超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置與流程
1.本技術(shù)涉及霧化技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置。
背景技術(shù)：
2.電子霧化裝置中常采用超聲霧化片來霧化氣溶膠基質(zhì)，超聲霧化片通過高頻振動(dòng)將液體的氣溶膠基質(zhì)霧化成氣溶膠。
3.但是，采用超聲霧化片的電子霧化裝置在經(jīng)過一段時(shí)間放置后，其初始時(shí)間段的霧化量會(huì)偏低，并會(huì)持續(xù)較長(zhǎng)的一段時(shí)間，隨后才會(huì)恢復(fù)正常的霧化量。即電子霧化裝置的冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化下所產(chǎn)生的霧化量的一致性較差，以上現(xiàn)象影響用戶抽吸體驗(yàn)。
4.同時(shí)，超聲霧化片包含壓電陶瓷件，瞬時(shí)變化過大的功率或電壓將會(huì)降低其壽命，也易導(dǎo)致超聲霧化片性能降低、陶瓷開裂以及霧化量降低等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
5.本技術(shù)主要提供一種超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置，以解決電子霧化裝置的冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化下所產(chǎn)生的霧化量的一致性較差的問題。
6.為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種超聲霧化方法。所述超聲霧化方法包括：記錄前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間；計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間與所述第一時(shí)間的差值；響應(yīng)于所述差值小于等于預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率；或者響應(yīng)于所述差值大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率，其中所述第二功率大于所述第一功率。
7.為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)。該存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有程序數(shù)據(jù)，所述程序數(shù)據(jù)被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的超聲霧化方法。
8.為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種電子霧化裝置。所述電子霧化裝置包括超聲霧化片、處理器和存儲(chǔ)器，所述處理器連接所述存儲(chǔ)器和所述超聲霧化片，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)，實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述超聲霧化方法的步驟。
9.本技術(shù)的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本技術(shù)公開了一種超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置。通過計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間和前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間之間的差值，并比較該差值與預(yù)設(shè)時(shí)間差值的大小關(guān)系，以分辨當(dāng)前超聲霧化片的霧化狀態(tài)屬于熱態(tài)霧化還是冷態(tài)霧化，熱態(tài)霧化時(shí)，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率，進(jìn)而可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下，降低對(duì)超聲霧化片的功率及電壓沖擊，以提其使用壽命；冷態(tài)霧化時(shí)，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率，第二功率大于第一功率，既可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下降低對(duì)超聲霧化片的功率及電壓沖擊，還通過增強(qiáng)霧化功率，以加大產(chǎn)生振動(dòng)強(qiáng)度，使得超聲霧
化片表面附著的氣溶膠基質(zhì)受振動(dòng)增強(qiáng)，進(jìn)而加速打散處于靜置狀態(tài)下的氣溶膠基質(zhì)，從而降低其粘度和表面張力，使得氣溶膠基質(zhì)更有利于被霧化，進(jìn)而可提升冷態(tài)下的霧化效率，以保持冷態(tài)下單位時(shí)間所產(chǎn)生的氣溶膠霧化量具有與熱態(tài)下的氣溶膠霧化量較好的一致性。
附圖說明
10.為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：
11.圖1是本技術(shù)提供的超聲霧化方法一實(shí)施例的流程示意圖；
12.圖2是本技術(shù)提供的電子霧化裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
13.圖3是本技術(shù)提供的存儲(chǔ)介質(zhì)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
14.圖4是本技術(shù)提供的電子霧化裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
15.下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本技術(shù)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。
16.本技術(shù)實(shí)施例中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。本技術(shù)的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及它們?nèi)魏巫冃危鈭D在于覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒有限定于已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒有列出的步驟或單元，或可選地還包括對(duì)于這些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其他步驟或單元。
17.在本文中提及“實(shí)施例”意味著，結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以包含在本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中的各個(gè)位置出現(xiàn)該短語并不一定均是指相同的實(shí)施例，也不是與其他實(shí)施例互斥的獨(dú)立的或備選的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯式地和隱式地理解的是，本文所描述的實(shí)施例可以與其他實(shí)施例相結(jié)合。
18.本技術(shù)提供一種電子霧化裝置的超聲霧化方法，參閱圖1，圖1是本技術(shù)提供的超聲霧化方法的流程示意圖。
19.步驟10：記錄前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間t0。
20.電子霧化裝置100的一次作業(yè)過程是一個(gè)持續(xù)的時(shí)間段，例如用戶使用該電子霧化裝置100，在其使用時(shí)，電子霧化裝置100進(jìn)行作業(yè)，即電子霧化裝置100內(nèi)的超聲霧化器進(jìn)行霧化作業(yè)，該霧化作業(yè)需持續(xù)一段時(shí)間，因而每一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間t0都會(huì)被記錄，但最新完成一次的霧化過程的第一時(shí)間t0會(huì)覆蓋掉之前的第一時(shí)間t0。
21.前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間t0被記錄下，以作為下一次進(jìn)行霧化時(shí)的時(shí)間參考
點(diǎn)。
22.參閱圖2，圖2是本技術(shù)提供的電子霧化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中，該電子霧化裝置100包括外殼101、超聲霧化片102、電芯103和控制器件104，其中超聲霧化片102、電芯103和控制器件104均設(shè)置于外殼101內(nèi)，控制器件104電連接超聲霧化片102和電芯103，并用于調(diào)控超聲霧化片102工作，控制器件104可以包括電路板、存儲(chǔ)器和處理器，存儲(chǔ)器和處理器均連接于電路板上，且電路板還電連接霧化片102和電芯103，存儲(chǔ)器可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)程序，處理器用于執(zhí)行該數(shù)據(jù)程序以調(diào)控超聲霧化片102工作，其中超聲霧化片102用于通過超聲霧化技術(shù)霧化液態(tài)的氣溶膠基質(zhì)。其中，外殼101設(shè)置有儲(chǔ)液腔105，儲(chǔ)液腔105用于存儲(chǔ)待霧化的液態(tài)氣溶膠基質(zhì)。霧化片102與儲(chǔ)液腔105之間還設(shè)置有導(dǎo)液體106，導(dǎo)液體106用于將氣溶膠基質(zhì)導(dǎo)向霧化片102的霧化面。導(dǎo)液體106通常為多孔結(jié)構(gòu)的材料，如多孔陶瓷、多孔海綿、棉芯、多孔基板等；其利用孔隙的毛細(xì)作用將氣溶膠基質(zhì)導(dǎo)向霧化片102的霧化面。
23.發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，該電子霧化裝置100的霧化狀態(tài)可劃分為冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化，在冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化采用相同的霧化功率所獲得的霧化生成的氣溶膠的量具有極大地差異，霧化量的一致性較差。
24.其中，冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化可由該電子霧化裝置100前后兩次開啟霧化的間隔時(shí)長(zhǎng)而定。
25.發(fā)明人分析認(rèn)為，冷態(tài)霧化為前后兩次霧化時(shí)的間隔時(shí)長(zhǎng)超過一定時(shí)間后，超聲霧化片102表面的積聚了較大量的氣溶膠基質(zhì)，較大量的氣溶膠基質(zhì)具有較高的粘度和較大的表面張力，且超聲霧化片102表面積聚的氣溶膠基質(zhì)的體積和厚度也較大，導(dǎo)致不易霧化，阻礙了超聲霧化的效果，進(jìn)而前幾次霧化時(shí)產(chǎn)生的氣溶膠量偏低，此狀態(tài)下的超聲霧化可稱作冷態(tài)霧化；如果采用與熱態(tài)霧化相同的霧化功率，需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能將超聲霧化片102表面的厚液膜經(jīng)過霧化降低為正常狀態(tài)下的液膜，正常狀態(tài)下的液膜也可以稱之為熱態(tài)霧化下的液膜。
26.熱態(tài)霧化為前后兩次霧化時(shí)的間隔時(shí)長(zhǎng)未超過一定時(shí)間，即間隔時(shí)長(zhǎng)較短，則超聲霧化片102積聚的氣溶膠基質(zhì)量較少，其體積和厚度也較小，易于霧化，在此狀態(tài)下相同霧化功率所產(chǎn)生的氣溶膠量較多。
27.舉例說明，用戶以大致每30s一次的頻率連續(xù)使用該電子霧化裝置100，在間隔的30s時(shí)間內(nèi)，超聲霧化片102積聚的氣溶膠基質(zhì)量較少，液膜厚度小，超聲霧化片102處于熱態(tài)霧化；用戶使用該電子霧化裝置100后，在間隔較長(zhǎng)時(shí)間段后再次使用該電子霧化裝置100，例如間隔10分鐘或20分鐘等，而在這段時(shí)長(zhǎng)內(nèi)，超聲霧化片102上積聚的氣溶膠基質(zhì)量較大，液膜厚度大，再次使用該電子霧化裝置100時(shí)，超聲霧化片102處于冷態(tài)霧化。
28.需要說明的是，冷態(tài)霧化經(jīng)一段時(shí)長(zhǎng)后，可使得超聲霧化片102上的積聚的氣溶膠基質(zhì)量減少，即液膜厚度減薄，而逐漸過渡到熱態(tài)霧化。
29.針對(duì)上述現(xiàn)象，發(fā)明人認(rèn)為可以采用的一種方案是外加加熱體同步對(duì)氣溶膠基質(zhì)加熱預(yù)熱，以降低聚集于超聲霧化片102上氣溶膠的粘度和表面張力，從而達(dá)到改善冷態(tài)霧化時(shí)霧化量少的問題，以提升電子霧化裝置100在冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化下霧化量的一致性。然而，采用該方案會(huì)增加預(yù)熱組件，造成結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本提高。同時(shí)，預(yù)熱的方式對(duì)于溫度敏感的氣溶膠基質(zhì)并不適用。
30.如圖2所示，該電子霧化裝置100在超聲霧化片102周圍或外殼101等位置均未設(shè)有外加加熱體，本技術(shù)采用另一技術(shù)手段來改善上述問題。
31.本技術(shù)通過記錄前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間t0，以作為下一次進(jìn)行霧化時(shí)的時(shí)間參考點(diǎn)，來判斷該電子霧化裝置100的當(dāng)前霧化狀態(tài)是熱態(tài)霧化還是冷態(tài)霧化。
32.步驟20：計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間t1與第一時(shí)間t0的差值δt1。
33.換言之，記錄下用戶當(dāng)下使用電子霧化裝置100進(jìn)行霧化時(shí)的第二時(shí)間t1，并計(jì)算第二時(shí)間t1與第一時(shí)間t0的差值δt1。
34.可以理解的，霧化結(jié)束后，超聲霧化片102隨著間隔時(shí)間的延長(zhǎng)，其上聚集的氣溶膠基質(zhì)量越大，液膜越厚，較大量的氣溶膠基質(zhì)具有較高的粘度和較大的表面張力，在一定時(shí)間后，導(dǎo)致再次霧化時(shí)霧化效率較低，所產(chǎn)生的霧化量也較少。
35.因而可通過第二時(shí)間t1和第一時(shí)間t0的差值δt1，來判斷該電子霧化裝置的當(dāng)前霧化狀態(tài)是熱態(tài)霧化還是冷態(tài)霧化。
36.步驟30：響應(yīng)于差值δt1小于等于預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率p0。
37.其中，預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1為判斷電子霧化裝置的當(dāng)前霧化狀態(tài)是熱態(tài)霧化還是冷態(tài)霧化的分界線，其可通過對(duì)大量的試驗(yàn)數(shù)據(jù)觀測(cè)并結(jié)合霧化效率和前后兩次霧化過程的間隔時(shí)長(zhǎng)的變化而得到。
38.本技術(shù)中，預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1大于等于360s且小于等于720s，在電子霧化裝置100停止作業(yè)且經(jīng)預(yù)設(shè)時(shí)間差值t
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后，超聲霧化片102自身所附著的氣溶膠基質(zhì)量較多，液膜厚度較厚，且較大量的氣溶膠基質(zhì)的粘度及表面張力也較大，使得再次霧化時(shí)，初始霧化的霧化效率較低，單位時(shí)間所產(chǎn)生的霧化量較小。
39.可選地，預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1可以為360s、400s、440s、480s、520s、560s、600s、640s、680s或720s，本技術(shù)對(duì)此不作具體限定。
40.差值δt1小于等于預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1，則判定該電子霧化裝置100的當(dāng)前霧化狀態(tài)是熱態(tài)霧化，熱態(tài)霧化過程的霧化效率較高，即電子霧化裝置100啟動(dòng)霧化時(shí)即可獲得較高的霧化效率。
41.可以理解的，超聲霧化片102包含有壓電陶瓷件，其受過大或過快的功率或電壓沖擊會(huì)降低其使用壽命，且易導(dǎo)致超聲霧化片102的性能降低和陶瓷開裂，致使其霧化效率及所產(chǎn)生的霧化量均會(huì)降低。
42.市面上現(xiàn)行的電子霧化裝置其啟動(dòng)霧化時(shí)，常以恒定的功率運(yùn)行超聲霧化片102，即在啟動(dòng)霧化時(shí)，霧化功率直接由零跳變?yōu)轭A(yù)設(shè)的霧化功率，使得超聲霧化片102瞬間承受的霧化功率變化過大，易導(dǎo)致其使用壽命降低。
43.本技術(shù)中，通過在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率p0，以避免超聲霧化片102瞬間承受的霧化功率變化過大，進(jìn)而可降低對(duì)超聲霧化片102的功率及電壓沖擊，提升其使用壽命，并在之后的霧化過程中保持以第一功率p0運(yùn)行，第一功率p0為電子霧化裝置100在熱態(tài)下的額定霧化功率。
44.第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt大于等于10ms且小于等于100ms，以提升電子霧化裝置產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性，即通過上述方式，本技術(shù)可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下，降低對(duì)超聲霧化片102的功率及電壓沖擊，以提其使用壽命。換言之，該方式可兼具產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)
性和對(duì)超聲霧化片102的友好性，能有效地提升電子霧化裝置100的性能和品質(zhì)，降低其故障率，提升其使用壽命。
45.第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt可以是10ms、20ms、30ms、40ms、50ms、60ms、70ms、80ms、90ms或100ms，其可以綜合考慮電子霧化裝置100的各種使用條件而確定，本技術(shù)對(duì)其具體取值不作限制。
46.在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)，霧化功率可以從零提升至第一功率p0，霧化功率也可以從某一功率值提升至第一功率p0；霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率p0的過程中，其可以是線性變化的，其也可以是非線性變化的。
47.本實(shí)施例中，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率從零線性提升至預(yù)設(shè)的第一功率p0，即第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt初始時(shí)刻，霧化功率為零，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt的結(jié)束時(shí)刻，霧化功率為第一功率p0，且通過限定霧化功率從零線性提升，使得超聲霧化片102的霧化功率在這一過程中是漸變的，可避免其遭受瞬時(shí)功率或電壓變動(dòng)過大造成的沖擊。
48.可選地，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率從初始功率線性提升至預(yù)設(shè)的第一功率p0，其中初始功率小于第一功率p0，初始功率與第一功率p0的比值可以大于等于0.1且小于等于0.3，例如初始功率與第一功率p0的比值可以為0.1、0.2或0.3。通過設(shè)置較小的初始功率，且限定霧化功率從初始功率線性提升至第一功率p0，以避免超聲霧化片102受瞬時(shí)功率或電壓變動(dòng)過大造成的沖擊。
49.步驟40：響應(yīng)于差值δt1大于預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率p1。
50.差值δt1大于預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1，則判定該電子霧化裝置100的當(dāng)前霧化狀態(tài)是冷態(tài)霧化，冷態(tài)霧化起始時(shí)的霧化效率較低，電子霧化裝置100啟動(dòng)霧化時(shí)所產(chǎn)生的霧化量較小。
51.通過在在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率p1，其中第二功率p1大于第一功率p0，既可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下降低對(duì)超聲霧化片102的功率及電壓沖擊，還通過增強(qiáng)霧化功率，以加大產(chǎn)生振動(dòng)強(qiáng)度，使得超聲霧化片102表面附著的氣溶膠基質(zhì)受振動(dòng)增強(qiáng)，進(jìn)而加速打散處于靜置狀態(tài)下的氣溶膠基質(zhì)，從而降低快速降低霧化片102霧化面上的液膜厚度，使得氣溶膠基質(zhì)更有利于被霧化，進(jìn)而可提升冷態(tài)下的霧化效率，以保持冷態(tài)下單位時(shí)間所產(chǎn)生的氣溶膠霧化量具有與熱態(tài)下的氣溶膠霧化量較好的一致性，即通過上述方式，可使得冷態(tài)下單位時(shí)間所產(chǎn)生的氣溶膠霧化量較接近熱態(tài)下的氣溶膠霧化量。
52.本技術(shù)中，第二功率p1與第一功率p0的比值大于等于1.2且小于等于2.0。第二功率p1在該范圍時(shí)，霧化功率逐漸提升至第二功率p1，可高效地加速打散處于靜置狀態(tài)下的氣溶膠基質(zhì)，降低氣溶膠基質(zhì)粘度和表面張力，使得氣溶膠基質(zhì)更有利于被霧化。
53.第二功率p1與第一功率p0的比值可以是1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9或2.0等，其可基于氣溶膠基質(zhì)的性質(zhì)等條件確定，本技術(shù)對(duì)此不作具體限定。
54.在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)，霧化功率可以從零提升至第二功率p1，霧化功率也可以從某一功率值提升至第二功率p1；霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率p1的過程中，其可以是線性變化的，其也可以是非線性變化的。
55.本實(shí)施例中，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt內(nèi)將霧化功率從零線性提升至預(yù)設(shè)的第二功率
p1，即第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt初始時(shí)刻，霧化功率為零，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt的結(jié)束時(shí)刻，霧化功率為第二功率p1。
56.進(jìn)一步地，步驟40之后，該超聲霧化方法還包括：
57.步驟50：以第二功率p1運(yùn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1后，將第二功率p1逐漸下調(diào)至第一功率p0。
58.冷態(tài)霧化時(shí)，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt后，繼續(xù)保持以第二功率p1運(yùn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1，以進(jìn)一步地強(qiáng)化加速打散氣溶膠基質(zhì)，快速降低氣溶膠基質(zhì)的液膜厚度，使得氣溶膠基質(zhì)更有利于被霧化，并在運(yùn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1后，可認(rèn)為霧化狀態(tài)由冷態(tài)霧化轉(zhuǎn)變成了熱態(tài)霧化，氣溶膠基質(zhì)已被充分打散，其粘度和表面張力得到有效地降低，超聲霧化片102表面聚集的液膜的厚度也恢復(fù)到正常，因而此后采用第一功率p0繼續(xù)霧化即可，因而既能夠保持高效地霧化效率又能夠減小能量浪費(fèi)，可有效地提升電子霧化裝置100的能效比。
59.其中，第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1可以是預(yù)設(shè)的定時(shí)長(zhǎng)，也可以基于條件變化而確定的時(shí)長(zhǎng)。
60.本技術(shù)中，第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1的大小與差值δt1和預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之差呈正相關(guān)，即差值δt1和預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之差的值越大，則第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1的值也越大，它們之間的關(guān)系可以是線性的，也可以是非線性的。
61.通過限定第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1的大小與差值δt1和預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之差呈正相關(guān)，以補(bǔ)償前后兩次霧化過程之間的不同時(shí)間間隔下，超聲霧化片102表面所聚集的氣溶膠基質(zhì)量的不同，從而即可充分打散氣溶膠基質(zhì)，提升其的可霧化性，也可更高效地利用能源。
62.可以理解的，前后兩次霧化過程之間間隔的時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)，則超聲霧化片102表面所聚集的氣溶膠基質(zhì)量越多，采用超聲霧化技術(shù)充分打散氣溶膠基質(zhì)的時(shí)長(zhǎng)就需要時(shí)長(zhǎng)。
63.本實(shí)施例中，采用以下公式進(jìn)行計(jì)算第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1：
64.δt1＝k
×
(δt
1-t1)
65.其中，δt1為第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，其單位為ms；δt1為第二時(shí)間t1與第一時(shí)間t0的差值，t1為預(yù)設(shè)時(shí)間差值，δt1和t1的單位均為s；k為時(shí)間系數(shù)。
66.時(shí)間系數(shù)k可基于大量試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析獲得，其可以是一定值，其也可以基于差值δt1和預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之差所處時(shí)間段進(jìn)行取值，例如將超過預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之后的時(shí)間進(jìn)行分段，差值δt1和預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1之差所處時(shí)間段越靠后，則時(shí)間系數(shù)k的取值可以越大。
67.例如，差值δt1為800s，預(yù)設(shè)時(shí)間差值t1為600s，取時(shí)間系數(shù)k為4，則第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)δt1＝4
×
(800-600)＝800ms。
68.采用如上述方式中的超聲霧化方法，在增強(qiáng)功率模式下冷態(tài)霧化所獲得的氣溶膠霧化量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)如下：
69.樣機(jī)編號(hào)1#2#3#霧化量(mg/口)5.54.65.3
70.而普通功率模式下冷態(tài)霧化所獲得的氣溶膠霧化量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)如下：
71.樣機(jī)編號(hào)1#2#3#霧化量(mg/口)1.61.91.7
72.可以看到，加入增強(qiáng)功率模式后，電子霧化裝置100在冷態(tài)下的霧化量得到明顯提高，和熱態(tài)霧化量(約6mg/口)之間的偏差得到顯著地縮小，提高了電子霧化裝置100在冷態(tài)
和熱態(tài)下霧化量的一致性。
73.參閱圖3，圖3是本技術(shù)提供的存儲(chǔ)介質(zhì)的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
74.該存儲(chǔ)介質(zhì)60存儲(chǔ)有程序數(shù)據(jù)61，程序數(shù)據(jù)61在被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)現(xiàn)如圖1所描述的超聲霧化方法。
75.該程序數(shù)據(jù)61存儲(chǔ)于一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)60中，包括若干指令用于使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以路由器、個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等計(jì)算機(jī)設(shè)備)或處理器執(zhí)行本技術(shù)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。
76.可選的，存儲(chǔ)介質(zhì)60可以為u盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(rom)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、磁盤或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序數(shù)據(jù)61的介質(zhì)。
77.參閱圖4，圖4是本技術(shù)提供的電子霧化裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
78.該電子霧化裝置70包括超聲霧化片73、處理器72和存儲(chǔ)器71，處理器72連接超聲霧化片73和存儲(chǔ)器71，存儲(chǔ)器71存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，處理器72執(zhí)行該計(jì)算機(jī)程序時(shí)，實(shí)現(xiàn)如圖1所描述的超聲霧化方法；其中超聲霧化片73用于通過超聲霧化技術(shù)霧化氣溶膠基質(zhì)，處理器72控制超聲霧化片73實(shí)現(xiàn)如上述的超聲霧化方法。
79.區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本技術(shù)公開了一種超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置。通過計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間和前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間之間的差值，并比較該差值與預(yù)設(shè)時(shí)間差值的大小關(guān)系，以分辨當(dāng)前超聲霧化片的霧化狀態(tài)屬于熱態(tài)霧化還是冷態(tài)霧化，熱態(tài)霧化時(shí)，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率，進(jìn)而可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下，降低對(duì)超聲霧化片的功率及電壓沖擊，以提其使用壽命；冷態(tài)霧化時(shí)，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率，第二功率大于第一功率，既可在保證產(chǎn)生氣溶膠的及時(shí)性的前提下降低對(duì)超聲霧化片的功率及電壓沖擊，還通過增強(qiáng)霧化功率，以加大產(chǎn)生振動(dòng)強(qiáng)度，使得超聲霧化片表面附著的氣溶膠基質(zhì)受振動(dòng)增強(qiáng)，進(jìn)而加速打散處于靜置狀態(tài)下的氣溶膠基質(zhì)，從而降低其粘度和表面張力，使得氣溶膠基質(zhì)更有利于被霧化，進(jìn)而可提升冷態(tài)下的霧化效率，以保持冷態(tài)下單位時(shí)間所產(chǎn)生的氣溶膠霧化量具有與熱態(tài)下的氣溶膠霧化量較好的一致性。
80.本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于存儲(chǔ)介質(zhì)實(shí)施例及電子裝置實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
81.本技術(shù)可用于眾多通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算系統(tǒng)環(huán)境或配置中。例如：個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備或便攜式設(shè)備、平板型設(shè)備、多處理器系統(tǒng)、基于微處理器的系統(tǒng)、置頂盒、可編程的消費(fèi)電子設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)pc、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、包括以上任何系統(tǒng)或設(shè)備的分布式計(jì)算環(huán)境等等。
82.在本技術(shù)所提供的幾個(gè)實(shí)施方式中，應(yīng)該理解到，所揭露的方法以及設(shè)備，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的設(shè)備實(shí)施方式僅僅是示意性的，例如，所述模塊或單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。
83.所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)
網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式方案的目的。
84.另外，在本技術(shù)各個(gè)實(shí)施方式中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
85.以上所述僅為本技術(shù)的實(shí)施例，并非因此限制本技術(shù)的專利范圍，凡是利用本技術(shù)說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本技術(shù)的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
技術(shù)特征：
1.一種超聲霧化方法，其特征在于，所述超聲霧化方法包括：記錄前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間；計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間與所述第一時(shí)間的差值；響應(yīng)于所述差值小于等于預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率；或者，響應(yīng)于所述差值大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率，其中所述第二功率大于所述第一功率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述響應(yīng)于所述差值大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在所述預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率的步驟之后，還包括：以所述第二功率運(yùn)行第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)后，將所述第二功率逐漸下調(diào)至所述第一功率。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的大小與所述差值和所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值之差呈正相關(guān)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超聲霧化方法，其特征在于，采用以下公式進(jìn)行計(jì)算所述第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)：δt1＝k
×
(δt
1-t1)其中，所述δt1為第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)；δt1為所述第二時(shí)間與所述第一時(shí)間的差值，t1為所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值；k為時(shí)間系數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)大于等于10ms且小于等于100ms。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述第二功率與所述第一功率的比值大于等于1.2且小于等于2.0。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間差值大于等于360s且小于等于720s。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲霧化方法，其特征在于，所述在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率的步驟，包括：在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率從零線性提升至預(yù)設(shè)的所述第一功率；或者，所述在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率的步驟，包括：在所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率從零線性提升至預(yù)設(shè)的所述第二功率。9.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有程序數(shù)據(jù)，其特征在于，所述程序數(shù)據(jù)被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述超聲霧化方法的步驟。10.一種電子霧化裝置，其特征在于，包括超聲霧化片、處理器和存儲(chǔ)器，所述處理器連接所述存儲(chǔ)器和所述超聲霧化片，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)，實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述超聲霧化方法的步驟。
技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種超聲霧化方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子霧化裝置。該超聲霧化方法包括：記錄前一次霧化結(jié)束時(shí)的第一時(shí)間；計(jì)算當(dāng)前霧化開始時(shí)的第二時(shí)間與第一時(shí)間的差值；響應(yīng)于差值小于等于預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第一功率；或者，響應(yīng)于差值大于預(yù)設(shè)時(shí)間差值，在第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)將霧化功率逐漸提升至預(yù)設(shè)的第二功率，其中第二功率大于第一功率。通過上述方式，本申請(qǐng)?zhí)峁┑某曥F化方法能夠使得超聲霧化片的冷態(tài)霧化和熱態(tài)霧化下所產(chǎn)生的霧化量的一致性較好。和熱態(tài)霧化下所產(chǎn)生的霧化量的一致性較好。和熱態(tài)霧化下所產(chǎn)生的霧化量的一致性較好。
