AD閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備與流程
nand閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備
技術領域
1.本發明涉及數據存儲技術領域，尤其涉及一種nand 閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備。
背景技術：
2.目前3d-nand主要的兩種器件結構類型分別為浮柵結構（floating gate）和電荷阱結構（charge trap），浮柵結構中每層字線對應的存儲層是相互獨立的，而電荷阱結構中不同字線層之間的存儲層是相通的。對于電荷阱結構，存儲層中存在深能級陷阱的同時也存在淺能級陷阱，而淺能級捕獲的存儲電荷很容易掙脫束縛發生逃逸，而這逃逸的電荷可以通過連通的存儲層向臨近字線漂移。漂移的結果會導致該層的存儲信息丟失，因此電荷阱結構的數據保持能力（retention）相對較差。圖1為閃存閾值電壓分布圖，如圖1所示，對于單位存儲（slc：single-level cell）只有兩個存儲態：擦除態（e）和編程態（p），編程態的存儲層的電子高于擦除態；而兩位存儲（mlc：multi-level cell）有1個擦除態（e）和3個編程態（p1，p2，p3），而存儲層的電子多少排列順序為p3》p2》p1》e；三位存儲（tlc：trinary-level cell）有1個擦除態（e）和7個編程態（p1,p2,p3,p4,p5,p6,p7），而存儲層的電子多少排列順序為p7》p6》p5》p4》p3》p2》p1》e。電荷阱結構存儲層電荷沿存儲層方向的漂移速度和臨近字線的存儲態有很大關系。以三位存儲模式為例，最差的情況為當前存儲層為最高態p7態。而上下臨近兩層存儲層為最低態e態，因為此種情況下臨近層存儲電荷濃度差最大，存儲電荷電勢差也最大，所以存儲電荷漂移也最嚴重。如圖2所示，實線為nand寫入tlc初始閾值電壓分布，虛線為數據保持一段時間后的閾值電壓分布，在最低態e搭配臨近最高態p7的情況下p7閾值電壓分布向低態偏移最為嚴重，偏移之后p7態和p6態重疊，導致的失效位增多。
3.目前閃存寫入方式為按字線順序逐層寫入數據，以閃存三位存儲模式為例：三位存儲有三個邏輯頁分別是低頁（low page）、中頁（middle page）和高頁（up page）。三個邏輯頁存儲信息的組合形成8個存儲態（e，p1，p2，p3，p4，p5，p6，p7），8個態存儲的信息為111，101，100，110，010，011，001，000。目前閃存的數據編寫采用的是步進式編寫操作，編寫脈沖電壓操作后都對存儲單元做一個編寫驗證動作，如存儲單元的閾值電壓超過編寫驗證電壓則表示該存儲單元編寫完成。如圖3所示，tlc的讀取電壓為r1到r7，編寫驗證電壓為v1到v7。相應的編寫驗證電壓與讀取電壓的差值為該存儲態的讀取窗口大小，例如v7減r7的差值為p7態的讀取窗口，顯然該讀取窗口越大允許p7態向低態偏移的窗口就越大，同樣數據保持時間數據失效位也越小。目前考慮閃存的磨損壽命,在溫度不變的情況下閃存編寫驗證電壓v1到v7為固定值，即寫入態的分布始終固定。
4.可見，現有的閃存數據隨機寫入方式，每個態的讀寫窗口是固定的，最高態p7的讀取窗口大小為v7-p7，但是在電荷阱結構數據的隨機分布中，臨近層的存儲態差異影響數據的保持時間，特別是最高態p7和臨近層存儲態為e的組合，p7態向低態偏移的速度最快，數據保留時間最短，現有的閃存寫入方式并沒有針對最高態搭配最低態的情況對數據保持能
力進行優化，導致失效位較多。
技術實現要素：
5.鑒于上述問題，提出了本發明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的nand 閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備。
6.本發明的一個方面，提供了一種nand 閃存的數據寫入方法，所述方法包括：判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。
7.進一步地，在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，所述方法還包括：判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。
8.進一步地，所述方法還包括：當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。
9.進一步地，所述方法還包括：預先配置存儲態列表，所述存儲態列表用于記錄最新完成數據寫入的字線的存儲態。
10.進一步地，所述獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，包括：查所述存儲態列表以獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。
11.進一步地，所述方法還包括：在完成目標字線的數據寫入后更新存儲態列表，以將目標字線的存儲態記錄到存儲態列表。
12.進一步地，所述當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，包括：當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態為擦除態時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入。
13.第二方面，本發明還提供一種nand 閃存的數據寫入裝置，所述裝置包括：判斷模塊，用于判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；
獲取模塊，用于若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；控制模塊，用于當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。
14.進一步地，所述判斷模塊，還用于在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。
15.進一步地，所述控制模塊，還用于當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。
16.第三方面，本發明還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現如上nand 閃存的數據寫入方法的步驟。
17.第四方面，本發明還提供了一種存儲設備，包括存儲控制器，所述存儲控制器包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如上nand 閃存的數據寫入方法的步驟。
18.本發明實施例提供的nand 閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備，通過增加1個優化編寫驗證電壓，優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓，例如：mlc在原始編寫驗證電壓v1到v3基礎上增加v4，tlc在原始編寫驗證電壓v1到v7基礎上增加v8，qlc在原始編寫驗證電壓v1到v15基礎上增加v16等，對即將寫入的字線n的存儲態與字線n-1的存儲態進行對比，當目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是為nand 閃存的最高存儲態，且與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，使得存儲單元閾值電壓增高，高的閾值電壓可以獲得更長的數據保留時間，從而提高閃存數據可靠性，而且還能夠增大讀取窗口，從而減緩最差情況（最高態p7搭配最低態e）的數據出錯。
19.上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉本發明的具體實施方式。
附圖說明
20.通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：圖1為單位存儲、兩位存儲和三位存儲的閃存閾值電壓分布示意圖；圖2為nand寫入tlc的初始閾值電壓分布與數據保持一段時間后的閾值電壓分布對比示意圖；圖3為tlc的讀取電壓與編寫驗證電壓的分布示意圖；
圖4為本發明實施例提供的nand 閃存的數據寫入方法流程圖；圖5為以優化編寫驗證電壓寫入p7態的電壓分布示意圖；圖6為本發明實施例提供的nand 閃存的數據寫入裝置的結構框圖。
具體實施方式
21.下面將參照附圖更詳細地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例，然而應當理解，可以以各種形式實現本公開而不應被這里闡述的實施例所限制。相反，提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠將本公開的范圍完整的傳達給本領域的技術人員。
22.本技術領域技術人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數形式“一”、“一個”、“所述”和“該”也可包括復數形式。應該進一步理解的是，本發明的說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個或多個其他特征、整數、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
23.本技術領域技術人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術語（包括技術術語和科學術語），具有與本發明所屬領域中的普通技術人員的一般理解相同的意義。還應該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術語，應該被理解為具有與現有技術的上下文中的意義一致的意義，并且除非被特定定義，否則不會用理想化或過于正式的含義來解釋。
24.圖4示意性示出了本發明一個實施例的nand 閃存的數據寫入方法的流程圖。參照圖4，本發明實施例的nand 閃存的數據寫入方法具體包括以下步驟：s11、判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線。
25.本發明實施例中，以三位存儲（tlc：trinary-level cell）為例進行說明，tlc閃存有1個擦除態（e）和7個編程態即存儲態（p1,p2,p3,p4,p5,p6,p7）, 而存儲層的電子多少排列順序為p7》p6》p5》p4》p3》p2》p1》e，即p7為最高存儲態。
26.s12、若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。
27.s13、當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。
28.在一個優選實施例中，所述當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，具體包括：當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態為擦除態時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入。
29.本發明實施例以nand tlc分布為例，現有的寫入方式有7個標準編寫驗證電壓v1到v7，本發明在現有的7個編寫驗證電壓的基礎上增加1個編寫驗證電壓v8即優化編寫驗證電壓，v8電壓高于v7，當存儲單元要寫入最高態p7時，且判斷與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，例如前一個字線的存儲態為擦除態e，則將v8作為當前存儲單元的編寫驗證電壓。如此情況該存儲單元閾值電
壓會偏高，高的閾值電壓可以獲得更長的數據保留時間，從而提高閃存數據可靠性。如圖5所示，以v8為編寫驗證電壓寫入的p7態電壓分布（虛線）偏高，v8與r7差值，也即讀取窗口也比v7-r7的讀取窗口大，從而能夠減緩最差情況（最高態p7搭配最低態e）的數據出錯。
30.可選地，新增的優化編寫驗證電壓比現有的最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓高1到20步讀取電壓，不僅能夠獲得更長的數據保留時間，增大讀取窗口，提高閃存數據可靠性，減少出錯，還能避免優化編寫驗證電壓太高會加速閃存器件退化能力。例如，閃存的讀取電壓步長為10mv, 那么比現有的最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓高10mv到200mv之間。讀電壓步長由閃存原廠在閃存內部定義。
31.本發明實施例中，預先配置存儲態列表，所述存儲態列表如表1所示，用于記錄最新完成數據寫入的字線的存儲態。
32.表1存儲態列表進一步地，步驟s12中的獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，具體實現方式如下：查所述存儲態列表以獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。具體的，前一個字線上與目標字線在同一位線對應的存儲單元即為臨近的存儲單元。
33.本發明實施例中，在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，預先判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0，當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。
34.進一步地，在完成目標字線的數據寫入后更新存儲態列表，以將目標字線各個存儲單元的存儲態記錄到存儲態列表。
35.下面通過一個示例對本發明nand 閃存的數據寫入方法進行詳細說明。
36.接收主機的數據寫入的請求，當主機數據寫入的請求發出后，字線n所有存儲單元的存儲態確定；判斷字線n是否為當前寫入塊（block）的起始字線0（wl0），如果是起始字線0，對該字線n進行數據寫入，數據寫完后更新字線n存儲態列表，該存儲態列表記錄了字線n每個存儲單元的存儲態；如果字線n不是當前寫入塊（block）的起始字線0，比較字線n寫入存儲態以及字線n-1的存儲態列表，如字線n寫入存儲態為p7態而臨近層字線n-1為e態，則存儲單元p7態的寫入采用編寫驗證電壓v8，表2為編寫驗證電壓規則表：表2 編寫驗證電壓規則表
然后將上述步驟中生成字線n的數據寫入分布寫入閃存中并更新字線n存儲態列表；繼續下一個字線數據的寫入，直到該塊數據全部寫完，則清空存儲態列表；如該塊未全部寫完，繼續保存最后的存儲態列表以便下次數據寫入時對比。
37.具體的，本實施例中通過增加1個最高編寫驗證電壓作為優化編寫驗證電壓，如mlc在原始編寫驗證電壓v1到v3基礎上增加v4，tlc在原始編寫驗證電壓v1到v7基礎上增加v8，qlc在原始編寫驗證電壓v1到v15基礎上增加v16。對即將寫入的目標字線n的存儲態與前一個字線n-1的存儲態進行對比，當字線n為最高態而臨近層字線n-1為最低態時，該字線n的存儲單元編寫電壓采用新增的編寫驗證電壓；需要說明的是，本技術不限于僅僅是最高態和最低態組合，最高態與低態的組合也可采用新增編寫驗證電壓編寫，如tlc 最高態p7與低態e，p1，p2，p3組合，也可采用新增編寫驗證電壓進行最高態p7寫入。
38.對于方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本發明實施例并不受所描述的動作順序的限制，因為依據本發明實施例，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優選實施例，所涉及的動作并不一定是本發明實施例所必須的。
39.圖6示意性示出了本發明一個實施例的nand 閃存的數據寫入裝置的結構示意圖。參照圖6，本發明實施例的nand 閃存的數據寫入裝置具體包括判斷模塊201、獲取模塊202以及控制模塊203，其中：判斷模塊201，用于判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；獲取模塊202，用于若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；控制模塊203，用于當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。
40.本發明實施例中，判斷模塊201，還用于在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入
存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。
41.本發明實施例中，控制模塊203，還用于當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。
42.本發明實施例中，所述裝置還包括附圖中未示出的配置模塊，用于預先配置存儲態列表，所述存儲態列表用于記錄最新完成數據寫入的字線的存儲態。
43.進一步地，獲取模塊202，具體用于查所述存儲態列表以獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。
44.進一步地，所述配置模塊，還用于在控制模塊203完成目標字線的數據寫入后更新存儲態列表，以將目標字線的存儲態記錄到存儲態列表。
45.本發明實施例中，控制模塊203，具體用于當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態為擦除態時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入。
46.對于裝置實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。
47.此外，本發明實施例還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，該程序被處理器執行時實現如上所述nand 閃存的數據寫入方法的步驟。
48.本實施例中，所述nand 閃存的數據寫入方法如果以軟件功能單元的形式實現并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。基于這樣的理解，本發明實現上述實施例方法中的全部或部分流程，也可以通過計算機程序來指令相關的硬件來完成，所述的計算機程序可存儲于一計算機可讀存儲介質中，該計算機程序在被處理器執行時，可實現上述各個方法實施例的步驟。其中，所述計算機程序包括計算機程序代碼，所述計算機程序代碼可以為源代碼形式、對象代碼形式、可執行文件或某些中間形式等。所述計算機可讀介質可以包括：能夠攜帶所述計算機程序代碼的任何實體或裝置、記錄介質、u盤、移動硬盤、磁碟、光盤、計算機存儲器、只讀存儲器（rom，read-only memory）、隨機存取存儲器（ram，random access memory）、電載波信號、電信信號以及軟件分發介質等。需要說明的是，所述計算機可讀介質包含的內容可以根據司法管轄區內立法和專利實踐的要求進行適當的增減，例如在某些司法管轄區，根據立法和專利實踐，計算機可讀介質不包括電載波信號和電信信號。
49.此外，本發明實施例還提供了一種存儲設備，包括存儲控制器，所述存儲控制器包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現如上nand 閃存的數據寫入方法的步驟。例如圖4所示的步驟s11~s13。
50.在一個具體實施例中，存儲設備為固態硬盤ssd。
51.本發明實施例提供的nand 閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備，通過增加1個優化編寫驗證電壓，優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓，例如：mlc在原始編寫驗證電壓v1到v3基礎上增加v4，tlc在原始編寫驗證電壓v1到v7基礎上增加v8，qlc在原始編寫驗證電壓v1到v15基礎上增加v16等，對即將寫入的字線n的存儲態與字線n-1的存儲態進行對比，當目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為
nand 閃存的最高存儲態，且與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，使得存儲單元閾值電壓增高，高的閾值電壓可以獲得更長的數據保留時間，從而提高閃存數據可靠性，而且還能夠增大讀取窗口，從而減緩最差情況（最高態p7搭配最低態e）的數據出錯。
52.此外，本領域的技術人員能夠理解，盡管在此的一些實施例包括其它實施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同實施例的特征的組合意味著處于本發明的范圍之內并且形成不同的實施例。例如，所要求保護的實施例的任意之一都可以以任意的組合方式來使用。
53.最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。
技術特征：
1.一種nand 閃存的數據寫入方法，其特征在于，所述方法包括：判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，所述方法還包括：判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：預先配置存儲態列表，所述存儲態列表用于記錄最新完成數據寫入的字線的存儲態。5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態，包括：查所述存儲態列表以獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態。6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在完成目標字線的數據寫入后更新存儲態列表，以將目標字線的存儲態記錄到存儲態列表。7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，包括：當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態為擦除態時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入。8.一種nand 閃存的數據寫入裝置，其特征在于，所述裝置包括：判斷模塊，用于判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態，目標字線為當前待寫入字線；獲取模塊，用于若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為nand 閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；控制模塊，用于當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，所述優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述判斷模塊，還用于在判斷目標字線的
目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態之前，判斷目標字線是否為當前物理塊的起始字線0；當目標字線不是當前物理塊的起始字線0時，執行所述判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為nand 閃存的最高存儲態的操作。10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊，還用于當目標字線為當前物理塊的起始字線0時，采用與待寫入的存儲態對應的標準編寫驗證電壓對目標字線進行數據寫入。11.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1-7任一項所述方法的步驟。12.一種存儲設備，其特征在于，包括存儲控制器，所述存儲控制器包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1-7任一項所述方法的步驟。
技術總結
本發明涉及數據存儲技術領域，提供了一種AD閃存的數據寫入方法、裝置、存儲介質及存儲設備，該方法包括：判斷目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態是否為AD閃存的最高存儲態，若目標字線的目標存儲單元的待寫入存儲態為AD閃存的最高存儲態，則獲取與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態；當與目標字線相鄰的前一個字線上與目標存儲單元臨近的存儲單元的存儲態低于預設的存儲態閾值時，采用預設的優化編寫驗證電壓對目標存儲單元進行最高存儲態的寫入，優化編寫驗證電壓大于最高存儲態對應的標準編寫驗證電壓。本發明能夠獲得更長的數據保留時間，增大讀取窗口，提高閃存數據可靠性，減少出錯。少出錯。少出錯。
