一種PCB與冷卻裝置集成的MOSFET/IGBT散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
1.本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)功率器件mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
2.新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)目前是國(guó)家發(fā)展主要戰(zhàn)略之一，為了有效解決環(huán)境污染、石油資源匱乏、汽車(chē)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等因素，出臺(tái)多項(xiàng)政策鼓勵(lì)新能源汽車(chē)的大力發(fā)展。
3.現(xiàn)有的mosfet/igbt類(lèi)型：1、貼片式mosfet/igbt，該器件主要為匹配鋁基板使用，鋁基板特性只能在其表面進(jìn)行單層電路布局，需要較大的制版面積，且鋁基板成本較高；2、集成式igbt模塊，其集成成本較高，價(jià)格優(yōu)勢(shì)低。
4.現(xiàn)有的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)：市場(chǎng)多出現(xiàn)于殼體設(shè)計(jì)水道來(lái)滿足散熱需求，不利于內(nèi)部布局以及整機(jī)功率密度，且裝配繁瑣，工藝要求搞可維護(hù)性低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
5.本實(shí)用新型的目的在于提供一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
6.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：
7.一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，包括模組，所述模組包括有壓片與第二散熱模塊，所述第二散熱模塊包括有第一散熱模塊與pcb組件，所述pcb組件包括有mosfet/igbt部件與pcb板，兩組所述mosfet/igbt部件位于pcb板表面相對(duì)分布，所述mosfet/igbt部件與pcb板連接，所述第一散熱模塊包括有散熱器與導(dǎo)熱絕緣膠帶，所述導(dǎo)熱絕緣膠帶分別設(shè)置有散熱器兩側(cè)壁，所述所述散熱器與pcb板相連接，所述散熱器位于兩組mosfet/igbt部件之間，所述壓片的兩端分別與兩組mosfet/igbt部件相背的兩側(cè)壁相連接。
8.作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述mosfet/igbt部件垂直于pcb板，所述pcb板采用fr-4環(huán)氧板進(jìn)行多層布板。
9.作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述散熱器內(nèi)設(shè)置有散熱水道，所述散熱水道與mosfet/igbt部件相連接，所述散熱水道內(nèi)設(shè)置有散熱翅。
10.作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案：所述mosfet/igbt部件與pcb板焊接連接。
11.作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案：所述第一散熱模板與pcb板焊接連接。
12.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)設(shè)置壓片、mosfet/igbt部件、散熱器、pcb板、導(dǎo)熱絕緣膠帶相互配合，可以便捷的對(duì)模組進(jìn)行模塊化組裝，模組體積小，可在一道工序完成預(yù)裝，降低組裝產(chǎn)線的工序步驟及設(shè)備的投入，可維護(hù)性高。傳統(tǒng)產(chǎn)品拆除時(shí)需要逐個(gè)零件進(jìn)行拆裝，由于散熱硅脂等問(wèn)題拆裝清理殼體復(fù)雜且可二次組裝可行性及性能無(wú)法有效保證，本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)可將模組整體拆下且維修后不影響二次組裝，也無(wú)需清理主殼體；通過(guò)散熱水道內(nèi)的散熱翅可以有效增大散熱面積，有效的降低進(jìn)出水口的壓降，避
免大面積散熱水道內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生的渦流，從而增加換熱能力，提升功率器件的性能。
附圖說(shuō)明
13.圖1為一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
14.圖2為一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)中第二散熱模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
15.圖3為一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)中第一散熱模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
16.圖4為一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)中pcb組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
17.其中：散熱器1、mosfet/igbt部件2、pcb板3、導(dǎo)熱絕緣膠帶4、壓片5、pcb組件6、第一散熱模塊7、第二散熱模塊8、模組9。
具體實(shí)施方式
18.需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
19.在本實(shí)用新型的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過(guò)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型中的具體含義。
20.以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述。
21.如圖1、圖2、圖3、圖4所示，為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例提供的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖，模組9，所述模組9包括有壓片5與第二散熱模塊8，所述第二散熱模塊8包括有第一散熱模塊7與pcb組件6，所述pcb組件6包括有mosfet/igbt部件2與pcb板3，兩組所述mosfet/igbt部件2位于pcb板3表面相對(duì)分布，所述mosfet/igbt部件2與pcb板3連接，所述第一散熱模塊7包括有散熱器1與導(dǎo)熱絕緣膠帶4，所述導(dǎo)熱絕緣膠帶4分別設(shè)置有散熱器1兩側(cè)壁，所述所述散熱器1與pcb板3相連接，所述散熱器1位于兩組mosfet/igbt部件2之間，所述壓片5的兩端分別與兩組mosfet/igbt部件2相背的兩側(cè)壁相連接，在使用時(shí)，散熱器1作為標(biāo)準(zhǔn)零件可以應(yīng)用于不同產(chǎn)品內(nèi)，有效的進(jìn)行成本分?jǐn)偅瑢⑸崞?焊接固定于pcb板3表面，將壓片5的兩端分別對(duì)mosfet/igbt部件2側(cè)壁擠壓，使得mosfet/igbt部件2與絕緣導(dǎo)熱絕緣膠帶4貼合，可以便捷的對(duì)模組9進(jìn)行組裝，將模組9模塊化組裝，模組9的體積小，可以在一道工序中完成預(yù)裝，有效降低組裝產(chǎn)線的工序步驟和設(shè)備需求。
22.如圖4所示，作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述mosfet/igbt部件2垂直于pcb板3，所述pcb板3采用fr-4環(huán)氧板4進(jìn)行多層布板，可以有效減小板面積，進(jìn)一步縮小產(chǎn)品體積。
23.如圖1所示，作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述散熱器1內(nèi)設(shè)置有散熱水道，所述散熱水道與mosfet/igbt部件2相連接，所述散熱水道內(nèi)設(shè)置有散熱翅，通過(guò)散熱水道內(nèi)的散熱翅可以有效增大散熱面積，有效的降低進(jìn)出水口的壓降，避免大面積散熱水道內(nèi)
部會(huì)產(chǎn)生的渦流，從而增加換熱能力，提升功率器件的性能。
24.如圖1所示，作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述mosfet/igbt部件2與pcb板3焊接連接。
25.如圖2、圖3所示，作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述第一散熱模板7與pcb板3焊接連接。
26.本實(shí)用新型的工作原理是：在使用時(shí)，散熱器1作為標(biāo)準(zhǔn)零件可以應(yīng)用于不同產(chǎn)品內(nèi)，有效的進(jìn)行成本分?jǐn)偅瑢⑸崞?固定于pcb板3表面，將壓片5的兩端分別對(duì)mosfet/igbt部件2側(cè)壁擠壓，使得mosfet/igbt部件2與絕緣導(dǎo)熱絕緣膠帶4貼合，可以便捷的對(duì)模組9進(jìn)行組裝，將模組9模塊化組裝，模組9的體積小，可以在一道工序中完成預(yù)裝，有效降低組裝產(chǎn)線的工序步驟和設(shè)備需求。
27.上面對(duì)本專(zhuān)利的較佳實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本專(zhuān)利并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專(zhuān)利宗旨的前提下做出各種變化。
技術(shù)特征：
1.一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，包括模組，其特征在于，所述模組包括有壓片與第二散熱模塊，所述第二散熱模塊包括有第一散熱模塊與pcb組件，所述pcb組件包括有mosfet/igbt部件與pcb板，兩組所述mosfet/igbt部件位于pcb板表面相對(duì)分布，所述mosfet/igbt部件與pcb板連接，所述第一散熱模塊包括有散熱器與導(dǎo)熱絕緣膠帶，所述導(dǎo)熱絕緣膠帶分別設(shè)置有散熱器兩側(cè)壁，所述散熱器與pcb板選擇焊連接，所述散熱器位于兩組mosfet/igbt部件之間，所述壓片的兩端分別與兩組mosfet/igbt部件相背的兩側(cè)壁相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述mosfet/igbt部件垂直于pcb板，所述pcb板采用fr-4環(huán)氧板進(jìn)行硬件電路布板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱器內(nèi)設(shè)置有散熱水道，所述散熱水道與導(dǎo)熱絕緣膠帶和mosfet/igbt三熱面貼合，所述散熱水道內(nèi)設(shè)置有散熱翅。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述mosfet/igbt部件與pcb焊接連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱器部件與pcb焊接連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的一種pcb與冷卻裝置集成的mosfet/igbt散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓片與第二散熱模塊壓接貼合。
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型屬于開(kāi)關(guān)功率器件MOSFET/IGBT散熱結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種PCB與冷卻裝置集成的MOSFET/IGBT散熱結(jié)構(gòu)，其技術(shù)要點(diǎn)是：包括模組，所述模組包括有壓片與第二散熱模塊，所述第二散熱模塊包括有第一散熱模塊與PCB組件，所述PCB組件包括有MOSFET/IGBT部件與PCB板，兩組所述MOSFET/IGBT部件位于PCB板表面相對(duì)分布，所述MOSFET/IGBT部件與PCB板電性連接，所述第一散熱模塊包括有散熱器與絕緣導(dǎo)熱絕緣膠帶，所述絕緣導(dǎo)熱絕緣膠帶分別設(shè)置有散熱器兩側(cè)壁，所述所述散熱器與PCB板相連接，所述散熱器位于兩組MOSFET/IGBT部件之間，所述壓片的兩端分別與兩組MOSFET/IGBT部件相背的兩側(cè)壁相連接。兩側(cè)壁相連接。兩側(cè)壁相連接。
