光敏探測器和制備方法與流程
1.本發(fā)明屬于光敏探測器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光敏探測器和制備方法。
背景技術(shù)：
2.目前，將入射光信號轉(zhuǎn)換為電信號的光電探測器，在光通信、攝影、天文學(xué)、環(huán)境傳感、醫(yī)學(xué)分析和安全設(shè)備中具有重要作用。光電探測器在實際應(yīng)用中所需的重要特性包括光譜選擇性、信噪比、靈敏度、穩(wěn)定性及制造簡單性等方面。傳統(tǒng)材料的光電探測器應(yīng)用材料，例如鍺(ge)、硫化鉛(pbs)及各種二維(2d)材料等，在實際應(yīng)用也受到不同程度的制約。現(xiàn)有光電探測器上的光敏材料層對于光線的反射較多，光吸收的能力弱，不利于提高光電探測器的檢測精確度和靈敏度。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
3.本發(fā)明實施例的目的是提供一種光敏探測器和制備方法，用以解決光電探測器上的光敏材料層對光線的吸收能力弱的問題。
4.第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種光敏探測器，包括：
5.吸光層，所述吸光層包括光敏材料，所述吸光層的一側(cè)表面分布有多個凹槽；
6.第一電極，所述第一電極設(shè)置在所述吸光層的另一側(cè)，所述第一電極為透光電極；
7.第二電極，所述第二電極設(shè)置于所述吸光層的一側(cè)。
8.其中，至少部分所述凹槽的底部沿所述吸光層的厚度方向貫穿。
9.其中，所述凹槽的內(nèi)側(cè)壁為弧形面。
10.其中，所述弧形面所在球面的半徑為0.5-2μm。
11.其中，多個所述凹槽均勻間隔分布。
12.其中，相鄰所述凹槽的間隔距離為0.5-2μm。
13.其中，所述光敏材料包括：
14.鈣鈦礦材料、a-si、ge、ingnas、pbs、zn2geo4和石墨烯中的至少一種。
15.其中，所述第二電極覆蓋所述吸光層的部分區(qū)域。
16.其中，所述吸光層的厚度為400-2000nm；和/或
17.所述第二電極的厚度為80-200nm；和/或
18.所述光敏探測器還包括：基板，所述基板為透光材料件，所述基板設(shè)置于所述第一電極遠(yuǎn)離所述吸光層的一側(cè)。
19.第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種光敏探測器的制備方法，包括：
20.提供具有第一電極的基板，所述基板與所述第一電極均為透光材料件；
21.在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成吸光層，其中，所述吸光層包括光敏材料，所述吸光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面分布有多個凹槽；
22.在所述吸光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二電極。
23.其中，在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成吸光層的步驟包括：
24.在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成模板，所述模板包括多個微球；
25.沉積鈣鈦礦薄膜；
26.將沉積有鈣鈦礦薄膜的基板浸入溶劑中溶解所述微球形成吸光層。
27.在本發(fā)明實施例的光敏探測器中，吸光層包括光敏材料，所述吸光層的一側(cè)表面分布有多個凹槽，所述第一電極設(shè)置在所述吸光層的另一側(cè)，所述第一電極為透光電極，所述第二電極設(shè)置于所述吸光層的一側(cè)。通過在吸光層表面設(shè)置多個凹槽，可以減少吸光層對光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光電探測器的檢測精確度和靈敏度，該探測器結(jié)構(gòu)簡單，檢測可靠性高。
附圖說明
28.圖1為本發(fā)明實施例中光敏探測器的一個結(jié)構(gòu)示意圖；
29.圖2為本發(fā)明實施例中光敏探測器的另一個結(jié)構(gòu)示意圖；
30.圖3a為將微球模板置于基板上的一個示意圖；
31.圖3b為在基板上進(jìn)行沉積光敏材料的一個示意圖；
32.圖3c為去除微球后的一個示意圖；
33.圖4a為將微球模板置于基板上的另一個示意圖；
34.圖4b為在基板上進(jìn)行沉積光敏材料的另一個示意圖；
35.圖4c為去除微球后的另一個示意圖；
36.圖5為制備光敏探測器的一個流程圖；
37.圖6為微球在基板上的一個局部電鏡圖；
38.圖7為吸光層的一個局部電鏡圖。
39.附圖標(biāo)記
40.吸光層10；凹槽11；通孔12；
41.第一電極21；第二電極22；
42.基板30；
43.微球40。
具體實施方式
44.下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
45.本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送猓f明書以及權(quán)利要求中“和/或”表示所連接對象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。
46.下面結(jié)合附圖1至圖7所示，通過具體的實施例及其應(yīng)用場景對本發(fā)明實施例提供的光敏探測器進(jìn)行詳細(xì)地說明。
47.如圖1至圖7所示，本發(fā)明實施例的光敏探測器包括：吸光層10、第一電極21、第二電極22，吸光層10包括光敏材料，吸光層10的一側(cè)表面分布有多個凹槽11。比如，多個凹槽11在吸光層10的一側(cè)表面可以呈陣列分布，以便更均勻地吸收光。第一電極21設(shè)置在吸光層10的另一側(cè)，第一電極21為透光電極，第一電極11可以為氧化銦錫(ito)材料層。第一電極21的面積可以與吸光層10的面積相等，以便于第一電極21與吸光層10充分接觸。第二電極22設(shè)置于吸光層10的一側(cè)，第二電極22可以為金屬電極，比如，第二電極22可以為金材料電極。
48.在本發(fā)明實施例的光敏探測器中，吸光層10包括光敏材料，吸光層10的一側(cè)表面分布有多個凹槽11，第一電極21設(shè)置在吸光層10的另一側(cè)，第一電極11為透光電極，第二電極12設(shè)置于吸光層10的一側(cè)。通過在吸光層10表面設(shè)置多個凹槽，可以減少吸光層對光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光電探測器的檢測精確度和靈敏度，該探測器結(jié)構(gòu)簡單，檢測可靠性高。
49.在一些實施例中，至少部分凹槽11的底部沿吸光層10的厚度方向貫穿。比如，每個凹槽11的底部可以沿吸光層10的厚度方向貫穿，可以使得整個吸光層10呈網(wǎng)狀。比如，部分凹槽11的底部沿吸光層10的厚度方向貫穿有通孔12，通孔12的徑向尺寸小于凹槽11的開口的尺寸。凹槽11的底部的通孔12可以為圓形、橢圓形、多邊形等，凹槽11的開口的尺寸可以為圓形、橢圓形、多邊形等，具體的形狀可以根據(jù)實際的情況選擇。
50.可選地，如圖1、圖2、圖3c、圖4c所示，凹槽11的內(nèi)側(cè)壁可以為弧形面，比如，凹槽11可以為半球狀，通過弧形面有利于光線的吸收，減少光的反射。
51.可選地，弧形面所在球面的半徑可以為0.5-2μm，比如，弧形面所在球面的半徑可以為0.5μm或2μm，具體的半徑可以根據(jù)實際的情況選擇。
52.可選地，多個凹槽11均勻間隔分布，多個凹槽11在吸光層10的一側(cè)表面可以呈陣列分布，以便更均勻地吸收光。
53.可選地，相鄰凹槽11的間隔距離可以為0.5-2μm，比如，相鄰凹槽11的間隔距離可以為1μm或2μm，具體的相鄰凹槽11的間隔距離可以根據(jù)實際的情況選擇。
54.在一些實施例中，光敏材料可以包括：鈣鈦礦材料、a-si、ge、ingnas、pbs、zn2geo4和石墨烯中的至少一種。比如，光敏材料可以包括鈣鈦礦材料，光敏材料可以包括ingnas，可以根據(jù)實際從現(xiàn)有的光敏材料選擇一種或多種。鈣鈦礦材料可以表示為abo3，其中，a離子可以為陽離子，可以為半徑較大的稀土或堿土金屬元素，如ca、sr或ba等；b離子可以為陽離子，可以為半徑較小的過渡金屬元素，如ti、mn、pb、fe或sn等；o離子可以為陰離子，可以位鹵素，如f(氟)、cl(氯)、br(溴)、i(碘)等，具體的鈣鈦礦材料可以根據(jù)實際情況選擇。光敏材料可以為其他的二維(2d)光敏材料，比如石墨烯，可以根據(jù)實際從現(xiàn)有的材料選擇。
55.可選地，如圖1、圖2和圖5所示，第二電極22覆蓋吸光層10的部分區(qū)域，第二電極22的數(shù)量可以為一個或多個，比如，第二電極22的數(shù)量可以為兩個，兩個第二電極22可以間隔設(shè)置，兩個第二電極22可以覆蓋吸光層10的部分區(qū)域。第二電極22可以為金材料電極，第二電極22可以為片狀電極，比如，第二電極22可以為長片狀電極，兩個第二電極22可以共面設(shè)置。
56.可選地，吸光層10的厚度可以為400-2000nm，比如，吸光層10的厚度可以為400nm或1000nm，吸光層10的具體厚度可以為根據(jù)實際選擇。
57.可選地，第二電極22的厚度可以為80-200nm，比如，第二電極22的厚度可以為80nm或100nm，第二電極22的具體厚度可以為根據(jù)實際選擇。
58.在一些實施例中，凹槽11的內(nèi)側(cè)壁可以為弧形面，弧形面所在球面的半徑可以為0.5-2μm，相鄰凹槽11的間隔距離可以為0.5-2μm。吸光層10可以包括第一區(qū)域、第二區(qū)域，第一區(qū)域中的凹槽11的徑向尺寸與第二區(qū)域中的凹槽11的徑向尺寸可以不同，比如，第一區(qū)域中的凹槽11的徑向尺寸可以小于第二區(qū)域中的凹槽11的徑向尺寸，使得吸光層10的不同區(qū)域可以具有不同的檢測能力，可以根據(jù)需要選擇不同的區(qū)域進(jìn)行探測。
59.可選地，吸光層10可以包括第一區(qū)域、第二區(qū)域，第一區(qū)域中的凹槽11的分布密度與第二區(qū)域中的凹槽11的分布密度可以不同，比如，第一區(qū)域中的凹槽11的分布密度可以小于第二區(qū)域中的凹槽11的分布密度，第二區(qū)域中的凹槽11的分布密度大可以有利于光線的吸收。不同區(qū)域中的凹槽11的分布密度不同，可以使得吸光層10的不同區(qū)域可以具有不同的檢測能力，可以根據(jù)需要選擇不同的區(qū)域進(jìn)行探測。
60.可選地，吸光層10可以包括第一區(qū)域、第二區(qū)域，第一區(qū)域中吸光層10的材料與第二區(qū)域中吸光層10的材料可以相同或不同。第一區(qū)域中吸光層10的材料與第二區(qū)域中吸光層10的材料可以不同，比如，第一區(qū)域中吸光層10的材料可以為a-si，第二區(qū)域中吸光層10的材料可以為pbs，可以使得吸光層10的不同區(qū)域可以具有不同的檢測能力，可以根據(jù)需要選擇不同的區(qū)域進(jìn)行探測。
61.在一些實施例中，如圖2、圖3c、圖4c所示，光敏探測器還可以包括：基板30，基板30為透光材料件，比如，基板10可以為透光的玻璃基板。基板30可以設(shè)置于第一電極21遠(yuǎn)離吸光層10的一側(cè)，第一電極21位于吸光層10與基板30之間，基板30可以具有支撐和保護(hù)作用。
62.本發(fā)明實施例的光敏探測器的制備方法，包括：
63.提供具有第一電極21的基板30，基板30與第一電極21均為透光材料件；
64.在第一電極21遠(yuǎn)離基板30的一側(cè)形成吸光層10，其中，吸光層10包括光敏材料，吸光層10遠(yuǎn)離基板30的一側(cè)表面分布有多個凹槽11；
65.在吸光層10遠(yuǎn)離基板30的一側(cè)形成第二電極22。
66.基板10可以為透光的玻璃基板，第一電極11可以為氧化銦錫(ito)材料層。多個凹槽11在吸光層10的一側(cè)表面可以呈陣列分布，以便更均勻地吸收光。第一電極21的面積可以與吸光層10的面積相等，以便于第一電極21與吸光層10充分接觸。
67.通過本發(fā)明實施例的方法制備的光敏探測器，吸光層10的一側(cè)表面分布有多個凹槽11，第一電極21設(shè)置在吸光層10的另一側(cè)，第一電極11為透光電極，第二電極12設(shè)置于吸光層10的一側(cè)。通過在吸光層10表面設(shè)置多個凹槽11，可以減少吸光層對光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光電探測器的檢測精確度和靈敏度，該探測器結(jié)構(gòu)簡單，檢測可靠性高。
68.在本發(fā)明的實施例中，在第一電極21遠(yuǎn)離基板30的一側(cè)形成吸光層的步驟可以包括：
69.在第一電極21遠(yuǎn)離基板30的一側(cè)形成模板，模板包括多個微球40；
70.沉積鈣鈦礦薄膜；
71.將沉積有鈣鈦礦薄膜的基板浸入溶劑中溶解微球40形成吸光層10。
72.在制備過程中，多個微球40之間可以相互接觸或間隔開一定的間距，由于微球40
的存在，在沉積鈣鈦礦薄膜的過程中，鈣鈦礦材料會沉積在微球40之間的間隙中，在微球與基板30之間的間隙中會沉積鈣鈦礦材料；在沉積的鈣鈦礦薄膜達(dá)到所需的厚度時，可以將沉積有鈣鈦礦薄膜的基板浸入溶劑中溶解微球40形成吸光層10，通過溶劑可以溶解微球40，在微球所在的位置形成凹槽11，進(jìn)而形成吸光層10。
73.在本發(fā)明的實施例中，至少部分凹槽11的底部可以沿吸光層10的厚度方向貫穿。
74.可選地，凹槽11的內(nèi)側(cè)壁可以為弧形面，弧形面所在球面的半徑可以為0.5-2μm，比如，弧形面所在球面的半徑可以為0.5μm或2μm。凹槽11可以為半球狀，通過弧形面有利于光線的吸收，減少光的反射。
75.可選地，多個凹槽11均勻間隔分布，多個凹槽11在吸光層10的一側(cè)表面可以呈陣列分布，以便更均勻地吸收光。相鄰凹槽11的間隔距離可以為0.5-2μm，比如，相鄰凹槽11的間隔距離可以為1μm或2μm。
76.可選地，光敏材料可以包括：鈣鈦礦材料、a-si、ge、ingnas、pbs、zn2geo4和石墨烯中的至少一種。比如，光敏材料可以包括鈣鈦礦材料，光敏材料可以包括ingnas，可以根據(jù)實際從現(xiàn)有的光敏材料選擇一種或多種。
77.可選地，第二電極22覆蓋吸光層10的部分區(qū)域，第二電極22的數(shù)量可以為一個或多個，比如，第二電極22的數(shù)量可以為兩個，兩個第二電極22可以間隔設(shè)置，兩個第二電極22可以覆蓋吸光層10的部分區(qū)域。第二電極22可以為金材料電極，第二電極22可以為片狀電極，比如，第二電極22可以為長片狀電極，兩個第二電極22可以共面設(shè)置。
78.可選地，吸光層10的厚度可以為400-2000nm，比如，吸光層10的厚度可以為400nm或1000nm。第二電極22的厚度可以為80-200nm，比如，第二電極22的厚度可以為80nm或100nm，吸光層10與第二電極22的具體厚度可以為根據(jù)實際選擇。
79.在制備過程中，如圖3a至圖3c以及如圖4a至圖4c、圖5所示，可以先清洗干燥ito玻璃基板，將微球40轉(zhuǎn)移到基板30上，然后在基板30上沉積光敏材料，比如，可以在基板30上沉積鈣鈦礦材料，沉積到一定的厚度時，停止沉積，然后去除微球40，在基板30上形成具有凹槽11的吸光層10。根據(jù)微球的排布間距以及排布情況可以獲得不同直徑和排布情況的凹槽。基板30上放置微球的表面可以是光滑的平面，也可以是表面粗糙的平面，比如，表面可以具有微凸起，以便于微球的放置。
80.在具體制備過程中，可以包括以下步驟：
81.清洗干燥ito玻璃基板；
82.將由微球在水面上自組裝組成的單層薄膜模板轉(zhuǎn)移到基板上；微球可以為聚苯乙烯(ps)球，便于后續(xù)通過溶劑去除；
83.隨后將具有模板的基板在90℃下退火3分鐘以增強(qiáng)其與基板的接觸，微球在基板上的電鏡示意圖可以如圖6所示；
84.以ch3nh3pbi3光敏材料為例，進(jìn)行沉積薄膜，具體如下：
85.可以采用蒸鍍或者旋涂工藝制備，其中，(1)旋涂工藝可以包括：在惰性氣體手套箱中，配置鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，mai(化胺)和pbi2以摩爾比1：1混合在dmf(n,n-二甲基甲酰胺)/dmso(二甲基亞砜)(v:v＝9:1)的混合溶劑中，攪拌0.5h，使用前過濾；調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速為2000-5000rpm/min，旋涂時間為20-60s，在旋涂開始后2-15s范圍內(nèi)快速滴加200μl的反溶劑氯苯(cb)，以便于結(jié)晶，形成鈣鈦礦薄膜；隨后基板放置到加熱板上100℃退火30min備
用；(2)蒸鍍工藝可以包括：基板轉(zhuǎn)移到真空蒸鍍設(shè)備，預(yù)先進(jìn)行mai的蒸鍍，形成mai的氛圍，隨后控速，以1a(埃)/s的厚度沉積速度進(jìn)行pbi2的沉積，以形成鈣鈦礦薄膜；
86.將沉積有鈣鈦礦薄膜的基板進(jìn)行模板的去除：將基板浸入甲苯溶劑中進(jìn)行ps微球的溶解，隨后將基板再次在100℃退火30min備用；如圖7所示，鈣鈦礦形成的吸光層10可以呈現(xiàn)六邊形排列的凹槽，凹槽開口為圓形，凹槽的周期性間距可以為1μm，使用ps微球的直徑可以為1μm，凹槽的周期性與直徑為1μm微球組成的模板的排布周期性一致；
87.如圖5所示，在吸光層10上可以進(jìn)行第二電極22的沉積，第二電極22可以為金材料，形成具有橫向結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦光電探測器。鈣鈦礦材料吸光層的厚度可以為400-2000nm，金屬電極厚度可以控制在80-200nm范圍內(nèi)，具體的厚度可以根據(jù)實際需要選擇。
88.在其他相同條件下，通過使用不同直徑的ps微球作為模板，可以調(diào)整吸光層上凹槽的孔徑和周期性排布情況，例如，可以使用直徑2μm的ps微球制備周期性間距約為2μm的凹槽。
89.在制備過程中，模板微球的存在限制了鈣鈦礦晶體的結(jié)晶空間，導(dǎo)致溶劑蒸發(fā)延緩并減慢結(jié)晶過程，導(dǎo)致較大晶粒優(yōu)先生長，結(jié)晶度增強(qiáng)。通過本發(fā)明中的方法制備吸光層，降低結(jié)晶過程的空間，降低結(jié)晶動力學(xué)過程。由于凹槽內(nèi)的光反射減少和多次光散射增加，導(dǎo)致吸光層的吸收光的能力增強(qiáng)。
90.上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
技術(shù)特征：
1.一種光敏探測器，其特征在于，包括：吸光層，所述吸光層包括光敏材料，所述吸光層的一側(cè)表面分布有多個凹槽；第一電極，所述第一電極設(shè)置在所述吸光層的另一側(cè)，所述第一電極為透光電極；第二電極，所述第二電極設(shè)置于所述吸光層的一側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，至少部分所述凹槽的底部沿所述吸光層的厚度方向貫穿。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，所述凹槽的內(nèi)側(cè)壁為弧形面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光敏探測器，其特征在于，所述弧形面所在球面的半徑為0.5-2μm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，多個所述凹槽均勻間隔分布。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光敏探測器，其特征在于，相鄰所述凹槽的間隔距離為0.5-2μm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，所述光敏材料包括：鈣鈦礦材料、a-si、ge、ingnas、pbs、zn2geo4和石墨烯中的至少一種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，所述第二電極覆蓋所述吸光層的部分區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光敏探測器，其特征在于，所述吸光層的厚度為400-2000nm；和/或所述第二電極的厚度為80-200nm；和/或所述光敏探測器還包括：基板，所述基板為透光材料件，所述基板設(shè)置于所述第一電極遠(yuǎn)離所述吸光層的一側(cè)。10.一種光敏探測器的制備方法，其特征在于，包括：提供具有第一電極的基板，所述基板與所述第一電極均為透光材料件；在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成吸光層，其中，所述吸光層包括光敏材料，所述吸光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面分布有多個凹槽；在所述吸光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第二電極。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成吸光層的步驟包括：在所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成模板，所述模板包括多個微球；沉積鈣鈦礦薄膜；將沉積有鈣鈦礦薄膜的基板浸入溶劑中溶解所述微球形成吸光層。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種光敏探測器和制備方法，光敏探測器包括：吸光層，吸光層包括光敏材料，吸光層的一側(cè)表面分布有多個凹槽；第一電極，第一電極設(shè)置在吸光層的另一側(cè)，第一電極為透光電極；第二電極，第二電極設(shè)置于吸光層的一側(cè)。在本發(fā)明的光敏探測器中，吸光層包括光敏材料，吸光層的一側(cè)表面分布有多個凹槽，第一電極設(shè)置在吸光層的另一側(cè)，第一電極為透光電極，第二電極設(shè)置于吸光層的一側(cè)。通過在吸光層表面設(shè)置多個凹槽，可以減少吸光層對光的反射，多次光散射有利于提高光吸收的能力，利于提高光電探測器的檢測精確度和靈敏度，該探測器結(jié)構(gòu)簡單，檢測可靠性高。檢測可靠性高。檢測可靠性高。
