識別模組及顯示模組的制作方法
1.本技術屬于顯示技術領域，具體涉及一種識別模組及顯示模組。
背景技術：
2.隨著移動支付的廣泛應用，對移動設備的安全性提出了更高的要求，指紋識別、面部識別等技術相繼出現。其中，指紋識別由于其高安全和易普及性，得到各界的一致認同和廣泛采用。
3.當手指接觸指紋識別模組時就會實時的進行指紋采集識別工作，但是很多情況下由于接觸的區域過小，采集到的指紋紋理過少，在進行比對時就會出現不成功，指紋識別失敗的情況，降低了指紋識別的精確度，增加誤判的可能。
技術實現要素：
4.本技術提供一種識別模組及顯示模組，以實現三維按壓信息采集，提高指紋和/或觸控識別的精確度；且實現三維按壓信息采集的感應層中通過電極復用的方式使得識別模組厚度較低，集成度較高。
5.為解決上述技術問題，本技術采用的一個技術方案是：提供一種識別模組，包括：襯底；感應層，位于所述襯底一側，包括壓力傳感結構和電容識別結構，所述壓力傳感結構中的至少一個電極復用為所述電容識別結構中的電極。
6.為解決上述技術問題，本技術采用的另一個技術方案是：提供一種顯示模組，包括：發光層、封裝層及上述任一實施例中所提及的識別模組，所述識別模組貼設在所述封裝層背離所述發光層的一側。
7.為解決上述技術問題，本技術采用的另一個技術方案是：提供一種顯示模組，包括：發光層；感應層，包括壓力傳感結構和電容識別結構，所述壓力傳感結構中的至少一個電極復用為所述電容識別結構中的電極。
8.區別于現有技術情況，本技術的有益效果是：本技術所提供的識別模組包括感應層，感應層內集成有壓力傳感結構和電容識別結構；后續處理器可以基于電容識別結構獲得xy平面上的二維按壓信息、以及基于壓力傳感結構獲得z方向上的垂直按壓信息，并進一步基于二維按壓信息和垂直按壓信息獲得三維按壓信息，以增強識別(指紋和/或觸控)的精確度。此外，識別模組中壓力傳感結構中的至少一個電極復用為電容識別結構中的電極，該設計方式可以使得識別模組厚度較低，集成度較高，且可降低成本。
附圖說明
9.為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中：
10.圖1為本技術識別模組一實施方式的結構示意圖；
11.圖2為圖1中第一電極層、第二電極層和第三電極層一實施方式的俯視示意圖；
12.圖3為本技術識別模組另一實施方式的結構示意圖；
13.圖4為電容識別結構一實施方式的俯視示意圖；
14.圖5為本技術識別模組另一實施方式的結構示意圖；
15.圖6為圖5中識別模組一實施方式的俯視示意圖；
16.圖7為本技術顯示模組一實施方式的結構示意圖；
17.圖8為本技術顯示模組另一實施方式的結構示意圖。
具體實施方式
18.下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本技術的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本技術保護的范圍。
19.請參閱圖1，圖1為本技術識別模組一實施方式的結構示意圖。該識別模組可以單獨流轉售賣，其包括襯底10和位于襯底10一側的感應層12。
20.具體地，襯底10可以為剛性襯底或柔性襯底，其材質可以為玻璃或聚酰亞胺等，襯底10主要起到支撐的作用，后續感應層12可以在襯底10上制備形成。感應層12包括壓力傳感結構120和電容識別結構122，壓力傳感結構120中的至少一個電極復用為電容識別結構122中的電極。后續處理器可以基于電容識別結構122獲得xy平面上的二維按壓信息、以及基于壓力傳感結構120獲得z方向上的垂直按壓信息，并進一步基于二維按壓信息和垂直按壓信息獲得三維按壓信息，以增強識別(指紋或觸控)的精確度。此外，識別模組中壓力傳感結構120中的至少一個電極復用為電容識別結構122中的電極，該設計方式可以使得識別模組厚度較低，集成度較高，且可降低成本。
21.在一個實施方式中，如圖1所示，感應層12包括依次層疊且間隔設置的第一電極層124、第二電極層126和第三電極層128，且第三電極層128位于第二電極層126與襯底10之間；其中，第一電極層124和第三電極層128中的一個為壓力傳感結構120中的電極層，第一電極層124和第三電極層128中的另一個為電容識別結構122中的電極層，第二電極層126中的至少部分電極復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極。一般而言，壓力傳感結構120包含相對設置的兩個電極層，電容識別結構122包含相對設置的兩個電極層，上述設計方式中壓力傳感結構120和電容識別結構122中的其中一個電極層中的至少部分電極相互復用，以降低識別模組的厚度，降低成本?？蛇x地，如圖2所示，圖2為圖1中第一電極層、第二電極層和第三電極層一實施方式的俯視示意圖。第一電極層124中包含并排設置的多個第一電極1240，第二電極層126中包含并排設置的多個第二電極1260，第三電極層128中包含并排設置的多個第三電極1280；其中，多個第一電極1240沿第一方向x間隔排布、多個第三電極1280沿第一方向x間隔排布，多個第二電極1260沿與第一方向x交叉的第二方向y間隔排布。在該設計方式中，上述第一電極層124、第二電極層126和第三電極層128的結構設計較為簡單，工藝易于實現；且可以看到，第一電極層124中多個第一電極1240的間隔排布方向與第三電極層128中多個第三電極1280的間隔排布方向相同，以進一步降低工藝制
備難度。
22.可選地，第一方向x和第二方向y垂直。該設計方式可以使得感應層12中的電極排布較為規整，以降低工藝制備難度。此外，如圖2中所示，第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280均為直線型?？梢灾獣缘氖?，在其他實施例中，第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280的形狀也可為其他，本技術對此不作限定。
23.另一可選地，如圖2中所示，第三電極1280在襯底10上的正投影與第一電極1240在襯底10上的正投影重合，該設計方式可以使得第一電極1240和第三電極1280能夠通過相同控制參數的金屬蝕刻工藝制備形成，以降低工藝制備難度。當然，在其他實施例中，也可根據實際布線位置等情況，調整第三電極1280與第一電極1240在襯底10上的投影關系，本技術對此不作限定。
24.可選地，在本實施例中，如圖2所示，第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280均為直條形。當然，在其他實施例中，第一電極層124、第二電極層126和第三電極層128也可均設置為金屬網格層。即第一電極層124中的多個第一電極1240均由既定規格的金屬網格線構成；第二電極層126中的多個第二電極1260均由既定規格的金屬網格線構成；第三電極層128中的多個第三電極1280均由既定規格的金屬網格線構成。該設計方式可以使得第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280的柔韌性較好，降低第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280斷裂的概率。
25.進一步，上述第二電極層126中的每個電極(即第二電極1260)復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極。該設計方式可以進一步降低成本。
26.在一個應用場景中，如圖1中所示，第二電極層126為驅動電極層tx，第一電極層124為電容識別結構122中的感應電極層rx，第三電極層128為壓力傳感結構120中的感應電極層rx。一方面，電容識別結構122和壓力傳感結構120中驅動電極層tx共用的設計方式可以使得后續處理器能夠同時接收兩個感應電極層rx的電信號并對其進行處理，以提高識別過程的響應速度。另一方面，上述共用的驅動電極層tx層疊設置于兩個感應電極層rx之間的設計方式可以使得驅動電極層tx與兩個感應電極層rx之間的距離都比較小，進而使得壓力傳感結構120和電容識別結構122的電容均較大，壓力傳感結構120和電容識別結構122的靈敏度較高；且在該設計方式中，兩個感應電極層rx之間的距離較遠，以使得兩個感應電極層rx之間形成的耦合電容較小，以降低該耦合電容對壓力傳感結構120和電容識別結構122精度的影響。再一方面，上述設計方式可以使得在使用過程中電容識別結構122相對于壓力傳感結構120與觸摸件的距離更近，進而使得電容識別結構122能夠更為精確的獲得xy平面上的二維按壓信息，以提高指紋識別精確度。當然，在其他實施例中，若對精度要求沒有那么高，也可將第一電極層124作為壓力傳感結構120中的感應電極層rx，第三電極層128作為電容識別結構122中的感應電極層rx。
27.進一步，請繼續參閱圖1，第二電極層126和第三電極層128中設置有壓敏材料層121，此時第二電極層126、第三電極層128和壓敏材料層121構成完整的壓力傳感結構120。同樣地，第一電極層124和第二電極層126之間設置有絕緣層123，此時第一電極層124、第二電極層126和絕緣層123構成完整的電容識別結構122；且當第二電極層126包括間隔設置的多個第二電極1260時，絕緣層123進一步填充相鄰第二電極1260之間的空隙。
28.在另一個實施方式中，請參閱圖3，圖3為本技術識別模組另一實施方式的結構示
意圖。該感應層12包括層疊且間隔設置的第一電極層124和第二電極層126，且第二電極層126位于第一電極層124和襯底10之間；其中，第一電極層124中的至少部分電極復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極，第二電極層126中的至少部分電極復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極。一般而言，壓力傳感結構120包含相對設置的兩個電極層，電容識別結構122包含相對設置的兩個電極層，上述設計方式中壓力傳感結構120和電容識別結構122中的兩個電極層中的至少部分電極相互復用，以更好的降低識別模組的厚度，降低成本。
29.可選地，第一電極層124和第二電極層126中電極的結構設計方式可與圖2中相同，在此不再贅述?；蛘?，第一電極層124和第二電極層126也可均設置為金屬網格層。即第一電極層124中的多個第一電極1240均由既定規格的金屬網格線構成；第二電極層126中的多個第二電極1260均由既定規格的金屬網格線構成。該設計方式可以使得第一電極1240、第二電極1260的柔韌性較好，降低第一電極1240、第二電極1260和第三電極1280斷裂的概率。
30.且較佳地，第一電極層124中的每個電極復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極，第二電極層126中的每個電極復用為壓力傳感結構120和電容識別結構122中的電極。該設計方式可以進一步降低成本。
31.進一步，請繼續參閱圖3，第一電極層124和第二電極層126之間設置有壓敏材料層121，且當第二電極層126包括間隔設置的多個第二電極1260時，壓敏材料層121還可進一步填充相鄰第二電極1260之間的間隙。
32.此外，在其他實施例中，請參閱圖3，當感應層12包括層疊且間隔設置的第一電極層124和第二電極層126時，電容識別結構122和壓力傳感結構120的設計方式也可為其他。例如，如圖4所示，圖4為電容識別結構一實施方式的俯視示意圖。電容識別結構122包含多個電容感應電極1224、多個電容驅動電極1226和多個橋接電極(未標示)；且多個電容感應電極1224和多個電容驅動電極1226相互交叉并同層設置，電容感應電極1224和電容驅動電極1226中的一個在交叉處p1斷開，橋接電極跨接設置于交叉處p1一側，并與在交叉處p1斷開的電極電連接。例如，圖4中電容驅動電極1226在交叉處p1斷開，橋接電極可以與交叉處p1兩側的電容驅動電極1226電連接。當然，在其他實施例中，也可是電容感應電極1224在交叉處p1斷開，本技術對此不作限定。
33.其中，多個電容感應電極1224和多個電容驅動電極1226位于第一電極層124，橋接電極位于第二電極層126；且電容感應電極1224復用為壓力傳感結構120的壓力感應電極，第二電極層126還包括壓力傳感結構120的壓力驅動電極；或者，電容驅動電極1226復用為壓力傳感結構120的壓力驅動電極，第二電極層126還包括壓力傳感結構120的壓力感應電極。需要說明的是，在本實施例中，第二電極層126可以位于第一電極層124和襯底10之間，或者，第一電極層124位于第二電極層126和襯底10之間，本技術對此不作限定。
34.此外，請參閱圖5和圖6，圖5為本技術識別模組另一實施方式的結構示意圖，圖6為圖5中識別模組一實施方式的俯視示意圖。電容識別結構122包括觸控電容識別結構1220和指紋電容識別結構1222，且設置有觸控電容識別結構1220的區域形成觸控區aa，設置有指紋電容識別結構1222的區域形成指紋區cc，且觸控區aa圍設在指紋區cc的外圍。一般而言，指紋電容識別結構1222的精度要求大于觸控電容識別結構1220的精度要求。例如，觸控電容識別結構1220中相鄰電極之間的間距可以大于指紋電容識別結構1222中相鄰電極之間
的間距。在某些情況下，指紋電容識別結構1222也可集成觸控功能，但指紋電容識別結構1222的指紋識別或觸控識別功能非同時存在。
35.進一步，壓力傳感結構120位于觸控區aa和指紋區cc。該設計方式可以使得識別模組能夠實現三維觸控識別和三維指紋識別，以保證觸控識別和指紋識別的精度。當然，在某些情況下，也可根據實際需求，僅在觸控區aa或指紋區cc設置壓力傳感結構120。當識別模組的結構如圖1中所示時，可以通過控制壓力傳感結構120中壓敏材料層121和/或第三電極層128覆蓋的范圍，以控制壓力傳感結構120在觸控區aa還是在指紋區cc。當識別模組的結構如圖3或圖5中所示時，可以通過控制壓敏材料層121覆蓋的范圍，以控制壓力傳感結構120在觸控區aa還是在指紋區cc。
36.此外，請再次參閱圖1，為了降低流轉過程中識別模組被損傷的概率，感應層12背離襯底10一側還可設置有保護層14。需要說明的是，在本實施例中，當上述識別模組應用至顯示模組上時，上述識別模組中的保護層14可以保留或被去除；當襯底10和保護層14保留時，該襯底10和保護層14需透明，以降低對顯示模組發光的影響。
37.請參閱圖7，圖7為本技術顯示模組一實施方式的結構示意圖。該顯示模組可以為oled顯示模組等，其包括發光層20、封裝層22以及上述任一實施例中所提及的識別模組(未標示)，且該識別模組貼設在封裝層22背離發光層20一側。
38.可以知曉的是，如圖7所示，上述識別模組中的襯底10位于感應層12與發光層20之間，該襯底10透明，以降低對發光層20正常出光的影響。即此時可以先形成識別模組，然后通過粘性層等將識別模組貼附于發光層20的發光面一側，以降低工藝制備難度。
39.進一步，請繼續參閱圖7，該顯示模組還可以包括其他結構；例如，陣列基板24，位于發光層20背離襯底10一側；蓋板26，位于感應層12背離襯底10一側。
40.請參閱圖8，圖8為本技術顯示模組另一實施方式的結構示意圖。該顯示模組包括發光層20和感應層12；該感應層12的結構與上述任一實施例中所提及的感應層的結構相同，在此不再贅述。此時，該感應層12可以在發光層20上直接制備形成，以降低顯示模組的厚度。
41.請繼續參閱圖8，該顯示模組中發光層20包括發光材料層202以及位于發光材料層202一側且呈圖形化設置的發光電極層200；其中，發光電極層200中的至少部分電極復用為感應層12中壓力傳感結構和/或電容識別結構的電極。可選地，發光電極層200包括間隔設置的多個發光電極，發光電極層200中的每個發光電極可以復用為感應層12中壓力傳感結構和/或電容識別結構的電極。該方式可以進一步降低顯示模組的厚度，可以減少一層電極層的制備，降低工藝成本。
42.在一個應用場景中，發光層20包括層疊設置的陽極層、發光材料層202和陰極層，上述共用的發光電極層200可以為陰極層。
43.此外，請再次參閱圖8，感應層12包括壓敏材料層121，壓敏材料層121復用為封裝層22。該設計方式可以進一步降低顯示模組的厚度。
44.另外，本技術所提供的顯示模組還可包括處理器，例如，芯片等；處理器與感應層12電連接，用于基于電容識別結構122獲得與感應層12至發光層20的層疊方向相互垂直的平面上的二維按壓信息、以及基于壓力傳感結構120獲得層疊方向上的垂直按壓信息；基于二維按壓信息和垂直按壓信息獲得三維按壓信息，并基于三維按壓信息執行相應的操作。
45.以上所述僅為本技術的實施例，并非因此限制本技術的專利范圍，凡是利用本技術說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本技術的專利保護范圍內。
技術特征：
1.一種識別模組，其特征在于，包括：襯底；感應層，位于所述襯底一側，包括壓力傳感結構和電容識別結構，所述壓力傳感結構中的至少一個電極復用為所述電容識別結構中的電極。2.根據權利要求1所述的識別模組，其特征在于，所述感應層包括：依次層疊且間隔設置的第一電極層、第二電極層和第三電極層，且所述第三電極層位于所述第二電極層與所述襯底之間；其中，所述第一電極層和所述第三電極層中的一個為所述壓力傳感結構中的電極層，所述第一電極層和所述第三電極層中的另一個為所述電容識別結構中的電極層，所述第二電極層中的至少部分電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極；優選地，所述第二電極層中的每個電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極；優選地，所述第一電極層、所述第二電極層和所述第三電極層均設置為金屬網格層。3.根據權利要求2所述的識別模組，其特征在于，所述第二電極層為驅動電極層，所述第一電極層為所述電容識別結構中的感應電極層，所述第三電極層為所述壓力傳感結構中的感應電極層。4.根據權利要求2所述的識別模組，其特征在于，所述第一電極層中包含并排設置的多個第一電極，所述第二電極層中包含并排設置的多個第二電極，所述第三電極層中包含并排設置的多個第三電極；其中，所述多個第一電極沿第一方向間隔排布、所述多個第三電極沿所述第一方向間隔排布，所述多個第二電極沿與所述第一方向交叉的第二方向間隔排布；優選地，所述第一方向和所述第二方向垂直。5.根據權利要求1所述的識別模組，其特征在于，所述感應層包括：層疊且間隔設置的第一電極層和第二電極層，且所述第二電極層位于所述第一電極層和所述襯底之間；其中，所述第一電極層中的至少部分電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極，所述第二電極層中的至少部分電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極；優選地，所述第一電極層中的每個電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極，所述第二電極層中的每個電極復用為所述壓力傳感結構和所述電容識別結構中的電極；優選地，所述第一電極層、所述第二電極層均設置為金屬網格層。6.根據權利要求1所述的識別模組，其特征在于，所述感應層包括：層疊且間隔設置的第一電極層和第二電極層；其中，所述電容識別結構包括多個電容感應電極、多個電容驅動電極和多個橋接電極；且多個所述電容感應電極和多個所述電容驅動電極相互交叉并同層設置，所述電容感應電極和所述電容驅動電極中的一個在交叉處斷開，所述橋接電極跨接設置于所述交叉處一側，并與在所述交叉處斷開的電極電連接；其中，多個所述電容感應電極和多個所述電容驅動電極位于所述第一電極層，所述橋接電極位于所述第二電極層；且所述電容感應電極復
用為所述壓力傳感結構的壓力感應電極，所述第二電極層還包括所述壓力傳感結構的壓力驅動電極；或者，所述電容驅動電極復用為所述壓力傳感結構的壓力驅動電極，所述第二電極層還包括所述壓力傳感結構的壓力感應電極。7.根據權利要求1所述的識別模組，其特征在于，所述電容識別結構包括觸控電容識別結構和指紋電容識別結構，且設置有所述觸控電容識別結構的區域形成觸控區，設置有所述指紋電容識別結構的區域形成指紋區，所述觸控區圍設在所述指紋區的外圍；其中，所述壓力傳感結構位于所述觸控區和/或指紋區。8.一種顯示模組，其特征在于，包括：發光層、封裝層及權利要求1-7中任一項所述的識別模組，所述識別模組貼設在所述封裝層背離所述發光層的一側。9.一種顯示模組，其特征在于，包括：發光層；感應層，包括壓力傳感結構和電容識別結構，所述壓力傳感結構中的至少一個電極復用為所述電容識別結構中的電極。10.根據權利要求9所述的顯示模組，其特征在于，所述發光層包括發光材料層、以及位于發光材料層一側且呈圖形化設置的發光電極層；其中，所述發光電極層中的至少部分電極復用為所述壓力傳感結構和/或電容識別結構的電極；優選地，所述發光電極層為陰極層；優選地，所述感應層包括壓敏材料層，所述壓敏材料層復用為封裝層。
技術總結
本申請公開了一種識別模組及顯示模組，該識別模組包括：襯底；感應層，位于所述襯底一側，包括壓力傳感結構和電容識別結構，所述壓力傳感結構中的至少一個電極復用為所述電容識別結構中的電極。通過上述設計方式可以實現三維按壓信息采集，提高指紋和/或觸控識別的精確度；且實現三維按壓信息采集的感應層中通過電極復用的方式使得識別模組厚度較低，集成度較高。度較高。度較高。
