一種存儲裝置及其數據保護方法與流程
1.本發明涉及數據保護領域，特別是涉及一種存儲裝置及其數據保護方法。
背景技術：
2.閃存存儲器是一種非易失性數據存儲設備，通常使用電子方法進行數據擦除和數據編程。內嵌式存儲裝置內設有閃存存儲器，由于電源會出現供電異常的情況，例如，終端突然異常掉電行為或者系統板端供應電源模塊失真，會導致內嵌式存儲裝置的數據讀寫不穩定。因此，內嵌式存儲裝置會由于供電異常的情況將造成數據失效與錯誤的問題。
技術實現要素：
3.鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種存儲裝置，能夠在供電異常的情況下，對存儲裝置內的數據進行保護。
4.為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種存儲裝置，包括：至少一個閃存存儲器；以及主控制器，與所述閃存存儲器電性連接，所述主控制器包括：電壓檢測模塊，用以獲取所述主控制器的電源電壓與所述閃存存儲器的電源電壓，其中，所述主控制器的電源電壓表示為第一電源電壓，所述閃存存儲器的電源電壓表示為第二電源電壓；以及運算單元，用以將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式。
5.在本發明一實施例中，當所述運算單元判斷所述第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或所述第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用禁止模式。
6.在本發明一實施例中，當所述運算單元判斷所述第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且所述第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用正常模式，并關閉所述禁止模式。
7.在本發明一實施例中，所述運算單元還根據第一電源電壓與所述第二電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使所述主控制器啟用相應的數據保護模式。
8.在本發明一實施例中，所述運算單元統計所述第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，當所述第一時間大于第一預設時間，則所述主控制器啟用第一數據保護模式，所述運算單元統計所述第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間，當所述第二時間大于第二預設時間，則所述主控制器啟用第二數據保護模式。
9.在本發明一實施例中，當所述運算單元判斷所述主控制器啟用禁止模式的時間大于第三預設時間后，控制所述主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。
10.本發明還提供一種存儲裝置的數據保護方法，包括：通過電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓與閃存存儲器
的電源電壓，其中，所述主控制器的電源電壓表示為第一電源電壓，所述閃存存儲器的電源電壓表示為第二電源電壓；通過運算單元將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式。
11.在本發明一實施例中，所述將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式的步驟包括：判斷所述第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時判斷所述第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內；當所述第一電源電壓不在所述第一預設電壓范圍內時和/或所述第二電源電壓不在所述第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用禁止模式；當所述第一電源電壓在所述第一預設電壓范圍內且所述第二電源電壓在所述第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用正常模式，并關閉所述禁止模式。
12.在本發明一實施例中，在所述電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓與閃存存儲器的電源電壓，分別表示為第一電源電壓與第二電源電壓的步驟后，還包括：統計所述第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，統計所述第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間；判斷所述第一時間是否大于第一預設時間，若所述第一時間大于所述第一預設時間，則所述主控制器啟用第一數據保護模式；判斷所述第二時間是否大于第二預設時間，若所述第二時間大于所述第二預設時間，則所述主控制器啟用第二數據保護模式。
13.在本發明一實施例中，在所述將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式的步驟后，還包括：統計所述主控制器啟用禁止模式的時間，表示啟用時間；判斷所述啟用時間是否大于所述第三預設時間；若所述啟用時間小于或等于所述第三預設時間，則所述主控制器啟用普通禁止模式；若所述啟用時間大于所述第三預設時間，則所述主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。
14.如上所述，本發明提供一種存儲裝置，在供電異常的情況下，可進入禁止模式，進而能夠對存儲裝置內的數據進行保護。
附圖說明
15.為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
16.圖1顯示為本發明的一種存儲裝置的結構示意圖。
17.圖2顯示為本發明的一種存儲裝置的數據保護方法的流程圖。
18.圖3顯示為圖2中步驟s20的流程圖。
19.圖4顯示為圖3中步驟s30的流程圖。
20.圖5顯示為圖4中步驟s40的流程圖。
21.元件標號說明：100、內嵌式存儲裝置；110、主控制器；111、運算單元；112、rom只讀存儲器；113、ram隨機存儲器；114、電壓檢測模塊；120、閃存存儲器；200、主處理器。
具體實施方式
22.下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
23.請參閱圖1所示，本發明提供了一種存儲裝置，存儲裝置可以包括主控制器110與至少一個閃存存儲器120，主控制器110可以與閃存存儲器120電性連接，進而主控制器110可以將數據寫入到閃存存儲器120內，或者主控制器110也可以從閃存存儲器120內進行數據讀取。其中，主控制器110可以包括運算單元111、rom只讀存儲器112、ram隨機存儲器113以及電壓檢測模塊114，rom只讀存儲器112中的程序代碼和數據可以構成固件，并由運算單元111執行，從而主控制器110可通過固件控制閃存存儲器120。
24.在本發明的一個實施例中，電壓檢測模塊114可用于每間隔預設讀取時間獲取主控制器110的電源電壓vccq與閃存存儲器120的電源電壓vcc，其中，主控制器110的電源電壓vccq表示為第一電源電壓，閃存存儲器120的電源電壓vcc表示為第二電源電壓。預設讀取時間的大小可根據實際需求進行設定，可以為幾十納秒、幾百納秒等。
25.在本發明的一個實施例中，運算單元111可用于將第一電源電壓和/或第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使主控制器110啟用禁止模式。具體的，運算單元111可判斷第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時運算單元111可判斷第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內。當運算單元111判斷第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，運算單元111控制主控制器110啟用禁止模式。禁止模式可以表示為主控制器110禁用從主處理器200接收的所有命令或者某單一命令。當啟用禁止模式后，電壓檢測模塊114將相應的錯誤信息回傳到運算單元111，運算單元111將錯誤信息傳輸至主處理器200。當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，運算單元111控制主控制器110啟用正常模式，并關閉禁止模式。
26.在本發明的一個實施例中，運算單元111還可用于根據第一電源電壓與第二電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使主控制器110啟用相應的數據保護模式。具體的，運算單元111統計第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，運算單元111統計第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間。當運算單元
111判斷第一時間是否大于第一預設時間，若第一時間大于第一預設時間，則主控制器110啟用第一數據保護模式。第一數據保護模式可以表示為主控制器110將ram隨機存儲器113的數據優先寫入閃存存儲器120，避免發生數據丟失或者不穩定的現象。判斷第二時間是否大于第二預設時間，若第二時間大于第二預設時間，則主控制器110啟用第二數據保護模式。第二數據保護模式表示為主控制器110忽略從主處理器200收到的存取命令，同時回傳相應的錯誤信息，并將相應的錯誤信息傳輸到主處理器200。
27.在本發明的一個實施例中，運算單元111還可用于根據主控制器110啟用禁止模式的時間，以使主控制器110啟用不同的禁止模式。具體的，運算單元111統計主控制器110啟用禁止模式的時間，表示啟用時間。運算單元111判斷啟用時間是否大于第三預設時間。若啟用時間小于或等于第三預設時間，則主控制器110啟用普通禁止模式。若啟用時間大于第三預設時間，則主控制器110啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。寫入禁止模式可以表示為主控制器110的數據禁止寫入到閃存存儲器120內，同時主控制器110將相應的錯誤信息回傳至主處理器200內。讀取禁止模式可以表示為禁止主處理器200從閃存存儲器120中讀取數據，同時主控制器110將相應的錯誤信息回傳至主處理器200內。
28.請參閱圖2所示，本發明還提供了一種存儲裝置的數據保護方法，可以應用在存儲裝置中，例如應用在內嵌式（(embedded multi media card，emmc）存儲裝置100中，在供電異常的情況下，能夠對內嵌式存儲裝置100內的數據進行保護。存儲器數據的保護方法可以包括如下步驟：步驟s10、電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓vccq與閃存存儲器的電源電壓vcc，其中，主控制器110的電源電壓vccq表示為第一電源電壓，閃存存儲器120的電源電壓vcc表示為第二電源電壓；步驟s20、將第一電源電壓和/或第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使主控制器啟用禁止模式；步驟s30、根據第一電源電壓與第二電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使主控制器啟用相應的數據保護模式；步驟s40、根據主控制器啟用禁止模式的時間，以使主控制器啟用不同的禁止模式。
29.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s10時，即電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓vccq與閃存存儲器的電源電壓vcc，分別表示為第一電源電壓與第二電源電壓。具體的，以內嵌式存儲裝置100為例進行說明，主處理器200可以通過emmc協議與內嵌式存儲裝置100進行訪問控制。內嵌式存儲裝置100可包括主控制器110與閃存存儲器120，主控制器110可以接受來自主處理器200的指令，以將數據通過主控制器110寫入到閃存存儲器120中，閃存存儲器120可以用于存儲數據。主控制器110可以包括運算單元111、rom只讀存儲器112、ram隨機存儲器113以及電壓檢測模塊114。其中，rom只讀存儲器112中的程序代碼和數據可以構成固件，并由運算單元111執行，從而主控制器110可通過固件控制閃存存儲器120。電壓檢測模塊114可以用來檢測主控制器110的電源電壓vccq與閃存存儲器120的電源電壓vcc。電壓檢測模塊114可以每隔一個預設讀取時間，分別讀取主控制器110的電源電壓vccq與閃存存儲器120的電源電壓vcc。預設讀取時間的大小可根據實際需求進行設定，可以為幾十納秒、幾百納秒等。主控制器110的電源電壓vccq可以表示為
第一電源電壓，閃存存儲器的電源電壓vcc可以表示為第二電源電壓。
30.請參閱圖3所示，在本發明的一個實施例中，當執行步驟s20時，即將第一電源電壓和/或第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使主控制器啟用禁止模式。具體的，步驟s20可包括如下步驟：步驟s21、判斷第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時判斷第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內；步驟s22、當第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，主控制器啟用禁止模式，其中，禁止模式表示為主控制器禁用從主處理器接收的所有命令或者某單一命令，當啟用禁止模式后，電壓檢測模塊將相應的錯誤信息回傳到運算單元，運算單元將錯誤信息傳輸至主處理器；步驟s23、當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，主控制器啟用正常模式，并關閉禁止模式。
31.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s21時，即判斷第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時判斷第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內。具體的，當供電異常時，第一電源電壓與第二電源電壓都會受到一定程度的影響，進而需要分別對第一電源電壓與第二電源電壓進行判斷，以判斷主控制器110是否需要啟用禁止模式。因此需要判斷第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時判斷第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內。其中，由于不同型號的主處理器200的電壓范圍是不同的，因此，第一預設電壓范圍可以為2.65v~3.65v，第一預設電壓范圍的大小可根據實際需求進行設定。由于不同品牌的閃存存儲器120的電壓范圍也是不同的，因此，第二預設電壓范圍可以為2.2v~2.6v，第二預設電壓范圍的大小可根據實際需求進行設定。
32.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s22時，即當第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，主控制器啟用禁止模式。具體的，由于第一電源電壓與第二電源電壓都可能會出現異常，當第一電源電壓出現異常時，表示主控制器110處于異常工作狀態，主控制器110會啟用禁止模式，當第二電源電壓出現異常時，表示閃存存儲器120處于異常工作狀態，主控制器110也會啟用禁止模式。因此，當第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內，第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，主控制器110會啟用禁止模式。或者，當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內，第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，主控制器110會啟用禁止模式。或者，當第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內，第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，主控制器110會啟用禁止模式。其中，禁止模式可以表示為主控制器110禁用從主處理器200接收的所有命令或者某單一命令，當主控制器110啟用禁止模式后，電壓檢測模塊114會將相應的錯誤信息回傳到運算單元111，運算單元111可以將該錯誤信息傳輸至主處理器200。
33.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s23時，即當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，主控制器啟用正常模式，并關閉禁止模式。具體的，當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內時，表示主控制器110處于正常工作狀態，當第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，表示閃存存儲器120處于正常工作狀態。當主控制器110與閃存存儲器120同時處于正常工作狀態時，主控制器110才會處于正常模式。當主控制器110和/或閃存存儲器120處于異常工作狀態時，主控制器110會開啟禁止模式。
由于電壓檢測模塊114每間隔預設時間都會獲取主控制器110的電源電壓vccq與閃存存儲器120的電源電壓vcc，因此每隔預設時間，都會對主控制器110的電源電壓vccq與閃存存儲器120的電源電壓vcc進行更新。進而可以重新判斷第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內。當某次獲取到的第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且第二電源電壓在第二預設電壓范圍內，此時主控制器110會啟用正常模式，并關閉禁止模式。
34.請參閱圖4所示，在本發明的一個實施例中，當執行步驟s30時，即根據第一電源電壓與第二電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使主控制器啟用相應的數據保護模式。具體的，步驟s30可包括如下步驟：步驟s31、統計第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，統計第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間；步驟s32、判斷第一時間是否大于第一預設時間，若第一時間大于第一預設時間，則主控制器啟用第一數據保護模式，其中，第一數據保護模式表示為主控制器將ram隨機存儲器的數據優先寫入閃存存儲器，避免發生數據丟失或者不穩定的現象；步驟s33、判斷第二時間是否大于第二預設時間，若第二時間大于第二預設時間，則主控制器啟用第二數據保護模式，其中，第二數據保護模式表示為主控制器忽略從主處理器收到的存取命令，同時回傳相應的錯誤信息，并將相應的錯誤信息傳輸到主處理器。
35.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s31時，即統計第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，統計第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間。具體的，當主控制器110啟用禁止模式時，此時主控制器110的第一電源電壓可能會出現異常，閃存存儲器120的第二電源電壓也可能會出現異常。因此，可以統計第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，可以統計第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間。其中，當主控制器110的第一電源電壓未出現異常時，第一時間可以為零，當主控制器110的第一電源電壓出現異常時，第一時間不為零。當閃存存儲器120的第二電源電壓未出現異常時，第二時間可以為零，閃存存儲器120的第二電源電壓出現異常時，第二時間不為零。
36.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s32時，即判斷第一時間是否大于第一預設時間，若第一時間大于第一預設時間，則主控制器啟用第一數據保護模式。具體的，由于供電電源可能會出現波動的情況，但是波動的時間極短，對內嵌式存儲裝置100造成影響前就恢復正常。因此需要預先設置一個第一預設時間，通過第一預設時間來對第一時間進行判斷。判斷第一時間是否大于第一預設時間，若第一時間小于或等于第一預設時間，則主控制器110不啟用第一數據保護模式，此時可認為不會對內嵌式存儲裝置100產生影響。若第一時間大于第一預設時間，則主控制器110會啟用第一數據保護模式。其中，第一數據保護模式可以表示為主控制器110將ram隨機存儲器113的數據優先寫入閃存存儲器120，避免因供電異常發生數據丟失或者不穩定的現象。
37.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s33時，即判斷第二時間是否大于第二預設時間，若第二時間大于第二預設時間，則主控制器啟用第二數據保護模式。具體的，由于供電電源可能會出現波動的情況，但是波動的時間極短，對內嵌式存儲裝置100造成影響前就恢復正常。因此需要預先設置一個第二預設時間，通過第二預設時間來對第二時間進行判
斷。判斷第二時間是否大于第二預設時間，若第二時間小于或等于第二預設時間，則主控制器110不啟用第二數據保護模式，此時可認為不會對內嵌式存儲裝置100產生影響。若第二時間大于第二預設時間，則主控制器110會啟用第二數據保護模式。其中，第二數據保護模式可以表示為主控制器110忽略從主處理器200收到的存取命令，同時回傳相應的錯誤信息，并將相應的錯誤信息傳輸到主處理器200。
38.在本發明的一個實施例中，當第一時間大于第一預設時間，而第二時間小于或等于第二預設時間時，此時主控制器110僅啟用第一數據保護模式。當第一時間小于或等于第一預設時間，而第二時間大于第二預設時間時，此時主控制器110僅啟用第二數據保護模式。只有當第一時間大于第一預設時間，且第二時間大于第二預設時間時，此時主控制器110同時啟用第一數據保護模式與第二數據保護模式。當然，當第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且第二電源電壓在第二預設電壓范圍內，此時主控制器110會啟用正常模式，并關閉第一數據保護模式和/或第二數據保護模式。第一預設時間可以為幾微秒，也可以為幾十微秒，還可以為幾百微秒。第二預設時間可以為幾微秒，也可以為幾十微秒，還可以為幾百微秒。第一預設時間與第二預設時間的大小可相同，也可不相同，可根據實際需求進行設定。第一預設時間大于預設間隔時間，第二預設時間也大于預設間隔時間。
39.請參閱圖5所示，在本發明的一個實施例中，當執行步驟s40時，即根據主控制器啟用禁止模式的時間，以使主控制器啟用不同的禁止模式。具體的，步驟s40可包括如下步驟：步驟s41、統計主控制器啟用禁止模式的時間，表示啟用時間；步驟s42、判斷啟用時間是否大于第三預設時間；步驟s43、若啟用時間小于或等于第三預設時間，則主控制器啟用普通禁止模式；步驟s44、若啟用時間大于第三預設時間，則主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。
40.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s41時，即統計主控制器啟用禁止模式的時間，表示啟用時間。具體的，當第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，此時主控制器110啟用禁止模式。由于禁止模式可以進一步分為普通禁止模式、讀取禁止模式以及寫入禁止模式，隨著電壓異常時間的增加，需要使主控制器110啟用不同的禁止模式，以對相應的數據進行保護。因此需要統計主控制器110啟用禁止模式的時間，表示啟用時間，以便于后續對其進行判斷。
41.在本發明的一個實施例中，當執行步驟s42、步驟s43及步驟s44時，即判斷啟用時間是否大于第三預設時間，若啟用時間小于或等于第三預設時間，則主控制器啟用普通禁止模式，若啟用時間大于第三預設時間，則主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。具體的，可以通過預設一個第三預設時間，將啟用時間與第三預設時間進行比較，根據比較結果，進而使主控制器110啟用不同的禁止模式，以對相應的數據進行保護。例如，當啟用時間小于或等于第三預設時間時，主控制器110可以啟用普通禁止模式。當啟用時間大于第三預設時間時，主控制器110可以啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。第三預設時間可以為1秒，也可以為2秒、3秒等，或者，第三預設時間還可以為1毫秒，也可以為2毫秒、3毫秒等。第三預設時間可以在毫秒到秒的范圍之間，具體大小可根據實際需求進行設定。當啟用時間大于第三預設時間時，主控制器110可以僅啟用讀取禁止模式，主控制器110也可以僅啟用寫入禁止模式，主控制器110還可以同時啟用讀取禁止模式和寫入禁止模式。當閃存
存儲器120的電源電壓vcc異常時，主控制器110可以啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。當主控制器110的電源電壓vccq異常時，主控制器110也可以啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。例如，當閃存存儲器120的電源電壓vcc異常時，主控制器110可以啟用寫入禁止模式，當主控制器110的電源電壓vccq異常時，主控制器110可以啟用讀取禁止模式。或者，當閃存存儲器120的電源電壓vcc異常時，主控制器110可以啟用讀取禁止模式和寫入禁止模式，當主控制器110的電源電壓vccq異常時，主控制器110可以啟用讀取禁止模式。普通禁止模式可以表示為主控制器110禁用從主處理器200接收的所有命令或者某單一命令，當啟用普通禁止模式后，電壓檢測模塊114將相應的錯誤信息回傳到運算單元111，運算單元111將錯誤信息傳輸至主處理器200。寫入禁止模式可以表示為主控制器110的數據禁止寫入到閃存存儲器120內，同時主控制器110將相應的錯誤信息回傳至主處理器200內。讀取禁止模式可以表示為禁止主處理器200從閃存存儲器120中讀取數據，同時主控制器110將相應的錯誤信息回傳至主處理器200內。
42.可見，在上述方案中，針對在供電異常的情況下，可進入不同的保護模式，進而能夠對存儲裝置內的數據進行保護。可以根據相應的電源電壓與預測范圍進行比較，進而確定數據是否需要讀取，當電源電壓超出預定范圍時，執行禁止模式且可忽略從主處理器下發的從閃存存儲器的讀取數據命令。可以根據相應的電源電壓與預測范圍進行比較，進而確定數據是否需要接收，當電源電壓超出預定范圍時，執行禁止模式且可忽略從主處理器寫入到閃存存儲器的寫入數據命令。可以根據相應的電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使主控制器啟用相應的數據保護模式。
43.應理解，上述實施例中各步驟的序號的大小并不意味著執行順序的先后，各過程的執行順序應以其功能和內在邏輯確定，而不應對本發明實施例的實施過程構成任何限定。
44.在本說明書的描述中，參考術語“本實施例”、“示例”、“具體示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
45.以上公開的本發明實施例只是用于幫助闡述本發明。實施例并沒有詳盡敘述所有的細節，也不限制該發明僅為所述的具體實施方式。顯然，根據本說明書的內容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發明的原理和實際應用，從而使所屬技術領域技術人員能很好地理解和利用本發明。本發明僅受權利要求書及其全部范圍和等效物的限制。
技術特征：
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：至少一個閃存存儲器；以及主控制器，與所述閃存存儲器電性連接，所述主控制器包括：電壓檢測模塊，用以獲取所述主控制器的電源電壓與所述閃存存儲器的電源電壓，其中，所述主控制器的電源電壓表示為第一電源電壓，所述閃存存儲器的電源電壓表示為第二電源電壓；以及運算單元，用以將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式。2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，當所述運算單元判斷所述第一電源電壓不在第一預設電壓范圍內時和/或所述第二電源電壓不在第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用禁止模式。3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，當所述運算單元判斷所述第一電源電壓在第一預設電壓范圍內且所述第二電源電壓在第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用正常模式，并關閉所述禁止模式。4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，所述運算單元還根據第一電源電壓與所述第二電源電壓超出相應的預設電壓范圍的時間，以使所述主控制器啟用相應的數據保護模式。5.根據權利要求4所述的存儲裝置，其特征在于，所述運算單元統計所述第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，當所述第一時間大于第一預設時間，則所述主控制器啟用第一數據保護模式，所述運算單元統計所述第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間，當所述第二時間大于第二預設時間，則所述主控制器啟用第二數據保護模式。6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，當所述運算單元判斷所述主控制器啟用禁止模式的時間大于第三預設時間后，控制所述主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。7.一種存儲裝置的數據保護方法，其特征在于，包括：通過電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓與閃存存儲器的電源電壓，其中，所述主控制器的電源電壓表示為第一電源電壓，所述閃存存儲器的電源電壓表示為第二電源電壓；通過運算單元將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式。8.根據權利要求7所述的存儲裝置的數據保護方法，其特征在于，所述將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式的步驟包括：判斷所述第一電源電壓是否在第一預設電壓范圍內，同時判斷所述第二電源電壓是否在第二預設電壓范圍內；當所述第一電源電壓不在所述第一預設電壓范圍內時和/或所述第二電源電壓不在所述第二預設電壓范圍內時，所述主控制器啟用禁止模式；當所述第一電源電壓在所述第一預設電壓范圍內且所述第二電源電壓在所述第二預
設電壓范圍內時，所述主控制器啟用正常模式，并關閉所述禁止模式。9.根據權利要求7所述的存儲裝置的數據保護方法，其特征在于，在所述電壓檢測模塊每間隔預設讀取時間獲取主控制器的電源電壓與閃存存儲器的電源電壓，分別表示為第一電源電壓與第二電源電壓的步驟后，還包括：統計所述第一電源電壓超出第一預設電壓范圍的時間，表示為第一時間，統計所述第二電源電壓超出第二預設電壓范圍的時間，表示為第二時間；判斷所述第一時間是否大于第一預設時間，若所述第一時間大于所述第一預設時間，則所述主控制器啟用第一數據保護模式；判斷所述第二時間是否大于第二預設時間，若所述第二時間大于所述第二預設時間，則所述主控制器啟用第二數據保護模式。10.根據權利要求7所述的存儲裝置的數據保護方法，其特征在于，在所述將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式的步驟后，還包括：統計所述主控制器啟用禁止模式的時間，表示啟用時間；判斷所述啟用時間是否大于第三預設時間；若所述啟用時間小于或等于所述第三預設時間，則所述主控制器啟用普通禁止模式；若所述啟用時間大于所述第三預設時間，則所述主控制器啟用讀取禁止模式和/或寫入禁止模式。
技術總結
本發明提供一種存儲裝置及其數據保護方法，包括：至少一個閃存存儲器；以及主控制器，與所述閃存存儲器電性連接，所述主控制器包括：電壓檢測模塊，用以獲取所述主控制器的電源電壓與所述閃存存儲器的電源電壓，其中，所述主控制器的電源電壓表示為第一電源電壓，所述閃存存儲器的電源電壓表示為第二電源電壓；以及運算單元，用以將所述第一電源電壓和/或所述第二電源電壓與相應的預設電壓范圍進行比較，以使所述主控制器啟用禁止模式。通過本發明公開的一種存儲裝置及其數據保護方法，能夠在供電異常的情況下，對內嵌式存儲裝置內的數據進行保護。數據進行保護。數據進行保護。
