Bosch工藝的工藝參數的監控方法、系統和存儲介質與流程
本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種bosch工藝的工藝參數的監控方法、一種bosch工藝的工藝參數的監控系統以及一種計算機可讀存儲介質。
背景技術：
隨著微機電系統(micro-electro-mechanicalsystems，mems)產品的多樣化，出現了一種bosch工藝，該bosch工藝的工藝特點是：刻蝕與沉積步驟循環切換，并且刻蝕步和沉積步單步執行時間非常短。這種bosch工藝工藝主要針對刻蝕速率、形貌、scallop控制、片間重復性、一致性等工藝需求。
在晶片的工藝制程中，需要對工藝過程中的重要工藝參數進行監控，并當監控到異常情況時，需要及時中斷工藝或拋出報警，避免刻廢工藝晶片。相關技術中，由于bosch工藝不同的工藝步驟之間的切換時間非常短，因此，僅僅對于bosch工藝過程中的穩定量參數進行監控，即在工藝步驟開始前進行監控，工藝步驟結束后停止監控，而對bosch工藝過程中的變化量參數則無法實現監控，而這些變化量參數，往往是工藝過程中的關鍵工藝參數，例如氣體流量和射頻入射功率等，如果這些關鍵工藝參數不做監控，無法在氣體和射頻異常情況出現時及時拋出報警，終止工藝，容易導致廢片發生，增加晶片的制造成本。
技術實現要素：
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種bosch工藝的工藝參數的監控方法、一種bosch工藝的工藝參數的監控系統以及一種計算機可讀存儲介質。
為了實現上述目的，本發明的第一方面，提供了一種bosch工藝的工藝參數的監控方法，包括：
獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個所述子配方所設定的循環次數，其中，每個所述子配方均包括若干個工藝步驟；
每個所述子配方均依次執行下述步驟：
步驟s110、設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點；
步驟s120、分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到所述采樣點時的變化量參數實際值；
步驟s130、將獲取到的所述相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各所述采樣點的合法性；
步驟s140、根據各所述采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
可選地，所述步驟s140具體包括：
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，所述步驟s140具體包括：
分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，所述采樣點為每個工藝步驟執行到0.5s～0.8s的時刻。
可選地，還包括：
獲取所述當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
將各所述穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較，并且，
當所述穩定量參數實際值不滿足所述穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
本發明的第二方面，提供了一種bosch工藝的工藝參數的監控系統，包括：
第一獲取模塊，用于獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個所述子配方所設定的循環次數，其中，每個所述子配方均包括若干個工藝步驟；
設定模塊，用于設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點；
第二獲取模塊，用于分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到所述采樣點時的變化量參數實際值；
比較模塊，用于將獲取到的所述相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各采樣點的合法性；
判斷模塊，用于根據各所述采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
可選地，所述比較模塊，用于：
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，所述比較模塊，用于：
分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，所述第二獲取模塊，還用于獲取所述當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
所述比較模塊，還用于將各所述穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較；
所述判斷模塊，還用于當所述穩定量參數實際值不滿足所述穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
本發明的第三方面，提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如前文記載的所述的bosch工藝的工藝參數的監控方法的步驟。
本發明的bosch工藝的工藝參數的監控方法、系統和計算機可讀存儲介質。其通過設定子配方中的各工藝步驟的采樣點，并分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時執行到采樣點時的變化量參數實際值，并將該變化量參數實際值與變化量參數設定值進行容差比較，得到采樣點的合法性，從而可以根據合法性判斷是否需要輸出容差報警。可以有效監控工藝過程中的變化量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
附圖說明
附圖是用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明，但并不構成對本發明的限制。在附圖中：
圖1為本發明第一實施例中bosch工藝的工藝參數的監控方法的流程圖；
圖2為本發明第二實施例中bosch工藝mfc氣體流量采樣點示意圖；
圖3為本發明第三實施例中bosch工藝采樣點的合法性組合示意圖；
圖4為本發明第四實施例中bosch工藝的工藝參數的監控系統的結構示意圖。
附圖標記說明
100：bosch工藝的工藝參數的監控系統；
110：第一獲取模塊；
120：設定模塊；
130：第二獲取模塊；
140：比較模塊；
150：判斷模塊。
具體實施方式
以下結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發明，并不用于限制本發明。
如圖1所示，本發明的第一方面，涉及一種bosch工藝的工藝參數的監控方法s100，其中，所謂的bosch工藝是指：至少兩個工藝步驟(例如，刻蝕步驟和沉積步驟)之間循環切換，并且，兩個工藝步驟單步執行時間非常短。該監控方法s100包括：
獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個子配方所設定的循環次數，其中，每個子配方均包括若干個工藝步驟。
每個子配方均依次執行下述步驟：
s110、設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點。
具體地，在本步驟中，例如，可以設定每個工藝步驟執行到0.5s～0.8s的時刻作為采樣點，當然，也可以采取其他方式進行采樣點的設定。
s120、分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值。
在本步驟中，所謂的變化量參數是指：在bosch工藝中隨工藝步驟切換而變化的參數稱為變化量參數，例如，在半導體制造領域中，射頻入射功率、mfc氣體流量和工藝壓力等。
具體地，以當前子配方包括兩個工藝步驟為例進行說明。例如，刻蝕步驟和沉積步驟，所謂的分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值是指：
獲取刻蝕步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值；
獲取沉積步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值。
s130、將獲取到的相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各采樣點的合法性。
具體地，在本步驟中，以bosch工藝中氣體的mfc流量參數的變化為例進行說明。
如圖2所示，e1，e2，e3為不同循環次數中相同刻蝕步驟執行到0.5s時的采樣點，e1與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v1；e2與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v2；e3與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v3。
d1，d2，d3為不同循環次數中相同沉積步驟執行到0.5s時的采樣點，d1與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v1；d2與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v2；d3與其設定值(由配方設定值決定)進行容差比較，得到該值的合法性v3。
s140、根據各采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控方法s100，其通過設定子配方中的各工藝步驟的采樣點，并分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時執行到采樣點時的變化量參數實際值，并將該變化量參數實際值與變化量參數設定值進行容差比較，得到采樣點的合法性，從而可以根據合法性判斷是否需要輸出容差報警。本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控方法s100，可以有效監控工藝過程中的變化量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
上述s140中，根據各采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警，具體可以采用下述兩種具體實施方式：
實施例1
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警。其中，采樣點的變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出軟容差，或，采樣點的變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出硬容差。也就是說，軟容差包括第一允許合法波動范圍，硬容差包括第二允許合法波動范圍。
具體地，還是以bosch工藝中氣體的mfc流量參數的變化為例進行說明。
如果氣體設定值流量在10sccm以下(包括10sccm)則采樣點的容差比較以絕對值的方式進行：
當gasflow＞gassetpoint+3或gasflow<gassetpoint-3時，則該采樣點的合法性超出軟容差。也就是說，gasflow＞gassetpoint+3或gasflow<gassetpoint-3為軟容差所允許的第一允許合法波動范圍，也即第一預設范圍。
當gasflow>gassetpoint+5或gasflow<gassetpoint-5時，則該采樣點的合法性超出硬容差。也就是說，gasflow＞gassetpoint+5或gasflow<gassetpoint-5是硬容差所允許的第二允許合法波動范圍，也即第二預設范圍。
其中，gasflow為采樣點的氣體流量實際值，gassetpoint為采樣點的氣體流量設定值。
實施例2
具體地，可以分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，以及記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警。
需要說明的是，也可以將nums/循環次數*工藝步驟數量的值以及numh/循環次數*工藝步驟數量的值分別轉換成百分比與允許值進行比較。
此外，對于軟容差和硬容差具體容許范圍可以參考實施例1相關記載，在此不作贅述。
具體地，還是以bosch工藝中氣體的mfc流量參數的變化為例進行說明。
如果氣體設定值流量大于10sccm則采樣點的容差比較以百分比的方式進行：
當gasflow>gassetpoint*(1+cfggassofttol)或gasflow<gassetpoint*(1-cfggassofttol)時，則該采樣點合法性超出軟容差。
當gasflow>gassetpoint*(1+cfggashardtol)或gasflow<gassetpoint*(1-cfggashardtol)時，則該采樣點合法性超出硬容差。
其中，gasflow為采樣點的氣體流量實際值，gassetpoint為采樣點的氣體流量設定值，cfggassofttol為氣體流量軟容差配置參數，cfggashardtol為氣體流量硬容差配置參數。
具體地，如圖3所示，其中的四個圓形點表示連續四個點均出現硬容差則輸出硬容差報警。其中的四個菱形點中，全部出現軟容差，但是有一個菱形點并沒有出現硬容差，則輸出軟容差報警。
可選地，還包括：
獲取當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
將各穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較，并且，
當穩定量參數實際值不滿足穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
需要說明的是，所謂的穩定量參數是指：在bosch工藝中不隨工藝步驟切換而變化的參數稱為穩定量參數，例如，在半導體制造領域中，腔室溫度、冷卻器溫度、靜電卡盤吸附電壓和氦氣壓力等等。
本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控方法s100，不僅僅可以有效監控bosch工藝中的變化量參數變化情況，還可以有效監控bosch工藝中的穩定量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數和穩定量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
本發明的第二方面，如圖4所示，提供了一種bosch工藝的工藝參數的監控系統100，用于執行前文記載的bosch工藝的工藝參數的監控方法s100，下文未提及的具體內容可以參考前文相關記載，在此不作贅述。包括：
第一獲取模塊110，用于獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個子配方所設定的循環次數，其中，每個子配方均包括若干個工藝步驟；
設定模塊120，用于設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點。
第二獲取模塊130，用于分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值。
比較模塊140，用于將獲取到的相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各采樣點的合法性。
判斷模塊150，用于根據各采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控系統100，其通過設定子配方中的各工藝步驟的采樣點，并分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時執行到采樣點時的變化量參數實際值，并將該變化量參數實際值與變化量參數設定值進行容差比較，得到采樣點的合法性，從而可以根據合法性判斷是否需要輸出容差報警。本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控系統100，可以有效監控工藝過程中的變化量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
可選地，比較模塊140，用于：
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警；其中，
采樣點的變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出軟容差，或，采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，比較模塊140，用于：
分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警；其中，
采樣點的變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出軟容差，或，采樣點的變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該采樣點的合法性超出硬容差。
可選地，所述第二獲取模塊130，還用于獲取當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
比較模塊140，還用于將各所述穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較。
判斷模塊150，還用于當穩定量參數實際值不滿足穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
本實施例中的bosch工藝的工藝參數的監控系統100，不僅僅可以有效監控bosch工藝中的變化量參數變化情況，還可以有效監控bosch工藝中的穩定量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數和穩定量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
本發明的第三方面，提供了一種計算機可讀存儲介質(圖中并未示出)，計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，計算機程序被處理器執行時實現如前文記載的的bosch工藝的工藝參數的監控方法的步驟。
本實施例中的計算機可讀存儲介質，所存儲的計算機程序在被處理器執行時可以實現前文記載的bosch工藝的工藝參數的監控方法，其通過設定子配方中的各工藝步驟的采樣點，并分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時執行到采樣點時的變化量參數實際值，并將該變化量參數實際值與變化量參數設定值進行容差比較，得到采樣點的合法性，從而可以根據合法性判斷是否需要輸出容差報警。因此，可以有效監控工藝過程中的變化量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
技術特征：
1.一種bosch工藝的工藝參數的監控方法，其特征在于，包括：
獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個所述子配方所設定的循環次數，其中，每個所述子配方均包括若干個工藝步驟；
每個所述子配方均依次執行下述步驟：
步驟s110、設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點；
步驟s120、分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到所述采樣點時的變化量參數實際值；
步驟s130、將獲取到的所述相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各所述采樣點的合法性；
步驟s140、根據各所述采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
2.根據權利要求1所述的工藝參數的監控方法，其特征在于，所述步驟s140具體包括：
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
3.根據權利要求1所述的工藝參數的監控方法，其特征在于，所述步驟s140具體包括：
分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的工藝參數的監控方法，其特征在于，所述采樣點為每個工藝步驟執行到0.5s～0.8s的時刻。
5.根據權利要求1至3中任意一項所述的工藝參數的監控方法，其特征在于，還包括：
獲取所述當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
將各所述穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較，并且，
當所述穩定量參數實際值不滿足所述穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
6.一種bosch工藝的工藝參數的監控系統，其特征在于，包括：
第一獲取模塊，用于獲取父配方信息中包括的若干個子配方以及每個所述子配方所設定的循環次數，其中，每個所述子配方均包括若干個工藝步驟；
設定模塊，用于設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點；
第二獲取模塊，用于分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到所述采樣點時的變化量參數實際值；
比較模塊，用于將獲取到的所述相同工藝步驟在不同循環次數時的各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各采樣點的合法性；
判斷模塊，用于根據各所述采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。
7.根據權利要求6所述的工藝參數的監控系統，其特征在于，所述比較模塊，用于：
當相同工藝步驟中，連續n個采樣點的合法性均超出軟容差或硬容差時，則判定需要輸出軟容差報警或硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
8.根據權利要求6所述的工藝參數的監控系統，其特征在于，所述比較模塊，用于：
分別判斷各采樣點的合法性是否超出軟容差或硬容差，并且，記錄所有超出軟容差但沒有超出硬容差的采樣點的個數nums，記錄所有超出硬容差的采樣點的個數numh；
計算nums/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出軟容差報警；
計算numh/循環次數*工藝步驟數量的值，當超過設定的允許值時，判定需要輸出硬容差報警；其中，
所述采樣點的所述變化量參數實際值在第一預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出軟容差，或，所述采樣點的所述變化量參數實際值在第二預設范圍以外時，則該所述采樣點的合法性超出硬容差。
9.根據權利要求6至8中任意一項所述的工藝參數的監控系統，其特征在于，
所述第二獲取模塊，還用于獲取所述當前子配方中的相同工藝步驟的穩定量參數實際值；
所述比較模塊，還用于將各所述穩定量參數實際值與對應的穩定量參數設定值進行比較；
所述判斷模塊，還用于當所述穩定量參數實際值不滿足所述穩定量參數設定值，并持續了預設時間時，判定需要輸出報警信息。
10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1至5中任意一項所述的bosch工藝的工藝參數的監控方法的步驟。
技術總結
本發明公開了一種Bosch工藝的工藝參數的監控方法、系統和存儲介質。包括：獲取父配方信息中包括的若干子配方以及每個子配方的循環次數；每個子配方均執行下述步驟：S110、設定當前子配方的各工藝步驟的采樣點；S120、分別獲取相同工藝步驟在不同循環次數時，執行到采樣點時的變化量參數實際值；S130、將各變化量參數實際值與對應的工藝步驟的變化量參數設定值進行容差比較，以得出各采樣點的合法性；S140、根據各采樣點的合法性判斷是否需要輸出容差報警。可以有效監控工藝過程中的變化量參數的變化情況，從而可以根據變化量參數的變化情況對當前工藝過程進行調整，進而可以避免廢片現象發生，提高晶片的生產良率，降低晶片的制作成本。
