本文作者:kaifamei

一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜的制作方法

更新時間:2025-12-27 04:37:22 0條評論

一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜的制作方法



1.本發明涉及技術領域,尤其涉及一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜。


背景技術:

2.閘機,是一種通道阻擋裝置,在控制其自動升降的過程中對線纜的要求也與普通電纜的要求不一樣。控制閘機動作的電磁波在線纜中縱向傳輸的同時向外界輻射電磁波,外界的電磁場也可對線纜內部進行干擾;同時,閘機所用的信號傳輸電纜在使用時需要有較強的靈活性,可以隨著閘機的升降靈活移動或拖拽。因此,如何提高電纜的抗干擾性能、使用安全性和耐磨易彎曲性能變得尤其重要。


技術實現要素:

3.基于背景技術存在的技術問題,本發明提出了一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜。
4.本發明采用的技術方案是:
5.一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜,包括纜芯,所述纜芯包括六根語音線、三根信號線,所述語音線包括語音線導體和包覆在語音線導體外的聚烯烴絕緣層;所述信號線包括有信號線導體,所述信號線導體外從內到外依次包覆有發泡聚乙烯絕緣層、鍍錫銅絲單獨屏蔽層、細芳綸紗繞包層;所述六根語音線、三根信號線之間填充多根細芳綸紗繩,將所述六根語音線、三根信號線絞合形成纜芯,所述纜芯外重疊繞包二層鋁塑復合帶屏蔽層,所述鋁塑復合帶屏蔽層的導電面朝內并縱拖一根地線,所述地線為鍍錫銅絲引流線;所述鋁塑復合帶總屏蔽層包覆有鍍錫銅絲編織總屏蔽層,所述鍍錫銅絲編織總屏蔽層外擠包有聚氨酯護套,所述聚氨酯護套的外表面呈齒狀。
6.進一步地,所述語音線導體、信號線導體均采用鍍錫合金銅箔絲絞合導體。所述鍍錫銅絲單獨屏蔽層采用φ0.008mm鍍錫銅絲纏繞而成。
7.進一步地,所述發泡聚乙烯絕緣層,其材料包括了下述重量份的各原料:
8.ac發泡劑7-10、高密度聚乙烯130-150、木質素10-15、4-二甲氨基吡啶10-20、2-溴-2-甲基丙酰溴30-40、異氰尿酸三縮水甘油酯2-4、甲基丙烯酸三氟乙酯40-50、叔丁基對二苯酚0.5-1、納米二氧化硅6-10、氯化亞銅1-2、三乙胺2-3。
9.所述發泡聚乙烯絕緣層的制備方法,包括以下步驟:
10.(1)取異氰尿酸三縮水甘油酯,加入到其重量80-90倍的二甲基甲酰胺中,攪拌均勻,加入甲基丙烯酸三氟乙酯,攪拌均勻,得單體分散液;
11.(2)取木質素,加入到其重量30-40倍的n,n-二甲基甲酰胺中,送入到攪拌釜中,加入4-二甲氨基吡啶,攪拌均勻,置于冰水浴中,加入2-溴-2-甲基丙酰溴,靜止3-5小時,出料,常溫下攪拌15-20小時,真空抽濾,將濾餅水洗,50-55℃下真空干燥,得引發劑;
12.(3)取三乙胺、納米二氧化硅混合,加入到混合料重量30-40倍的n,n-二甲基甲酰胺中,超聲1-2小時,得硅分散液;
13.(4)取引發劑,加入到上述預單體分散液中,送入到反應釜中,通入氮氣,調節反應釜溫度為70-80℃,加溴化亞銅,攪拌反應3-4小時,加入上述硅分散液,升高溫度為120-130℃,攪拌反應1.5-2小時,出料,旋蒸除去二甲基甲酰胺,得改性填料;
14.(5)取上述改性填料,與高密度聚乙烯、叔丁基對二苯酚混合,攪拌均勻,送入到擠出機中,熔融擠出,冷卻,得預混母粒;
15.(6)取上述預混母粒,與ac發泡劑混合,在120-130℃下蒸汽加熱1-2小時,冷卻至常溫,即得。
16.本發明的優點是:
17.本發明中,信號線和語音線的絕緣層分別采用了發泡聚乙烯材質和低煙無鹵阻燃聚烯烴材質,極大的提高了其阻燃性能,同時保證了其具備一定的柔軟性;
18.本發明中,采用了多種屏蔽結構,鍍錫銅絲單獨屏蔽層、二層鋁塑復合帶屏蔽層、鍍錫銅絲編織總屏蔽層,進一步地保證了信號不受外界干擾的順暢傳輸,抗干擾能力強;
19.本發明中,增設了一根鍍錫銅絲引流線,保證了電纜在閘機這種人流較大的地方的使用安全性;
20.本發明中,采用了耐磨易彎曲阻燃聚氨酯護套,且聚氨酯護套的外表面呈齒狀,使得電纜滿足柔軟易彎曲性能和耐磨性能的要求。
21.本發明加入的發泡聚乙烯絕緣層,以木質素為原料,制備纖維素基atrp引發劑,然后引發甲基丙烯酸三氟乙酯聚合,提高了聚合物的韌性和強度,本發明以異氰尿酸三縮水甘油酯處理單體,然后與胺改性的二氧化硅分散液共混,高溫下促進環氧交聯,實現了二氧化硅、木質素在聚合物基體間的有效分散,從而提高了成品材料的力學穩定性。
附圖說明
22.圖1為本發明的結構示意圖。
23.圖中:語音線導體1、聚烯烴絕緣層2、信號線導體3、發泡聚乙烯絕緣層4、鍍錫銅絲單獨屏蔽層5、細芳綸紗繞包層6、細芳綸紗繩7、鋁塑復合帶屏蔽層8、地線9、鍍錫銅絲編織總屏蔽層10、聚氨酯護套11。
具體實施方式
24.下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。
25.實施例1。
26.如圖1所示,一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜,包括纜芯,纜芯包括六根語音線、三根信號線,語音線包括語音線導體1和包覆在語音線導體外的聚烯烴絕緣層2;信號線包括有信號線導體3,信號線導體3外從內到外依次包覆有發泡聚乙烯絕緣層4、鍍錫銅絲單獨屏蔽層5、細芳綸紗繞包層6;六根語音線、三根信號線之間填充多根細芳綸紗繩7,將六根語音線、三根信號線絞合形成纜芯,纜芯外重疊繞包二層鋁塑復合帶屏蔽層8,鋁塑復合帶屏蔽層8的導電面朝內并縱拖一根地線9,地線9為鍍錫銅絲引流線;鋁塑復合帶總屏蔽層8包覆有鍍錫銅絲編織總屏蔽層10,鍍錫銅絲編織總屏蔽層10外擠包有聚氨酯護套11,聚氨酯護套11的外表面呈齒狀。
27.語音線導體1、信號線導體3均采用鍍錫合金銅箔絲絞合導體。鍍錫銅絲單獨屏蔽層5采用φ0.008mm鍍錫銅絲纏繞而成。
28.發泡聚乙烯絕緣層4,其材料包括了下述重量份的各原料:
29.ac發泡劑7、高密度聚乙烯130、木質素10、4-二甲氨基吡啶10、2-溴-2-甲基丙酰溴30、異氰尿酸三縮水甘油酯2、甲基丙烯酸三氟乙酯40、叔丁基對二苯酚0.5、納米二氧化硅6、氯化亞銅1-2、三乙胺2。
30.所述發泡聚乙烯絕緣層4的制備方法,包括以下步驟:
31.(1)取異氰尿酸三縮水甘油酯,加入到其重量80倍的二甲基甲酰胺中,攪拌均勻,加入甲基丙烯酸三氟乙酯,攪拌均勻,得單體分散液;
32.(2)取木質素,加入到其重量30倍的n,n-二甲基甲酰胺中,送入到攪拌釜中,加入4-二甲氨基吡啶,攪拌均勻,置于冰水浴中,加入2-溴-2-甲基丙酰溴,靜止3小時,出料,常溫下攪拌15小時,真空抽濾,將濾餅水洗,55℃下真空干燥,得引發劑;
33.(3)取三乙胺、納米二氧化硅混合,加入到混合料重量30倍的n,n-二甲基甲酰胺中,超聲1小時,得硅分散液;
34.(4)取引發劑,加入到上述預單體分散液中,送入到反應釜中,通入氮氣,調節反應釜溫度為70℃,加溴化亞銅,攪拌反應3小時,加入上述硅分散液,升高溫度為120℃,攪拌反應1.5小時,出料,旋蒸除去二甲基甲酰胺,得改性填料;
35.(5)取上述改性填料,與高密度聚乙烯、叔丁基對二苯酚混合,攪拌均勻,送入到擠出機中,熔融擠出,冷卻,得預混母粒;
36.(6)取上述預混母粒,與ac發泡劑混合,在120℃下蒸汽加熱1小時,冷卻至常溫,即得。
37.實施例2。
38.如圖1所示,一種閘機升降用信號傳輸同軸復合纜,包括纜芯,纜芯包括六根語音線、三根信號線,語音線包括語音線導體1和包覆在語音線導體外的聚烯烴絕緣層2;信號線包括有信號線導體3,信號線導體3外從內到外依次包覆有發泡聚乙烯絕緣層4、鍍錫銅絲單獨屏蔽層5、細芳綸紗繞包層6;六根語音線、三根信號線之間填充多根細芳綸紗繩7,將六根語音線、三根信號線絞合形成纜芯,纜芯外重疊繞包二層鋁塑復合帶屏蔽層8,鋁塑復合帶屏蔽層8的導電面朝內并縱拖一根地線9,地線9為鍍錫銅絲引流線;鋁塑復合帶總屏蔽層8包覆有鍍錫銅絲編織總屏蔽層10,鍍錫銅絲編織總屏蔽層10外擠包有聚氨酯護套11,聚氨酯護套11的外表面呈齒狀。
39.語音線導體1、信號線導體3均采用鍍錫合金銅箔絲絞合導體。鍍錫銅絲單獨屏蔽層5采用φ0.008mm鍍錫銅絲纏繞而成。
40.發泡聚乙烯絕緣層,其材料包括了下述重量份的各原料:
41.ac發泡劑10、高密度聚乙烯150、木質素15、4-二甲氨基吡啶20、2-溴-2-甲基丙酰溴40、異氰尿酸三縮水甘油酯4、甲基丙烯酸三氟乙酯50、叔丁基對二苯酚1、納米二氧化硅10、氯化亞銅2、三乙胺3。
42.發泡聚乙烯絕緣層的制備方法,包括以下步驟:
43.(1)取異氰尿酸三縮水甘油酯,加入到其重量90倍的二甲基甲酰胺中,攪拌均勻,加入甲基丙烯酸三氟乙酯,攪拌均勻,得單體分散液;
44.(2)取木質素,加入到其重量40倍的n,n-二甲基甲酰胺中,送入到攪拌釜中,加入4-二甲氨基吡啶,攪拌均勻,置于冰水浴中,加入2-溴-2-甲基丙酰溴,靜止5小時,出料,常溫下攪拌20小時,真空抽濾,將濾餅水洗,55℃下真空干燥,得引發劑;
45.(3)取三乙胺、納米二氧化硅混合,加入到混合料重量40倍的n,n-二甲基甲酰胺中,超聲2小時,得硅分散液;
46.(4)取引發劑,加入到上述預單體分散液中,送入到反應釜中,通入氮氣,調節反應釜溫度為80℃,加溴化亞銅,攪拌反應4小時,加入上述硅分散液,升高溫度為130℃,攪拌反應2小時,出料,旋蒸除去二甲基甲酰胺,得改性填料;
47.(5)取上述改性填料,與高密度聚乙烯、叔丁基對二苯酚混合,攪拌均勻,送入到擠出機中,熔融擠出,冷卻,得預混母粒;
48.(6)取上述預混母粒,與ac發泡劑混合,在130℃下蒸汽加熱1-2小時,冷卻至常溫,即得。
49.以上所述,僅為本發明較佳的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。


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