線路基板與拼接電子裝置的制作方法
1.本揭露的實施例涉及一種基板與電子裝置，尤其涉及一種線路基板與多個線路基板彼此拼接而成的拼接電子裝置。
背景技術
：：：2.在一般顯示電子裝置中，驅動電路為重要的驅動元件。但目前的驅動元件都是設置在線路基板兩側的邊框區，會占據電子裝置兩側的邊框空間，讓邊框具有相當的寬度，而不利于窄邊框、極窄邊框或無邊框的顯示電子裝置設計。因此，電子裝置的研發須持續更新與調整。技術實現要素：3.本揭露是針對一種線路基板，其可提供大型拼接顯示的技術。4.本揭露是針對一種拼接電子裝置，其具有良好顯示質量或顯示效果。5.根據本揭露的實施例，顯示裝置包括基板、第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層。第一金屬層設置于基板上，包括沿著第一方向延伸的第一連接線與第二連接線，以及沿著第二方向延伸的第一掃描線與第二掃描線。第一連接線電性連接第一掃描線。第二連接線電性連接第二掃描線。第二掃描線包括兩個分離的線段，分別位于第一連接線的相對兩側。第二金屬層設置于基板上，包括沿著第一方向延伸的第一數據線。第一數據線重疊第一連接線。第三金屬層設置于基板上，包括沿著第二方向延伸的橋接線。橋接線電性連接第二掃描線的兩個分離的線段。第二金屬層設置于第一金屬層與第三金屬層之間。6.根據本揭露的實施例，拼接電子裝置包括多個上述的線路基板，且多個線路基板彼此拼接。多個線路基板的數量為2乘以n個，且n為正整數。7.基于上述，在本揭露一實施例的線路基板及多個線路基板拼接構成的拼接電子裝置中，由于線路基板的柵極驅動電路與數據驅動電路可設置于基板的相同側并通過連接線連接掃描線，因此提供掃描信號的柵極驅動電路與提供數據信號的數據驅動電路可集中設置于基板的相同側的周邊區中。如此一來，線路基板的顯示區的穿透率可被提升或可提供透明顯示技術。另外，由于驅動電路被集中于線路基板的相同側，因此多個線路基板在拼接時，多個顯示區可鄰近地拼接而提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，線路基板及多個線路基板拼接構成的拼接電子裝置具有良好顯示質量或顯示效果。附圖說明8.圖1為本揭露一實施例的線路基板的線路俯視示意圖；9.圖2為本揭露一實施例的線路基板的局放大俯視示意圖；10.圖3為圖2的線路基板沿剖面線a-a’的剖面示意圖；11.圖4為圖2的線路基板沿剖面線b-b’的剖面示意圖；12.圖5為本揭露一實施例的線路基板的主動元件與發光元件的剖面示意圖；13.圖6為本揭露一實施例的線路基板的剖面示意圖；14.圖7為本揭露另一實施例的線路基板的剖面示意圖；15.圖8為本揭露一實施例的拼接電子裝置的俯視示意圖。具體實施方式16.通過參考以下的詳細描述并同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易了解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件并非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，并非用來限制本揭露的范圍。17.本揭露通篇說明書與后附的權利要求中會使用某些詞匯來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備制造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文并不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與權利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為“含有但不限定為…”之意。因此，當本揭露的描述中使用術語“包括”、“含有”和/或“具有”時，其指定了相應的特征、區域、步驟、操作和/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特征、區域、步驟、操作和/或構件的存在。18.本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本揭露。在附圖中，各附圖示出的是特定實施例中所使用的方法、結構和/或材料的通常性特征。然而，這些附圖不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的范圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域和/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。19.應當理解到，當組件或膜層被稱為“連接至”另一個組件或膜層時，它可以直接連接到此另一組件或膜層，或者兩者之間存在有插入的組件或膜層。當組件被稱為“直接連接至”另一個組件或膜層時，兩者之間不存在有插入的組件或膜層。另外，當構件被稱為“耦接于另一個構件(或其變體)”時，它可以直接地連接到此另一構件，通過一或多個構件間接地連接(例如電性連接)到此另一構件。20.術語“大約”、“等于”、“相等”或“相同”、“實質上”或“大致上”一般解釋為在所給定的值或范圍的20％以內，或解釋為在所給定的值或范圍的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以內。21.本揭露中所敘述的一結構(或層別、組件、基材)位于另一結構(或層別、元件、基材)之上，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接，非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構(或中介層別、中介組件、中介基材、中介間隔)，一結構的下側表面相鄰或直接連接于中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接于中介結構的下側表面，而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，并無限制。在本揭露中，當某結構配置在其它結構“上”時，有可能是指某結構“直接”在其它結構上，或指某結構“間接”在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。22.本揭露說明書內的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區域、和/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用于將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”是用于與“第二元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”區隔，而非用于限定順序或特定元件、部件、區域、層和/或部分。23.根據本揭露實施例，可使用光學顯微鏡(opticalmicroscopy，om)、掃描式電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope，sem)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲測量的元件的剖面結構圖像，并測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，并通過合適的方法(例如:積分)獲得元件體積。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。24.電子裝置通過本揭露實施例的發光模塊或發光裝置可具有較好的接合質量，其中電子裝置可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置或透明顯示裝置，但不以此為限。電子裝置可為可卷曲、可拉伸、可彎折或可撓式電子裝置。電子裝置可例如包括液晶(liquidcrystal)、發光二極管(lightemittingdiode，led)、量子點(quantumdot，qd)、熒光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他適合的材且其材料可任意排列組合或其他適合的顯示介質，或前述的組合；發光二極管可例如包括有機發光二極管(organiclightemittingdiode，oled)、毫米/次毫米發光二極管(miniled)、微發光二極管(microled)或量子點發光二極管(quantumdot，qd，可例如為qled)，但不以此為限。天線裝置可例如是液晶天線，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述的任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。下文將以線路基板或拼接電子裝置說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。25.須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特征進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特征只要不違背發明精神或相沖突，均可任意混合搭配使用。26.現將詳細地參考本發明的示范性實施例，示范性實施例的實例說明于附圖中。只要有可能，相同元件符號在附圖和描述中用來表示相同或相似部分。27.圖1為本揭露一實施例的線路基板的線路俯視示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖1省略示出了若干元件。請參考圖1，在本揭露的一實施例中，線路基板10例如為主動式元件基板、被動式元件基板、印刷線路板(printedcircuitboard，pcb)、覆晶薄膜(chiponfilm，cof)或其他任何類型的線路板(circuitboard)。在一些實施例中，線路基板10包括基板100與設置于基板100上的多層金屬層經圖案化的線路以及驅動電路(包括柵極驅動電路170與數據驅動電路160)。多層金屬層包括第一金屬層m1、第二金屬層m2以及第三金屬層m3(如圖2、圖3或圖4所示)。第一金屬層m1包括沿著第一方向(又稱為y軸)延伸的第一連接線cl1與第二連接線cl2。第一金屬層m1還包括沿著第二方向(又稱為x軸)延伸的第一掃描線sl1與第二掃描線sl2。在本揭露的實施例中，第一方向垂直于第二方向(y軸垂直于x軸)，且第三方向(如圖3或圖4所示的z軸，其為基板100的法線方向)垂直于第一方向或第二方向。第一連接線cl1電性連接第一掃描線sl1，且第二連接線cl2電性連接第二掃描線sl2。在一些實施例中，第二金屬層m2包括沿著第一方向延伸的第一數據線dl1。在一些實施例中，線路基板10上還可設置多個發光元件300(如圖5所示)電性連接至數據線、掃描線及驅動電路。如圖1所示，本揭露的一實施例的線路基板10的柵極驅動電路170與數據驅動電路160可設置于基板100的相同側。如此一來，提供掃描信號的柵極驅動電路170與提供數據信號的數據驅動電路160可集中設置于基板100的相同側的周邊區ba(又稱為非顯示區)中，因此線路基板10的顯示區aa的穿透率可被提升或可提供透明顯示技術。另外，由于驅動電路被集中于線路基板10的相同側(如圖8所示)，因此多個線路基板10在拼接時，多個顯示區aa可鄰近地拼接而提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，線路基板10及多個線路基板10拼接構成的拼接電子裝置1(如圖8所述)具有良好顯示質量或顯示效果。28.詳細來說，線路基板10可以是顯示面板的陣列(matrix)基板或背板，且線路基板10與發光元件300構成顯示面板。顯示面板可以包括液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)、有機發光二極管顯示面板(organiclightemittingdiode，oled)、微型化發光二極管顯示面板(micro-leddisplay)、次毫米發光二極管顯示面板(mini-leddisplay)、量子點發光二極管顯示面板(quantumdotleddisplay)或電子紙顯示器(electronicpaperdisplay，epd)。在一些實施例中，線路基板10例如是應用發光二極管技術的顯示面板。線路基板10例如為可撓式、可拉伸式或硬式顯示面板。基板100包括硬性基板、可撓性基板或前述的組合。舉例來說，基板100包括玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、丙烯酸系樹脂(acrylicresin)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚酰亞胺(polyimide，pi)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)、其它合適的透明材料、或前述的組合，但不以此為限。29.在本揭露的實施例中，線路基板10的多層金屬層可構成像素電路。像素電路可通過連接多個薄膜晶體管(thin-filmtransistor，tft)以組成主動式元件陣列(activematrix)。在一些實施例中，線路基板10具有周邊區ba與顯示區aa。周邊區ba設置于顯示區aa的其中一側。舉例來說，周邊區ba可設置于顯示區aa的第一側11，且位于顯示區aa外。顯示區aa可定義為主動式元件陣列設置于基板100上的區域，并應用為顯示圖像的區域。周邊區ba可定義為顯示區aa以外未設置主動式元件陣列的區域，并用以設置周邊電路或驅動電路。30.在一些實施例中，線路基板10的像素電路也可不連接薄膜晶體管而組成陣列。在上述的設置下，像素電路可稱為被動式元件陣列(passivematrix)。具有被動式元件陣列的區域仍可稱為顯示區，并用于顯示圖像。31.本揭露實施例的線路基板100可應用于電子裝置中，其中電子裝置包括行動裝置、數字相機(digitalcamera)、行動計算機(portablecomputer)、臺式計算機(tabletopcomputer)、電視(television)、汽車用顯示器、可攜式光盤撥放器(portablecdplayer)、拼接式面板、戶外大型顯示器或任合包括圖像顯示功能的裝置，但不以此為限。32.如圖1所示，多個驅動電路與多條線路設置于基板100上。數據驅動電路160與柵極驅動電路170分別沿著第二方向(即x軸)延伸地設置于周邊區ba中，并靠近顯示區aa的第一側11設置，但不以此為限。在其他實施例中，周邊區ba可位于顯示區aa的任何一個側邊。在一些實施例中，柵極驅動電路170可設置于數據驅動電路160與顯示區aa之間，但不以此為限。在另一些實施例中，數據驅動電路160可設置于柵極驅動電路170與顯示區aa之間。數據驅動電路160可提供數據信號，并通過像素電路或元件陣列傳遞至發光元件300。柵極驅動電路170可提供掃描信號，并通過像素電路或元件陣列以驅動發光元件300以顯示圖像。33.多條數據線dl1、dl2電性連接數據驅動電路160，并沿著第一方向(即y軸)自周邊區ba延伸進入顯示區aa。多條數據線包括第一數據線dl1與第二數據線dl2。第一數據線dl1與第二數據線dl2在第二方向(即x軸)上平行地排列。從另一角度來說，第一數據線dl1與第二數據線dl2是在線路基板10的縱向上排列成多個直列。在一些實施例中，第一數據線dl1與第二數據線dl2可分別重疊并跨越柵極驅動電路170，但不以此為限。在此需注意的是，圖1僅示意性地示出了五條數據線，但本揭露的數據線數量依設計需求而定，不以所示數量為限。舉例來說，數據線的數量可以為單條或多條，包括少于五條或多于五條。在一些實施例中，第一數據線dl1與第二數據線dl2例如是經由第二金屬層m2圖案化所形成。第二金屬層m2的材料可包括鉬(molybdenum，mo)、鈦(titanium,ti)、鉭(tantalum，ta)、鈮(niobium，nb)、鉿(hafnium，hf)、鎳(nickel，ni)、鉻(chromium，cr)、鈷(cobalt，co),、鋯(zirconium，zr)、鎢(tungsten，w)、鋁(aluminum，al)、銀(silver，ag)、金(aurum，au)或其他合適的金屬、或上述材料的合金或組合，但不以此為限。34.多條掃描線sl1、sl2設置于顯示區aa中，并沿著第二方向(即x軸)于顯示區aa中延伸。多條掃描線包括第一掃描線sl1與第二掃描線sl2。第一掃描線sl1與第二掃描線sl2在第一方向(即y軸)上平行地排列。從另一角度來說，第一掃描線sl1與第二掃描線sl2是在線路基板10的橫向上排列成多個橫行。在一些實施例中，第一掃描線sl1與第二掃描線sl2可交錯或橫跨第一數據線dl1與第二數據線dl2，但不以此為限。在此需注意的是，圖1僅示意性地示出了五條掃描線，但本揭露的掃描線數量依設計需求而定，不以所示數量為限。舉例來說，掃描線的數量可以為單條或多條，包括少于五條或多于五條。在一些實施例中，第一掃描線sl1與第二掃描線sl2例如是經由第一金屬層m1圖案化所形成。第一金屬層m1的材料可相似于第二金屬層m2的材料，故不再贅述。35.在一些實施例中，第一金屬層m1還可圖案化形成多條連接線cl1、cl2沿著第一方向延伸。具體來說，第一連接線cl1與第二連接線cl2電性連接柵極驅動電路170，并沿著第一方向(即y軸)自周邊區ba延伸進入顯示區aa。第一連接線cl1與第二連接線cl2在第二方向(即x軸)上平行地排列。在一些實施例中，連接線重疊數據線。舉例來說，第一數據線dl1重疊第一連接線cl1。第二數據線dl2重疊第二連接線cl2。在此需注意的是，圖1為了附圖清楚以及方便說明，而將第一連接線cl1與第一數據線dl1的線路圖示出為兩條不重疊的線路。然而，依據設計的需求，第一數據線dl1可以重疊第一連接線cl1。第二數據線dl2可以重疊第二連接線cl2。在另一些實施例中，第一數據線dl1也可以不重疊第一連接線cl1而橫向隔開(laterallyseparated)。在本揭露的實施例中，重疊可定義為一元件在基板100上的正投影重疊于另一元件在基板100上的正投影。在上述的設置下，相似于第一數據線dl1與第二數據線dl2，第一連接線cl1與第二連接線cl2可在線路基板10的縱向上排列成多個直列。在此需注意的是，圖1僅示意性地示出了五條連接線，但本揭露的連接線數量依設計需求而定，不以所示數量為限。舉例來說，連接線的數量可以為單條或多條，包括少于五條或多于五條。36.值得注意的是，在顯示區aa中，第一連接線cl1電性連接第一掃描線sl1，第二連接線cl2電性連接第二掃描線sl2。藉此，柵極驅動電路170可通過第一連接線cl1與第二連接線cl2，以分別電性連接至第一掃描線sl1與第二掃描線sl2。藉此，柵極驅動電路170可通過第一連接線cl1與第二連接線cl2以分別將所提供的掃描信號輸入至第一掃描線sl1與第二掃描線sl2。如此一來，掃描信號沿著第一掃描線sl1與第二掃描線sl2在第二方向(x軸)上傳遞。此外，數據驅動電路160可通過電性連接至第一數據線dl1與第二數據線dl2，以分別將所提供的數據信號輸入至第一數據線dl1與第二數據線dl2。如此一來，數據信號沿著第一數據線dl1與第二數據線dl2在第一方向(y軸)上傳遞。在上述的設置下，在位于顯示區aa第一側11的周邊區ba中的數據驅動電路160與柵極驅動電路170，可在基板100的相同側對顯示區aa中的像素電路或元件陣列的薄膜晶體管進行驅動，以使顯示區aa中連接至薄膜晶體管的發光元件300(如圖5所示)顯示圖像。由于驅動電路設置于顯示區aa外，因此線路基板10的顯示區aa的穿透率可被提升或可提供透明顯示技術。另外，由于驅動電路被集中于線路基板10的相同側，因此可以減少周邊區ba的設置而達成窄邊框、極窄邊框或無邊框的設計。此外，在多個線路基板10在拼接時，多個顯示區aa可鄰近地拼接而提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，線路基板10具有良好顯示質量或顯示效果。37.以下將進一步地以線路基板10的線路的局部放大示意圖來說明線路與薄膜晶體管的配置結構。38.圖2為本揭露一實施例的線路基板的局放大俯視示意圖。圖3為圖2的線路基板沿剖面線a-a’的剖面示意圖。圖4為圖2的線路基板沿剖面線b-b’的剖面示意圖。圖5為本揭露一實施例的線路基板的主動元件與發光元件的剖面示意圖。圖6為本揭露一實施例的線路基板的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖2至圖6省略示出了若干元件。請先參考圖2、圖3及圖4。圖2、圖3及圖4所示的約為圖1的區域b的局部放大結構。在一些實施例雜轟，多層絕緣層與薄膜晶體管tft設置于基板100上。詳細來說，薄膜晶體管ftf包括半導體層se、柵極g、源極s與漏極d。在一些實施例中，半導體層se設置于基板100上。在另一些實施例中，緩沖層可設置于半導體層se與基板100之間，但不以此為限。半導體層se的材料例如是低溫多晶硅(lowtemperaturepolysilicon，ltps)或非晶硅(amorphoussilicon)，但不以此為限。在其他的實施例中，半導體層se的材料包括非晶硅、多晶硅、單晶硅、鍺(ge)或其他合適的化合物半導體或其他合適的合金半導體。化合物半導體，可包括氮化鎵(gan)、碳化硅(sic)、砷化鎵(gaas)、磷化鎵(gap)、磷化銦(inp)、砷化銦(inas)和/或銻化銦(insb)。合金半導體可包括硅鍺(sige)合金、砷化鎵磷化物(gaasp)合金、鋁銦砷化物(alinas)合金、鋁砷化鎵(algaas)合金、鎵銦砷化物(gainas)合金、磷化鎵銦(gainp)合金、鎵銦砷磷化物(gainasp)合金或前述的組合。在另一些實施例中，半導體層se的材料還包括碲化鎘(cdte)或硫化鎘(cds)。半導體層se的材料亦可包含但不限于金屬氧化物，例如銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鋅氧化物(izo)、銦鎵鋅氧化物(igzto)、或包含多環芳香族化合物的有機半導體、或前述的組合。在一些實施例中，半導體層se可摻雜有p型或n型摻雜劑。39.如圖3、圖4及圖5所示，多層絕緣層110、120、130、140、150設置于半導體層se上。舉例來說，柵絕緣層110設置并覆蓋于半導體層se上。柵絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、絕緣層150可以為單層或多層結構，其材料包含有機材料、無機材料或前述的組合。所述有機材料可包含聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚砜(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚酰亞胺(polyimide，pi)、感光型聚酰亞胺(photosensitivepolyimide，pspi)或前述的組合，而所述無機材料可包含氮化硅(sinx)、氧化硅(sioy)、氮氧化硅或前述的組合，但不以此為限。40.柵極g設置于柵絕緣層110上。柵極g例如是經由第五金屬層圖案化所形成的圖案，但不以此為限。第五金屬層或柵極g的材料可與第一金屬層m1的材料相似，故于此不再贅述。41.絕緣層120設置于柵極g上，絕緣層130設置于絕緣層120上，絕緣層120與絕緣層130可被導電通孔v3貫穿(請參考圖5及圖6)，但不以此為限。在本揭露的實施例中，貫穿絕緣層120與絕緣層130的導電通孔v3即表示絕緣層120與絕緣層130具有導電通孔v3。于本文后續的段落中，其他的導電通孔的定義亦與上述導電通孔v3的定義相似并以此類推，故于后續段落中不再贅述。42.源極s與漏極d設置于絕緣層130上。源極s與漏極d例如是經由第四金屬層圖案化所形成的圖案，但不以此為限。如圖5所示，源極s與漏極d可分別包括接墊部136s/136d與連接接墊部136s/136d的通孔部(示出于圖5中，通孔部138s/138d)。接墊部136s/136d形成于絕緣層120的表面上。通孔部138s/138d的部分可貫穿柵絕緣層110與絕緣層120以電性連接至半導體層se，但不以此為限。第四金屬層或源極s與漏極d的材料可與第一金屬層m1的材料相似，故于此不再贅述。43.如圖2、圖3、圖4及圖5所示，線路基板10還包括第三金屬層m3設置于基板100上。具體來說，第三金屬層m3包括沿著第二方向延伸的橋接線bl設置于絕緣層130上。橋接線bl包括接墊部146與連接接墊部146的通孔部148。上述接墊部146形成于絕緣層130的表面上。如圖2、圖3與圖5所示，橋接線bl的通孔部148例如包括貫穿絕緣層120與絕緣層130的導電通孔v3。通孔部148的部分(即：導電通孔v3)貫穿絕緣層120與絕緣層130以電性連接至第五金屬層的柵極g。在一些實施例中，導電通孔v3可由橋接線bl的通孔部148與第四金屬層圖案化的導電通孔v3’構成，以使橋接線bl通過第四金屬層連接至柵極g，但不以此為限。如圖2、圖4及圖5所示，橋接線bl可通過貫穿絕緣層130的導電通孔v5(即：通孔部148)以電性連接至薄膜晶體管tft的源極s。如圖5所示，橋接線bl可通過貫穿絕緣層130的導電通孔v5’(即：通孔部148)以電性連接至薄膜晶體管tft的漏極d。第三金屬層m3或橋接線bl的材料可與第一金屬層m1的材料相似，故于此不再贅述。在上述的設置下，第三金屬層m3的橋接線bl可用于將來自掃描線或數據線的掃描信號或數據信號輸入至薄膜晶體管tft，藉以驅動薄膜晶體管tft。如此一來，薄膜晶體管tft、掃描線與數據線的布線設計可以更有裕度。44.絕緣層140設置于絕緣層130上并覆蓋第三金屬層m3或橋接線bl。絕緣層140具有多個貫穿絕緣層140的導電通孔。45.第二金屬層m2設置于基板100上。具體來說，第二金屬層m2包括沿著第一方向(即y軸)延伸的第一數據線dl1與沿著第二方向(即x軸)延伸的輔助掃描線al設置于絕緣層140上。如圖2、圖4及圖5所示，第一數據線dl1可通過貫穿絕緣層140的導電通孔v4以電性連接橋接線bl。藉此，第一數據線dl1可通過橋接線bl電性連接至薄膜晶體管tft，以輸入數據信號。如圖2、圖3及圖5所示，輔助掃描線al可包括兩個分離的線段，而分別設置于第一數據線dl1的相對兩側。輔助掃描線al橫向地與第一數據線dl隔離。輔助掃描線al可通過貫穿絕緣層140的導電通孔v2以電性連接橋接線bl。藉此，橋接線bl電性連接輔助掃描線al的兩個分離的線段，以使兩個分離的線段可通過橋接線bl以橫跨第一數據線dl1。在本揭露的實施例中，橫跨可定義為在基板100法線方向(即z軸)上位于不同水平高度的兩個元件彼此交錯。舉例來說，橋接線bl位于第一數據線dl1下，且橋接線bl由第一數據線dl1的一側延伸至另一側。如此一來，輔助掃描線al的兩個分離的線段可彼此電性連接。另外，輔助掃描線al與掃描線可通過橋接線bl電性連接至薄膜晶體管tft的柵極g，以輸入掃描信號。在一些實施例中，連接兩層金屬層之間的導電通孔可以為一個或多個密集設置的導電通孔，但不以此為限。多個密集設置的導電通孔可以增加導電通孔的體積，以提升電路的可靠性及電性質量。第二金屬層m2的材料可與第一金屬層m1的材料相似，故于此不再贅述。46.請參考圖5，在一些實施例中，第二金屬層m2還可包括線路142與導電通孔144。線路142與連接線路142的導電通孔144可以屬于設置于絕緣層140的線路層。線路142設置于絕緣層140的表面上以應用為接墊部，而導電通孔144貫穿絕緣層140以將線路142電性連接至橋接線bl的接墊部。47.絕緣層150設置于絕緣層140上并覆蓋第二金屬層m2的第一數據線dl1、輔助掃描線al、或線路152。絕緣層150具有多個貫穿絕緣層150的導電通孔。48.第一金屬層m1設置于基板100上。具體來說，第一金屬層m1包括沿著第一方向(即y軸)延伸的第一連接線cl1與沿著第二方向(即x軸)延伸的第二掃描線sl2設置于絕緣層150上。也就是說，第二金屬層m2設置于第一金屬層m1與第三金屬層m3之間。圖2、圖3及圖4所示局部放大線路及其剖面例如為圖1的區域b中的線路。區域b所示的是第一連接線cl1交錯于第二掃描線sl2的走線結構。于第三方向(z軸)上，第一連接線cl1重疊第一數據線dl1。于第三方向(z軸)上，第二掃描線sl2重疊輔助掃描線al。第二掃描線sl2包括兩個分離的線段，分別位于第一連接線cl1的相對兩側。第二掃描線sl2橫向地與第一連接線cl1隔離。第二掃描線sl2可通過貫穿絕緣層150的導電通孔v1以電性連接輔助掃描線al。藉此，第二掃描線sl2可通過輔助掃描線al與橋接線bl電性連接至薄膜晶體管tft，以輸入數據信號。此外，于第三方向(z軸)上，橋接線bl重疊第二掃描線sl2、第一連接線cl1、第一數據線dl1與輔助掃描線al。在上述的設置下，橋接線bl橫跨第一連接線cl1或第一數據線dl1。橋接線bl通過導電通孔v1、輔助掃描線al與導電通孔v2電性連接第二掃描線sl2的兩個分離的線段，以使兩個分離的線段可通過橋接線bl以橫跨第一數據線dl1與第一連接線cl1。49.請參考圖2與圖3，在一些實施例中，第二掃描線sl2與輔助掃描線al的外邊緣可以切齊。換句話說，第二掃描線sl2與輔助掃描線al可以完全地重疊，但不以此為限。在一些實施例中，第二掃描線sl2與輔助掃描線al可以部分重疊。在上述的設置下，輔助掃描線al可以對應于掃描線的延伸方向延伸。輔助掃描線al電性連接所對應的掃描線可用于提升掃描線的導電體積或降低電阻，藉此可以降低電路的阻抗與電抗負載(rcloading)、提升線路基板10的電性質量。50.請參考圖2、圖3及圖5，導電通孔v1可以重疊導電通孔v2。導電通孔v2可以重疊導電通孔v3。掃描線sl(例如第一掃描線sl1或第二掃描線sl2)可通過導電通孔v1、導電通孔v2與導電通孔v3的堆疊以電性連接至薄膜晶體管tft的柵極g。51.請參考圖5，第一金屬層m1還可包括線路152與導電通孔154。線路152與連接線路152的導電通孔154可以屬于設置于絕緣層150的線路層。線路152設置于絕緣層150的表面上以應用為接墊部，而導電通孔154貫穿絕緣層150以將線路152電性連接至線路142。52.線路152例如應用為線路基板10最上層的接墊。舉例來說，發光元件300設置于線路152上。發光元件300例如是發光二極管晶片，包括電極320、電極340及晶體310。晶體310例如包括第一型半導體層(例如n型摻雜的半導體層)、第二型半導體層(例如p型摻雜的半導體層)以及位于第一型半導體層與第二型半導體層之間的發光層。換句話說，晶體310可以是pn發光二極管，但不以此為限。電極320電性連接線路152以通過橋接線bl連接至薄膜晶體管tft的漏極d。電極340電性連接至線路152’以連接至一電源或一接地電壓準位。在上述的設置下，電極320例如為發光元件300的正極而電極340例如為負極。在一些實施例中，發光元件300例如是倒裝式led(flipchipled)，但不以此為限。在其他實施例中，發光元件300包括垂直式led或正裝式led，或其他合適類型的led封裝。藉此，發光元件300可通過薄膜晶體管tft的開關以受柵極驅動電路170的掃描信號驅動，進而顯示圖像。53.在一些實施例中，可在設置發光元件300后，形成保護層190。保護層190設置于絕緣層150上并包覆線路152、電極320、電極340以及晶體310側壁的部分，但不以此為限。系一些實施例中，保護層190也可以覆蓋晶體310而將發光元件300的整體包封于保護層190中。保護層190可具有光學功能或保護功能，但不以此為限。保護層180的材料包括光學膠、模塑材料、環氧樹脂或其他透明的材質，但不以此為限。保護層180可保護發光元件300并減少外界水氣或氧氣對發光元件300的損害。54.請參考圖6，圖6所示出的剖面例如是圖1的區域a的局部放大結構。圖6的區域a與圖3的區域b的差異在于，第一連接線cl1連接第一掃描線sl1。具體來說，在第三方向(z軸)上，第一連接線cl1重疊第一數據線dl1。第一掃描線sl1與第一連接線cl1例如是一體成形地接合，使第一連接線cl1電性連接第一掃描線sl1。藉此，請參考圖1及圖6，沿著第一方向延伸的第一連接線cl1可將掃描信號輸入至第一掃描線sl1后，再使掃描信號沿著第二方向延伸的第一掃描線sl1傳遞。55.如圖6所示，第一掃描線sl1可通過貫穿絕緣層150的導電通孔v6電性連接至輔助掃描線al。輔助掃描線al包括兩個分離的線段分別設置在第一數據線dl1的相對兩側。在第三方向(z軸)上，輔助掃描線al的至少部分重疊第一掃描線sl1。輔助掃描線al可通過貫穿絕緣層140的導電通孔v7電性連接至橋接線bl。輔助掃描線al與第一數據線dl1橫向隔離。在一些實施例中，輔助掃描線al通過絕緣層150的隔離以電性絕緣于第一數據線dl1。橋接線bl的連接部146電性連接輔助掃描線al的兩個分離的線段，以使輔助掃描線al可以橫跨第一數據線dl1。橋接線bl可通過貫穿絕緣層120與絕緣層130的導電通孔v8(即：橋接線bl的通孔部148)電性連接至薄膜晶體管tft的柵極g。在上述的設置下，第一掃描線sl1可通過橋接線bl與導電通孔v6、v7、v8的堆疊電性連接薄膜晶體管tft。藉此，掃描信號可以自第一連接線cl1輸入第一掃描線sl1。再通過導電通孔v6、v7、v8與橋接線bl輸入薄膜晶體管tft。56.值得注意的是，本揭露一實施例的線路基板10的柵極驅動電路170與數據驅動線路160可設置在基板100的相同側(例如靠近顯示區aa的第一側11)。柵極驅動電路170可通過在第一方向上延伸的第一連接線cl1連接至在第二方向上延伸的第一掃描線sl1，并通過在第一方向上延伸的第二連接線cl2連接至在第二方向上延伸的第二掃描線sl2。數據驅動線路160可連接至在第一方向上延伸的第一數據線dl1與第二數據線dl2。第一掃描線sl1與第二掃描線sl2可分別通過第一連接線cl1與第二連接線cl2接收并傳遞掃描信號。第一數據線dl1與第二數據線dl2可傳遞數據信號。如此一來，掃描信號與數據信號可在掃描線與數據線所構成的像素線路中對薄膜晶體管tft進行驅動。像素線路與薄膜晶體管tft所構成的元件陣列可基于掃描信號與數據信號對所連接的發光元件300進行驅動，以使顯示區aa中的發光元件300顯示圖像。由于數據驅動電路160與柵極驅動電路170設置于顯示區aa外，因此線路基板10的顯示區aa的穿透率可被提升或可提供透明顯示技術。另外，由于數據驅動電路160與柵極驅動電路170被集中于線路基板10的相同側，因此可以減少周邊區ba的設置而達成窄邊框、極窄邊框或無邊框的設計。此外，在多個線路基板10在拼接時，多個顯示區aa可鄰近地拼接而提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，線路基板10具有良好顯示質量或顯示效果。57.在一些實施例中，薄膜晶體管tft的半導體層se、柵極g以及源極s或漏極d可重疊第一掃描線sl1、第二掃描線sl2、第一數據線dl1或橋接線bl設置。如此一來，薄膜晶體管tft可被整合至像素線路，以降低另外設置遮光層的需求。藉此，線路基板10的顯示區aa的穿透率可被增加。線路基板10可具有良好的顯示質量或顯示效果。58.以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。59.圖7為本揭露另一實施例的線路基板的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖7省略示出了若干元件。本實施例的線路基板10a大致相似于圖6的線路基板10，因此兩實施例中相同與相似的構件于此不再重述。本實施例不同于線路基板10之處主要在于，第二金屬層m2包括輔助掃描圖案al’。輔助掃描圖案al’為第二金屬層m2經由圖案化所形成的圖案，其部分的圖案重疊第一掃描線sl1，而不與第一掃描線sl1一樣在第二方向(x軸)上延伸。輔助掃描圖案al’設置于第一掃描線sl1與橋接線bl之間，以用于不同水平高度上的線路的轉接，使掃描線與橋接線bl的布線設計有裕度。換句話說，輔助掃描圖案al’是靠近導電通孔v6與導電通孔v7設置的圖案，而不是沿著第一掃描線sl1的延伸方向重疊設置。在上述的設置下，線路基板10a可獲致與上述實施例相似的優良技術效果。60.圖8為本揭露一實施例的拼接電子裝置的俯視示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖8省略示出了若干元件。拼接電子裝置1例如是應用拼接技術的大型拼接顯示裝置。拼接電子裝置可以包括拼接式面板、戶外大型顯示器或任合包括圖像顯示功能的裝置，但不以此為限。拼接電子裝置1包括多個線路基板。每一個所述線路基板包括顯示區aa以及位于顯示區其中一側的周邊區ba。顯示區aa中設置有像素電路或元件陣列，以及多個發光元件(例如發光元件300)以用于顯示圖像。周邊區ba中設置有數據驅動電路160’、160”與柵極驅動電路170’、170”，以分別提供數據信號與掃描信號輸入元件陣列中的薄膜晶體管，藉此驅動發光元件以在顯示區aa中顯示圖像。61.詳細來說，拼接電子裝置1的多個線路基板至少包括線路基板10’與線路基板10”。線路基板10’與線路基板10”彼此拼接以構成一對拼接的線路基板。線路基板10’的數據驅動電路160’與柵極驅動電路170’設置于周邊區ba中。線路基板10”的數據驅動電路160”與柵極驅動電路170”設置于周邊區ba中。線路基板10’的顯示區aa鄰接線路基板10”的顯示區aa，因此線路基板10’與線路基板10”是在顯示區aa相對周邊區ba的一側進行拼接。在上述的設置下，線路基板10’的顯示區aa與線路基板10”的顯示區aa位于線路基板10’的周邊區ba與線路基板10”的周邊區ba之間。62.相似于上述的一對拼接的線路基板10’與線路基板10”，可以在第二方向(x軸)上拼接多對的拼接線路基板。以圖8為例，可以在第二方向上設置共三對的線路基板而在第一方向(y軸)上拼接兩個線路基板，而在第二方向上拼接三個線路基板。藉此，形成2x3個線路基板所拼接成的拼接電子裝置1。在另一實施例中，也可以在第二方向上拼接兩個線路基板，而在第一方向上拼接三個線路基板。藉此，形成3x2個線路基板所拼接成的拼接電子裝置。63.在上述的設置下，拼接電子裝置1例如是以2乘以n個數量的方式設置拼接出多個成對的線路基板。因此，多個線路基板的數量為2乘以n個，且n為正整數。以圖8舉例來說，n可以是3，如此一來可以得到2x3的總數共6個線路基板的排列方式。在其他實施例中，n可以是1、2、3、4、5或更大的正整數。如此一來，可以拼接出十數個、數十個或數百個的線路基板所構成的拼接電子裝置。基于上述，多個線路基板10’、10”在拼接時，多個顯示區aa可鄰近地拼接而可提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，多個線路基板10’、10”拼接構成的拼接電子裝置1具有良好顯示質量或顯示效果。64.綜上所述，在本揭露一實施例的線路基板及多個線路基板拼接構成的拼接電子裝置中，由于線路基板的柵極驅動電路與數據驅動電路可設置于基板的相同側。此外，柵極驅動電路可通過第一連接線與第二連接線以分別將所提供的掃描信號輸入至第一掃描線與第二掃描線。數據驅動電路可將所提供的數據信號輸入至第一數據線與第二數據線。如此一來，提供掃描信號的柵極驅動電路與提供數據信號的數據驅動電路可集中設置于基板的相同側的周邊區中。因此，線路基板的顯示區的穿透率可被提升或可提供透明顯示技術。另外，由于驅動電路被集中于線路基板的相同側，因此多個線路基板在拼接時，多個顯示區可鄰近地拼接而提供窄邊框、極窄邊框或無邊框拼接的大型顯示拼接技術。藉此，線路基板及多個線路基板拼接構成的拼接電子裝置具有良好顯示質量或顯示效果。65.最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的范圍。當前第1頁12當前第1頁12
技術特征：
1.一種線路基板，其特征在于，包括：基板；第一金屬層，設置于所述基板上，所述第一金屬層包括沿著第一方向延伸的第一連接線與第二連接線，以及沿著第二方向延伸的第一掃描線與第二掃描線，所述第一連接線電性連接所述第一掃描線，所述第二連接線電性連接所述第二掃描線，其中所述第二掃描線包括兩個分離的線段，分別位于所述第一連接線的相對兩側；第二金屬層，設置于所述基板上，所述第二金屬層包括沿著所述第一方向延伸的第一數據線，所述第一數據線重疊所述第一連接線；以及第三金屬層，設置于所述基板上，所述第三金屬層包括沿著所述第二方向延伸的橋接線，所述橋接線電性連接所述第二掃描線的兩個所述分離的線段；其中，所述第二金屬層設置于所述第一金屬層與所述第三金屬層之間。2.根據權利要求1所述的線路基板，其特征在于，還包括柵極驅動電路，所述柵極驅動電路通過所述第一連接線與所述第二連接線以分別電性連接至所述第一掃描線與所述第二掃描線。3.根據權利要求2所述的線路基板，其特征在于，所述柵極驅動電路通過所述第一連接線與所述第二連接線分別將掃描信號輸入至所述第一掃描線與所述第二掃描線。4.根據權利要求2所述的線路基板，其特征在于，還包括數據驅動電路，所述數據驅動電路電性連接至所述第一數據線，以將數據信號輸入至所述第一數據線。5.根據權利要求4所述的線路基板，其特征在于，所述柵極驅動電路與所述數據驅動電路設置于所述基板的相同側。6.根據權利要求1所述的線路基板，其特征在于，所述第二金屬層還包括沿著所述第二方向延伸的輔助掃描線，所述第一掃描線通過導電通孔電性連接所述輔助掃描線。7.根據權利要求6所述的線路基板，其特征在于，所述輔助掃描線重疊所述第一掃描線，且所述輔助掃描線電性絕緣于所述第一數據線。8.根據權利要求1所述的線路基板，其特征在于，所述橋接線重疊所述第二掃描線與所述第一連接線，且所述橋接線橫跨所述第一連接線或所述第一數據線。9.一種拼接電子裝置，其特征在于，包括：多個如權利要求1所述的線路基板，所述多個線路基板彼此拼接，其中，所述多個線路基板的數量為2乘以n個，且n為正整數。10.根據權利要求9所述的拼接電子裝置，其特征在于，每一個所述多個線路基板具有周邊區與顯示區，且多個所述顯示區位于多個所述周邊區之間，其中，每一個所述多個線路基板包括柵極驅動電路與數據驅動電路設置于所述周邊區中。
技術總結
本揭露的實施例提供一種線路基板與多個線路基板拼接成的拼接電子裝置。線路基板包括基板、第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層。第一金屬層設置于基板上，包括沿著第一方向延伸的第一連接線與第二連接線，以及沿著第二方向延伸的第一掃描線與第二掃描線。第一連接線電性連接第一掃描線。第二連接線電性連接第二掃描線。第二掃描線包括兩個分離的線段，分別位于第一連接線的相對兩側。第二金屬層設置于基板上，包括沿著第一方向延伸的第一數據線。第一數據線重疊第一連接線。第三金屬層設置于基板上，包括沿著第二方向延伸的橋接線。橋接線電性連接第二掃描線的兩個分離的線段。第二金屬層設置于第一金屬層與第三金屬層之間。金屬層設置于第一金屬層與第三金屬層之間。金屬層設置于第一金屬層與第三金屬層之間。
