短波紅外探測器的光電機理 邵海洋;邢懷中 【摘 要】利用ISE TCAD仿真軟件,建立了銦鎵砷(InGaAs)短波紅外探測器表面漏電的二維模型.在背面照射方式下,模擬研究了InGaAs短波紅外探測器的表面漏電對器件暗電流、總電流、量子效率和響應率的影響.研究結果表明,表面漏電會導致器件的暗電流和總電流增大,但響應率和量子效率會降低.由此
時間：2023-12-13 熱度：14℃
文體寫作
ingaas紅外探測器工藝流程
2023年12月13日發(作者：猴吃西瓜)-ingaas紅外探測器工藝流程 InGaAs紅外探測器工藝流程 引言： InGaAs紅外探測器是一種常見的半導體器件，其主要應用于紅外成像、紅外測溫等領域。本文將介紹InGaAs紅外探測器的工藝流程，包括材料生長、器件制備和封裝等過程。 一、InGaAs材料生長 InGaAs材料是In（銦）和GaAs（砷化鎵）的合金，具有較高的載流子遷移率和較小的能
時間：2023-12-13 熱度：9℃
知識文檔
CCD固體成像器件綜述
CCD圖像傳感器摘 要 電荷耦合器件(Charge Coupled Devices，CCD)自70年代初誕生以來，已迅速發展成為最常用的固體圖像傳感器，且廣泛應用于
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