一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)的制作方法
1.本實用新型涉及半導(dǎo)體集成電路封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
2.隨著社會發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越多樣化，對各種傳感器的需求逐年增加，其中mems占有率將越來越大，硅麥作為其中極其重要的分支。
3.現(xiàn)有技術(shù)不足：
4.在封裝時存在以下問題，基板硬度高，需要真空把基板吸附在軌道墊塊上，此時真空會泄露到mems芯片底部，容易導(dǎo)致振膜損壞而失效。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
5.本實用新型的目的在于提供一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
6.為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，包括墊塊和基板，所述墊塊一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有若干個連接口，所述墊塊上設(shè)置有若干個與連接口相匹配的真空管路；
7.所述基板設(shè)置在墊塊的上端面上，所述基板一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有凹凸，所述墊塊與基板之間設(shè)置有排氣機構(gòu)。
8.優(yōu)選的，所述排氣機構(gòu)由若干個吸附通道、若干個出氣口、若干個排氣槽組成，所述墊塊上在真空管路的上端連通設(shè)置有若干個吸附通道，所述墊塊的上端面上在吸附通道的上端設(shè)置有若干個出氣口，所述墊塊的上端面上設(shè)置有若干個排氣槽。
9.優(yōu)選的，所述墊塊的外表面上和基板的外表面上均設(shè)置有防氧化涂層。
10.優(yōu)選的，所述連接口和真空管路的數(shù)量有三組。
11.優(yōu)選的，所述排氣槽位于出氣口之間，所述排氣槽的截面圖為矩形。
12.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：
13.該一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置有排氣機構(gòu)，排氣機構(gòu)由若干個吸附通道、若干個出氣口、若干個排氣槽組成，通過排氣機構(gòu)的作用，真空泄露時可以及時釋放真空壓力，保證芯片不會損壞，降低mems芯片封裝的損耗和封裝成本，提高mems芯片的封裝效果。
附圖說明
14.圖1為本實用新型的整體立體圖；
15.圖2為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
16.圖3為本實用新型的墊塊立體圖。
17.圖中：1、墊塊；101、連接口；102、真空管路；2、基板；21、凹凸；3、排氣機構(gòu)；31、吸附
通道；32、出氣口；33、排氣槽。
具體實施方式
18.下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
19.在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的設(shè)備或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
20.在本專利的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“連接”、“設(shè)置”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定相連、設(shè)置，也可以是可拆卸連接、設(shè)置，或一體地連接、設(shè)置。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本專利中的具體含義。
21.此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實用新型的描述中，“若干”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
22.請參閱圖1-3所示，本實用新型提供的一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)技術(shù)方案：一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，包括墊塊1和基板2，墊塊1一側(cè)的側(cè)面上開設(shè)有若干個連接口101，墊塊1上開設(shè)有若干個與連接口101相匹配的真空管路102，基板2通過真空吸附在墊塊1的上端面上，基板2一側(cè)的側(cè)面上一體成型有凹凸21，墊塊1與基板2之間形成有排氣機構(gòu)3。
23.排氣機構(gòu)3由若干個吸附通道31、若干個出氣口32、若干個排氣槽33組成，墊塊1上在真空管路102的上端連通開設(shè)有若干個吸附通道31，墊塊1的上端面上在吸附通道31的上端開設(shè)有若干個出氣口32，墊塊1的上端面上開設(shè)有若干個排氣槽33，真空通過間隙到達芯片底部孔，排氣槽33連通到芯片底部孔，如果間隙再有漏氣則通過排氣槽33釋放，不會損壞芯片。
24.墊塊1的外表面上和基板2的外表面上均噴涂有防氧化涂層，防止墊塊1和基板2氧化生銹，增加墊塊1和基板2的使用壽命。
25.連接口101和真空管路102的數(shù)量有三組，保證提供足夠的吸附作用力。
26.排氣槽33位于出氣口32之間，排氣槽33的截面圖為矩形，能夠及時排氣。
27.本實用新型的工作原理如下：
28.本實施例的一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)在使用時，通過設(shè)置有排氣機構(gòu)3，排氣機構(gòu)3由若干個吸附通道31、若干個出氣口32、若干個排氣槽33組成，通過排氣機構(gòu)3的作用，真空通過間隙到達芯片底部孔，排氣槽33連通到芯片底部孔，如果間隙再有漏氣則通過排氣槽33釋放，不會損壞芯片，本裝置在mems芯片底部開設(shè)排氣結(jié)構(gòu)，當(dāng)吸取基板2的
真空泄露時可以及時釋放真空壓力，保證芯片不會損壞，降低mems芯片封裝的損耗和封裝成本，提高mems芯片的封裝效果。
29.以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的僅為本實用新型的優(yōu)選例，并不用來限制本實用新型，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
技術(shù)特征：
1.一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，包括墊塊(1)和基板(2)，其特征在于：所述墊塊(1)一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有若干個連接口(101)，所述墊塊(1)上設(shè)置有若干個與連接口(101)相匹配的真空管路(102)；所述基板(2)設(shè)置在墊塊(1)的上端面上，所述基板(2)一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有凹凸(21)，所述墊塊(1)與基板(2)之間設(shè)置有排氣機構(gòu)(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述排氣機構(gòu)(3)由若干個吸附通道(31)、若干個出氣口(32)、若干個排氣槽(33)組成，所述墊塊(1)上在真空管路(102)的上端連通設(shè)置有若干個吸附通道(31)，所述墊塊(1)的上端面上在吸附通道(31)的上端設(shè)置有若干個出氣口(32)，所述墊塊(1)的上端面上設(shè)置有若干個排氣槽(33)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述墊塊(1)的外表面上和基板(2)的外表面上均設(shè)置有防氧化涂層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述連接口(101)和真空管路(102)的數(shù)量有三組。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述排氣槽(33)位于出氣口(32)之間，所述排氣槽(33)的截面圖為矩形。
技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種用于真空釋放的墊塊排氣槽結(jié)構(gòu)，包括墊塊和基板，所述墊塊一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有若干個連接口，所述墊塊上設(shè)置有若干個與連接口相匹配的真空管路，所述基板設(shè)置在墊塊的上端面上，所述基板一側(cè)的側(cè)面上設(shè)置有凹凸，所述墊塊與基板之間設(shè)置有排氣機構(gòu)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，在MEMS芯片底部開設(shè)排氣結(jié)構(gòu)，當(dāng)吸取基板的真空泄露時可以及時釋放真空壓力，保證芯片不會損壞，降低MEMS芯片封裝的損耗和封裝成本，提高MEMS芯片的封裝效果。裝效果。裝效果。
