一種線路板的線路制作方法及線路板與流程
1.本發(fā)明屬于線路板技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種線路板的線路制作方法及線路板。
背景技術(shù)：
2.對于多層線路板，如雙層線路板、三層線路板等，都是通過設(shè)置過孔并在過孔的孔壁上鍍銅層來完成層間電路的導(dǎo)通。對于一些需要滿足過孔可靠性的產(chǎn)品，要求對孔壁銅厚進行加厚，通常稱為圖形電鍍或選擇性電鍍，該工藝完成后會有明顯孔凸現(xiàn)象,當(dāng)過孔間距較密，線路較小時，孔凸會使菲林無法緊密貼合感光干膜，導(dǎo)致在曝光時，光線會通過貼合縫隙滲漏，導(dǎo)致蝕刻短路異常，當(dāng)孔壁銅厚要求越厚時，問題越凸顯。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
3.本發(fā)明的目的在于提供一種線路板的線路制作方法用以解決上述存在的技術(shù)問題。
4.為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種線路板的線路制作方法，包括如下步驟：
5.s1，對第一表面和第二表面均具有導(dǎo)電層的基材進行鉆孔，進入步驟s2；
6.s2，對基材進行第一次沉鍍銅，使第一表面和第二表面的導(dǎo)電層以及孔壁覆上沉銅層，沉銅層的厚度小于成品的孔壁銅厚，進入步驟s3；
7.s3，在基材的第一表面和第二表面上貼干膜，進入步驟s4；
8.s4，對第一表面的干膜進行線路圖形曝光，對第二表面的干膜整面曝光，進入步驟s5；
9.s5，進行顯影、刻蝕和去膜，進入步驟s6；
10.s6，在基材的第一表面和第二表面貼干膜，進入步驟s7；
11.s7，對第一表面的干膜進行曝光并在孔外周緣的圖鍍區(qū)設(shè)置曝光擋點；對第二表面的干膜整面曝光，進入步驟s8；
12.s8，進行顯影、第二次沉鍍銅和去膜，第二次沉鍍銅使孔壁銅厚達到成品的孔壁銅厚，進入步驟s9；
13.s9，在基材的第一表面和第二表面貼干膜，進入步驟s10；
14.s10，對第一表面的干膜進行整面曝光，對第二表面的干膜進行線路圖形曝光，進入步驟s11；
15.s11，進行顯影、刻蝕和去膜。
16.進一步的，步驟s2中，沉銅層的厚度小于成品的孔壁銅厚的50％，或沉銅層的厚度為5-10μm。
17.進一步的，步驟s4中，第一表面的線路比第二表面的線路細。
18.進一步的，步驟s3、s6和s9中，貼干膜的溫度為100
±
5℃，速度為0.9
±
0.2m/min，壓力為0.7
±
0.1mpa。
19.進一步的，步驟s4、s7和s10中，曝光能量以21級的曝光尺測量，等級為7-9級。
20.進一步的，步驟s5、s8和s11中，采用碳酸鈉顯影液進行顯影。
21.進一步的，步驟s5和s11中，刻蝕采用酸性刻蝕。
22.進一步的，步驟s5、s8和s11中，采用氫氧化鈉溶液去膜。
23.更進一步的，去膜速度為2.5
±
1.0m/min。
24.本發(fā)明還提供了一種線路板，采用上述的線路板的線路制作方法制成。
25.本發(fā)明的有益技術(shù)效果：
26.本發(fā)明既可以滿足孔壁銅厚二次加厚，又可以確保曝光時，菲林緊密貼合干膜，提升精密線路蝕刻良率。
附圖說明
27.為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
28.圖1為本發(fā)明具體實施例的方法流程圖；
29.圖2為本發(fā)明具體實施例的制作過程示意圖。
具體實施方式
30.為進一步說明各實施例，本發(fā)明提供有附圖。這些附圖為本發(fā)明揭露內(nèi)容的一部分，其主要用以說明實施例，并可配合說明書的相關(guān)描述來解釋實施例的運作原理。配合參考這些內(nèi)容，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能理解其他可能的實施方式以及本發(fā)明的優(yōu)點。圖中的組件并未按比例繪制，而類似的組件符號通常用來表示類似的組件。
31.現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明進一步說明。
32.如圖1和2所示，一種線路板的線路制作方法，包括如下步驟：
33.s1，對第一表面和第二表面均具有導(dǎo)電層的基材1進行鉆孔2，如圖2的(a)所示，進入步驟s2。
34.具體的，本實施例中，基材1為雙面覆銅的基材，但并不限于此。第一表面和第二表面分別為上表面和下表面(以圖2為方向基準(zhǔn))。鉆孔采用現(xiàn)有的鉆孔工藝，此已是非常成熟的技術(shù)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以輕易實現(xiàn)的，不再細說。
35.s2，對對鉆孔后的基材1進行第一次沉鍍銅，使上表面和下表面的導(dǎo)電層以及孔壁覆上沉銅層2，沉銅層2的厚度小于成品的孔壁銅厚，如圖2的(b)所示，進入步驟s3。
36.本具體實施例中，沉鍍銅采用的電流密度為0.8-2.0a/平方分米，沉銅層2的厚度優(yōu)選為5-10μm，滿足上下表面銅層電連接，但并不以此為限，在一些實施例中，沉銅層2的厚度滿足不超過成品的孔壁銅厚的50％即可。
37.s3，在第一次沉鍍銅后的基材1的上表面和下表面上貼干膜3，如圖2的(c)所示，進入步驟s4。
38.本具體實施例中，貼干膜的溫度為100
±
5℃，速度為0.9
±
0.2m/min，壓力為0.7
±
0.1mpa，貼合效果較好，但并不限于此。
39.s4，對上表面的干膜3進行線路圖形曝光，對下表面的干膜3進行整面曝光，如圖2的(d)所示，進入步驟s5。
40.具體的，采用菲林4對上表面的干膜3進行線路圖形曝光，優(yōu)選的，上表面的線路比下表面的線路細，此時整板銅厚一致，菲林4與干膜3貼合緊密，可以避免曝光短路現(xiàn)象，下表面的干膜3直接整面曝光，使干膜3防護住下表面的整面銅層。曝光能量用21級的曝光尺測量，等級為7-9級，曝光效果好，但并不限于此。
41.s5，進行顯影、刻蝕和去膜，進入步驟s6。
42.本具體實施例中，顯影采用碳酸鈉顯影液，碳酸鈉含量9-11g/l，藥液溫度30
±
2℃，噴嘴壓力2.0
±
0.3kgf/cm2，顯影速度2
±
0.3m/min，顯影效果好，但并不以此為限。顯影將上表面的線路面的過孔圖鍍區(qū)和線路區(qū)的干膜保留，其它區(qū)域的干膜顯掉，下表面的整面干膜保留，如圖2的(e)所示。
43.刻蝕采用酸性蝕刻，使用hcl2.6
±
0.5mg/l，h2o2含量450-950mol/l，含銅量130
±
30g/l，藥液溫度52
±
2℃，根據(jù)蝕刻銅厚，可以調(diào)整蝕刻速度為0.5-4m/min，刻蝕后如圖2的(f)所示。
44.去膜采用naoh溶液，槽液溫度50
±
2℃，其中膨松段采用1％-2％濃度的naoh溶液，使大片干膜脫落，再進一步用脫膜槽段配1.5％-2.5％濃度的naoh溶液，以溶解細小干膜殘留。去膜速度優(yōu)選2.5
±
1.0m/min，去膜后如圖2的(g)所示。
45.s6，在去膜后的基材1的上表面和下表面貼干膜3，如圖2的(h)所示，進入步驟s7。
46.本具體實施例中，貼干膜3的溫度為100
±
5℃，速度為0.9
±
0.2m/min，壓力為0.7
±
0.1mpa，貼合效果較好，但并不限于此。
47.s7，對上表面的干膜3進行曝光并在孔外周緣的圖鍍區(qū)設(shè)置曝光擋點；對下表面的干膜3整面曝光，如圖2的(i)所示，進入步驟s8。
48.具體的，采用菲林4對上表面的干膜3進行曝光并在孔11外周緣的圖鍍區(qū)設(shè)置曝光擋點41，曝光能量用21級的曝光尺測量，等級為7-9級，曝光效果好，但并不限于此。本具體實施例中，在上表面和下表面的工藝邊區(qū)域設(shè)置曝光擋點，用于增加電鍍面積，分散電流，防止電流過大導(dǎo)致燒板。
49.s8，進行顯影、第二次沉鍍銅和去膜，第二次沉鍍銅使孔壁銅厚達到成品的孔壁銅厚，進入步驟s9。
50.本具體實施例中，顯影采用碳酸鈉顯影液，碳酸鈉含量9-11g/l，藥液溫度30
±
2℃，噴嘴壓力2.0
±
0.3kgf/cm2，顯影速度2
±
0.3m/min，顯影效果好，但并不以此為限。顯影將上表面的線路面的過孔圖鍍區(qū)和上下表面的工藝邊的干膜3顯掉，其余上下表面的產(chǎn)品區(qū)的干膜3保留已形成鍍銅保護層，如圖2的(j)所示。
51.本具體實施例中，第二次沉鍍銅采用直流電鍍，通過下表面的銅層導(dǎo)通，使過孔圖鍍區(qū)及孔壁與電鍍液進行電解反應(yīng)，沉積上二次沉銅層21，使得孔壁銅厚達到成品的孔壁銅厚，電流密度優(yōu)選為0.8-2.0a/平方分米，二次沉銅層21的厚度優(yōu)選為10-25μm，但并不以此為限，第二次沉鍍銅如圖2的(k)所示。
52.去膜采用naoh溶液，槽液溫度50
±
2℃，其中膨松段采用1％-2％濃度的naoh溶液，使大片干膜脫落，再進一步用脫膜槽段配1.5％-2.5％濃度的naoh溶液，以溶解細小干膜殘留。去膜速度優(yōu)選2.5
±
1.0m/min，去膜后如圖2的(l)所示。
53.s9，在去膜后的基材1的上表面和下表面貼干膜3，如圖2的(m)，進入步驟s10。
54.本具體實施例中，貼干膜的溫度為100
±
5℃，速度為0.9
±
0.2m/min，壓力為0.7
±
0.1mpa，貼合效果較好，但并不限于此。
55.s10，對上表面的干膜3進行整面曝光，對下表面的干膜3進行線路圖形曝光，如圖2的(n)所示，進入步驟s11。
56.具體的，采用菲林4對下表面的干膜3進行線路圖形曝光，此時下表面的銅層保持平整，無孔凸的問題，菲林4可以緊密貼合于干膜3表面，有效避免曝光短路現(xiàn)象，提升蝕刻良率。對上表面的干膜3直接進行整面曝光，以保護線路不被蝕刻。曝光能量用21級的曝光尺測量，等級為7-9級，曝光效果好，但并不限于此。
57.s11，進行顯影、刻蝕和去膜。
58.本具體實施例中，顯影采用碳酸鈉顯影液，碳酸鈉含量9-11g/l，藥液溫度30
±
2℃，噴嘴壓力2.0
±
0.3kgf/cm2，顯影速度2
±
0.3m/min，顯影效果好，但并不以此為限。顯影后如圖2的(o)所示。
59.刻蝕采用酸性蝕刻，使用hcl2.6
±
0.5mg/l，h2o2含量450-950mol/l，含銅量130
±
30g/l，藥液溫度52
±
2℃，根據(jù)蝕刻銅厚，可以調(diào)整蝕刻速度0.5-4m/min，刻蝕后如圖2的(p)所示。
60.去膜采用naoh溶液，槽液溫度50
±
2℃，其中膨松段采用1％-2％濃度的naoh溶液，使大片干膜脫落，再進一步用脫膜槽段配1.5％-2.5％濃度的naoh溶液，以溶解細小干膜殘留。去膜速度優(yōu)選2.5
±
1.0m/min。去膜后即形成最終的成品100，如圖2的(q)所示。
61.如圖2的(q)所示，本發(fā)明還提供了一種線路板100，采用上述的線路板的線路制作方法制成。
62.本發(fā)明既可以滿足孔壁銅厚二次加厚，又可以確保曝光時，菲林緊密貼合干膜，提升精密線路蝕刻良率。
63.盡管結(jié)合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護范圍。
技術(shù)特征：
1.一種線路板的線路制作方法，其特征在于，包括如下步驟：s1，對第一表面和第二表面均具有導(dǎo)電層的基材進行鉆孔，進入步驟s2；s2，對基材進行第一次沉鍍銅，使第一表面和第二表面的導(dǎo)電層以及孔壁覆上沉銅層，沉銅層的厚度小于成品的孔壁銅厚，進入步驟s3；s3，在基材的第一表面和第二表面上貼干膜，進入步驟s4；s4，對第一表面的干膜進行線路圖形曝光，對第二表面的干膜整面曝光，進入步驟s5；s5，進行顯影、刻蝕和去膜，進入步驟s6；s6，在基材的第一表面和第二表面貼干膜，進入步驟s7；s7，對第一表面的干膜進行曝光并在孔外周緣的圖鍍區(qū)設(shè)置曝光擋點；對第二表面的干膜整面曝光，進入步驟s8；s8，進行顯影、第二次沉鍍銅和去膜，第二次沉鍍銅使孔壁銅厚達到成品的孔壁銅厚，進入步驟s9；s9，在基材的第一表面和第二表面貼干膜，進入步驟s10；s10，對第一表面的干膜進行整面曝光，對第二表面的干膜進行線路圖形曝光，進入步驟s11；s11，進行顯影、刻蝕和去膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s2中，沉銅層的厚度小于成品的孔壁銅厚的50％，或沉銅層的厚度為5-10μm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s4中，第一表面的線路比第二表面的線路細。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s3、s6和s9中，貼干膜的溫度為100
±
5℃，速度為0.9
±
0.2m/min，壓力為0.7
±
0.1mpa。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s4、s7和s10中，曝光能量以21級的曝光尺測量，等級為7-9級。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s5、s8和s11中，采用碳酸鈉顯影液進行顯影。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s5和s11中，刻蝕采用酸性刻蝕。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，步驟s5、s8和s11中，采用氫氧化鈉溶液去膜。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線路板的線路制作方法，其特征在于，去膜速度為2.5
±
1.0m/min。10.一種線路板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任意一項所述的線路板的線路制作方法制成。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種線路板的線路制作方法及線路板，其中，線路板的線路制作方法包括如下步驟：S1，對第一和第二表面均具有導(dǎo)電層的基材進行鉆孔；S2，對基材進行第一次沉鍍銅，使第一表面和第二表面的導(dǎo)電層以及孔壁覆上沉銅層；S3，在基材的第一和第二表面上貼干膜；S4，對第一和第二表面的干膜分別進行線路圖形和整面曝光；S5，進行顯影、刻蝕和去膜；S6，在基材的第一和第二表面貼干膜；S7，對第一表面的干膜進行曝光并在孔外周緣的圖鍍區(qū)設(shè)置曝光擋點；對第二表面的干膜整面曝光；S8，進行顯影、第二次沉鍍銅和去膜；S9，在基材的第一和第二表面貼干膜；S10，對第一和第二表面的干膜分別進行整面和線路圖形曝光；S11，進行顯影、刻蝕和去膜。蝕和去膜。蝕和去膜。
