一種晶圓級(jí)真空封裝的MEMS晶振的制作方法
一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]
本實(shí)用新型涉及晶振技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振。
背景技術(shù)：
[0002]
傳統(tǒng)石英晶振是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件其基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀漿層作為電極，在每個(gè)電極上焊接引線接出到管腳，再封裝上外殼就構(gòu)成了石英晶振。但由于其受到傳統(tǒng)制造工藝的限制以及下游原材料市場(chǎng)的壟斷，因此性價(jià)比無法進(jìn)
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步提升。不僅如此，石英產(chǎn)品在溫漂、老化、抗震性、穩(wěn)定性、體積等方面的制約，也越來越不能適應(yīng)現(xiàn)在的高精度產(chǎn)品。mems晶振，則采用自然界最普通的硅作為原材料和全自動(dòng)化的半導(dǎo)體ic技術(shù)的制作工藝，在性能方面彌補(bǔ)了石英振蕩器的先天缺陷，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。隨著mems技術(shù)的發(fā)展其作為傳統(tǒng)石英晶振的升級(jí)產(chǎn)品得到越來越廣泛的應(yīng)用。mems晶振具有更小的尺寸無溫漂，更好的可靠性和更低的成本等優(yōu)點(diǎn)符合現(xiàn)代電子發(fā)展方向，現(xiàn)在的mems晶振封裝方式多為真空封裝。
[0003]
然而現(xiàn)如今的晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振有保護(hù)殼抗壓保護(hù)效果差、絕緣和防腐效果差的問題。
[0004]
為解決晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振有保護(hù)殼抗壓保護(hù)效果差、絕緣和防腐效果差的問題。為此，提出一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
[0005]
本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振有保護(hù)殼抗壓保護(hù)效果差、絕緣和防腐效果差的問題。
[0006]
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，包括保護(hù)蓋和mems晶振主體，保護(hù)蓋固定設(shè)置在mems晶振主體的一側(cè)，所述保護(hù)蓋包括外絕緣層、外防腐層、刻字槽、殼體、內(nèi)防腐層和內(nèi)絕緣層，所述外防腐層噴涂在殼體的外表面，外絕緣層噴涂在外防腐層的外表面，刻字槽開設(shè)在殼體的外側(cè)，內(nèi)防腐層噴涂在殼體的內(nèi)表面，內(nèi)絕緣層噴涂在內(nèi)防腐層的內(nèi)表面。
[0007]
優(yōu)選的，所述外絕緣層和內(nèi)絕緣層均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件。
[0008]
優(yōu)選的，所述外防腐層和內(nèi)防腐層均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件。
[0009]
優(yōu)選的，所述殼體為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件。
[0010]
優(yōu)選的，所述保護(hù)蓋與mems晶振主體之間形成緩沖空腔。
[0011]
優(yōu)選的，所述緩沖空腔呈梯形。
[0012]
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：
[0013]
1、本實(shí)用新型的晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，外絕緣層和內(nèi)絕緣層均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋的絕緣效果，外防腐層和內(nèi)防腐層均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋的防腐效果，進(jìn)一步提高，保護(hù)蓋的使用壽命。
[0014]
2、本實(shí)用新型的晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，殼體為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件，硅鋼具有導(dǎo)磁率高、矯頑力低、電阻系數(shù)大等特性，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋的絕緣效果。
[0015]
3、本實(shí)用新型的晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，保護(hù)蓋與mems晶振主體之間形成緩沖空腔，緩沖空腔呈梯形，在mems晶振受到外界沖壓時(shí)，梯形的緩沖空腔使得保護(hù)蓋在受到?jīng)_壓時(shí)有一定的緩沖空間，降低mems晶振主體受到的沖擊力，提高保護(hù)蓋的保護(hù)效果。
附圖說明
[0016]
圖1為本實(shí)用新型的整體背面立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]
圖2為本實(shí)用新型的整體正面立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]
圖3為本實(shí)用新型的保護(hù)蓋剖切結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]
圖4為本實(shí)用新型的整體正面平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]
圖中：1、保護(hù)蓋；11、外絕緣層；12、外防腐層；13、刻字槽；14、殼體；15、內(nèi)防腐層；16、內(nèi)絕緣層；17、緩沖空腔；2、mems晶振主體。
具體實(shí)施方式
[0021]
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0022]
請(qǐng)參閱圖1-3，一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，包括保護(hù)蓋1和mems晶振主體2，保護(hù)蓋1固定設(shè)置在mems晶振主體2的一側(cè)，保護(hù)蓋1包括外絕緣層11、外防腐層12、刻字槽13、殼體14、內(nèi)防腐層15和內(nèi)絕緣層16，外防腐層12噴涂在殼體14的外表面，外絕緣層11噴涂在外防腐層12的外表面，刻字槽13開設(shè)在殼體14的外側(cè)，殼體14為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件，硅鋼具有導(dǎo)磁率高、矯頑力低、電阻系數(shù)大等特性，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋1的絕緣效果，內(nèi)防腐層15噴涂在殼體14的內(nèi)表面，內(nèi)絕緣層16噴涂在內(nèi)防腐層15的內(nèi)表面，外絕緣層11和內(nèi)絕緣層16均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋1的絕緣效果，外防腐層12和內(nèi)防腐層15均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋1的防腐效果，進(jìn)一步提高，保護(hù)蓋1的使用壽命。
[0023]
請(qǐng)參閱圖4，一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，保護(hù)蓋1與mems晶振主體2之間形成緩沖空腔17，緩沖空腔17呈梯形，在mems晶振受到外界沖壓時(shí)，梯形的緩沖空腔17使得保護(hù)蓋1在受到?jīng)_壓時(shí)有一定的緩沖空間，降低mems晶振主體2受到的沖擊力，提高保護(hù)蓋1的保護(hù)效果。
[0024]
綜上所述：本實(shí)用新型的晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，包括保護(hù)蓋1和mems晶振主體2，外絕緣層11和內(nèi)絕緣層16均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋1的絕緣效果，外防腐層12和內(nèi)防腐層15均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋1的防腐效果，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋1的使用壽命，殼體14為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件，硅鋼具有導(dǎo)磁率高、矯頑力低、電阻系數(shù)大等特性，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋1的絕緣效果，保護(hù)蓋1與mems晶振主體2之間形成緩沖空腔17，緩沖空腔17呈梯形，在mems晶振受到外界沖壓時(shí)，梯形的緩沖空腔17使得保護(hù)蓋1在受到?jīng)_壓時(shí)有一定的緩沖空間，降低mems晶振主體2受到的沖擊力，提高保護(hù)蓋1
的保護(hù)效果。
[0025]
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。
[0026]
盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
技術(shù)特征：
1.一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，包括保護(hù)蓋（1）和mems晶振主體（2），保護(hù)蓋（1）固定設(shè)置在mems晶振主體（2）的一側(cè)，其特征在于：所述保護(hù)蓋（1）包括外絕緣層（11）、外防腐層（12）、刻字槽（13）、殼體（14）、內(nèi)防腐層（15）和內(nèi)絕緣層（16），所述外防腐層（12）噴涂在殼體（14）的外表面，外絕緣層（11）噴涂在外防腐層（12）的外表面，刻字槽（13）開設(shè)在殼體（14）的外側(cè)，內(nèi)防腐層（15）噴涂在殼體（14）的內(nèi)表面，內(nèi)絕緣層（16）噴涂在內(nèi)防腐層（15）的內(nèi)表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，其特征在于：所述外絕緣層（11）和內(nèi)絕緣層（16）均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，其特征在于：所述外防腐層（12）和內(nèi)防腐層（15）均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，其特征在于：所述殼體（14）為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，其特征在于：所述保護(hù)蓋（1）與mems晶振主體（2）之間形成緩沖空腔（17）。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種晶圓級(jí)真空封裝的mems晶振，其特征在于：所述緩沖空腔（17）呈梯形。
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種晶圓級(jí)真空封裝的MEMS晶振，包括保護(hù)蓋和MEMS晶振主體，外絕緣層和內(nèi)絕緣層均為一種絕緣漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋的絕緣效果，外防腐層和內(nèi)防腐層均為一種防腐漆材料制成的構(gòu)件，提高保護(hù)蓋的防腐效果，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋的使用壽命，殼體為一種硅鋼材料制成的構(gòu)件，硅鋼具有導(dǎo)磁率高、矯頑力低、電阻系數(shù)大等特性，進(jìn)一步提高保護(hù)蓋的絕緣效果，保護(hù)蓋與MEMS晶振主體之間形成緩沖空腔，緩沖空腔呈梯形，在MEMS晶振受到外界沖壓時(shí)，梯形的緩沖空腔使得保護(hù)蓋在受到?jīng)_壓時(shí)有一定的緩沖空間，降低MEMS晶振主體受到的沖擊力，提高保護(hù)蓋的保護(hù)效果。提高保護(hù)蓋的保護(hù)效果。提高保護(hù)蓋的保護(hù)效果。
