陣列基板及顯示面板的制作方法
1.本技術(shù)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù)：
2.隨著現(xiàn)在面板產(chǎn)品逐漸往窄邊框化以及高分辨率的方向發(fā)展，拼縫小于5.5mm的超窄邊框以及拼縫小于1mm的超窄邊框等超高清液晶顯示器的應(yīng)用，為面板行業(yè)注入新的活力和生機(jī)。采用將柵極驅(qū)動(dòng)器以薄膜覆晶封裝方式的設(shè)計(jì)，將掃描線和數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)信號(hào)設(shè)計(jì)在同一側(cè)，減小液晶顯示器左右兩邊的寬度，實(shí)現(xiàn)超窄邊框的效果。
3.在柵極驅(qū)動(dòng)器以薄膜覆晶封裝方式的設(shè)計(jì)中，由于像素內(nèi)存在掃描線垂直方向的走線，而掃描線垂直方向的走線與像素之間存在寄生電容，掃描線垂直方向的走線與像素之間的寄生電容對(duì)像素的耦合效應(yīng)，使顯示面板產(chǎn)生串?dāng)_，影響顯示面板的產(chǎn)品質(zhì)量。
4.因而，如何減小掃描線垂直方向的走線與像素之間的寄生電容是本領(lǐng)域亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
5.本技術(shù)提供一種陣列基板及顯示面板，能夠減小垂直掃描線與像素電極之間的寄生電容，提升顯示效果。
6.一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：襯底基板、掃描走線層以及公共電極層；所述掃描走線層設(shè)于所述襯底基板上，所述掃描走線層包括垂直掃描線；所述公共電極層設(shè)于所述掃描走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述公共電極層包括公共電極以及水平掃描線，所述水平掃描線與所述公共電極間隔設(shè)置，且所述水平掃描線與所述垂直掃描線電連接；其中，所述公共電極在所述襯底基板上的正投影至少部分覆蓋所述垂直掃描線在所述襯底基板上的正投影。
7.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)走線層，所述數(shù)據(jù)走線層設(shè)于所述公共電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述數(shù)據(jù)走線層包括數(shù)據(jù)信號(hào)線。
8.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板還包括像素電極層，所述像素電極層設(shè)于所述數(shù)據(jù)走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述像素電極層包括像素電極，所述像素電極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述數(shù)據(jù)信號(hào)線在所述襯底基板上的正投影，且所述像素電極在所述襯底基板上的正投影至少部分覆蓋所述公共電極在所述襯底基板上的正投影。
9.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述垂直掃描線設(shè)于相鄰兩個(gè)所述像素電極之間。
10.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線在所述襯底基板上的正投影位于所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的中心線上。
11.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述公共電極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述垂直掃描線在所述襯底基板上的正投影。
12.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述公共電極包括第一子電極以及第二子電極，所述第一子電極與所述第二子電極間隔設(shè)置，所述第一子電極與所述像素電極至少部分交疊，且所述第一子電極與所述垂直掃描線部分交疊；所述第二子電極設(shè)于相鄰兩個(gè)所述像素電極之間，所述第二子電極與所述垂直掃描線部分交疊。
13.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述垂直掃描線的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的數(shù)量相等。
14.可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板還包括第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)于所述掃描走線層與所述公共電極層之間，所述第二絕緣層設(shè)于所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)走線層之間，所述第三絕緣層設(shè)于所述數(shù)據(jù)走線層與所述像素電極層之間。
15.另一方面，本技術(shù)提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板。
16.本技術(shù)提供一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括：襯底基板、掃描走線層以及公共電極層；所述掃描走線層設(shè)于所述襯底基板上，所述掃描走線層包括垂直掃描線；所述公共電極層設(shè)于所述掃描走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述公共電極層包括公共電極以及水平掃描線，所述水平掃描線與所述公共電極間隔設(shè)置，且所述水平掃描線與所述垂直掃描線電連接；其中，所述公共電極在所述襯底基板上的正投影至少部分覆蓋所述垂直掃描線在所述襯底基板上的正投影。本技術(shù)提供的陣列基板能夠減小垂直掃描線與像素電極之間的寄生電容，改善寄生電容對(duì)各像素的耦合效應(yīng)，降低串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)，提升顯示效果。
附圖說明
17.為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
18.圖1是本技術(shù)實(shí)施例提供的陣列基板的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖；
19.圖2是圖1中像素單元11的等效電路圖；
20.圖3是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之一；
21.圖4是圖1中像素單元11的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
22.圖5是圖1中的陣列基板沿bb’方向的剖視圖；
23.圖6是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之二；
24.圖7是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之三；
25.圖8是陣列基板中垂直掃描線與水平掃描線之間的連接關(guān)系的示意圖。
具體實(shí)施方式
26.下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。
27.本技術(shù)實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示面板，能夠減小垂直掃描線與像素電極之間的寄生電容，提升顯示效果。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。需說明的是，以下實(shí)施例的描述順
序不作為對(duì)實(shí)施例優(yōu)選順序的限定。另外，在本技術(shù)的描述中，術(shù)語(yǔ)“包括”是指“包括但不限于”。術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅僅作為標(biāo)示使用，其用于區(qū)別不同對(duì)象，而不是用于描述特定順序。
28.請(qǐng)參閱圖1至圖5，圖1是本技術(shù)實(shí)施例提供的陣列基板的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中像素單元11的等效電路圖；圖3是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之一；圖4是圖1中像素單元11的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖1中的陣列基板沿bb’方向的剖視圖。如圖1至圖5所示，本技術(shù)實(shí)施例提供一種陣列基板100，包括：襯底基板10、掃描走線層20以及公共電極層30；掃描走線層20設(shè)于襯底基板10上，掃描走線層20包括垂直掃描線21；公共電極層30設(shè)于掃描走線層20遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，公共電極層30包括公共電極31以及水平掃描線32，水平掃描線32與公共電極31間隔設(shè)置，且水平掃描線32與垂直掃描線21電連接；其中，公共電極31在襯底基板10上的正投影至少部分覆蓋垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影。
29.本技術(shù)提供的陣列基板100通過設(shè)置掃描走線層20以及公共電極層30，使得公共電極層30中的公共電極31在襯底基板10上的正投影能夠至少部分覆蓋掃描走線層20中的垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影，進(jìn)而減小寄生電容，避免由寄生電容引起串?dāng)_，提升顯示效果。
30.在本技術(shù)實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，陣列基板包括陣列排布的多個(gè)像素單元11、垂直掃描線21、水平掃描線32以及數(shù)據(jù)信號(hào)線41，其中，像素單元11包括像素電極51以及開關(guān)晶體管t1。具體地，垂直掃描線21位于相鄰的沿陣列基板寬度方向y排列的像素單元11列之間，且沿陣列基板寬度方向y延伸；水平掃描線32位于相鄰的沿陣列基板長(zhǎng)度方向x排列的像素單元11行之間，且沿陣列基板長(zhǎng)度方向x延伸；數(shù)據(jù)信號(hào)線41位于沿陣列基板寬度方向y排列的像素單元11列上，且沿陣列基板寬度方向y延伸。其中，垂直掃描線21與至少一條水平掃描線32電連接，具體地，垂直掃描線21可與1條，2條，3條，...n條水平掃描線32電連接，圖1中僅示意出垂直掃描線21與1條水平掃描線32電連接，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，本技術(shù)在此不作具體限定。開關(guān)晶體管t1的源極s與數(shù)據(jù)信號(hào)線41電連接，開關(guān)晶體管t1的柵極g與水平掃描線32電連接，開關(guān)晶體管t1的漏極d與像素電極51電連接。其中，開關(guān)晶體管t1可以位于同一數(shù)據(jù)信號(hào)線41的一側(cè)，也可以位于該數(shù)據(jù)信號(hào)線41的兩側(cè)。
31.如圖2所示，陣列基板100在驅(qū)動(dòng)過程中，掃描信號(hào)通過垂直掃描線21傳輸至對(duì)應(yīng)的水平掃描線32，進(jìn)而加載到開關(guān)晶體管t1的柵極g使得開關(guān)晶體管t1導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號(hào)通過數(shù)據(jù)信號(hào)線41加載到開關(guān)晶體管t1的源極s。其中，液晶電容c
lc
由設(shè)置于陣列基板100上的像素電極51與設(shè)置于彩膜基板(圖中未示出)上的公共電極31構(gòu)成，公共電極31也即a-com；存儲(chǔ)電容c
st
由像素電極51與設(shè)置于陣列基板100上的公共電極31構(gòu)成；寄生電容c
vgp
由垂直掃描線21與像素電極51構(gòu)成；寄生電容c
hgp
由水平掃描線32與像素電極51構(gòu)成。當(dāng)掃描信號(hào)使得開關(guān)晶體管t1處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)通過開關(guān)晶體管t1的漏極d加載到液晶電容c
lc
的像素電極51。當(dāng)加在液晶電容c
lc
之間的電壓發(fā)生變化時(shí)，液晶層(圖中未示出)中的液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向也發(fā)生改變，從而控制通過該像素單元11的光通過率，進(jìn)而控制每個(gè)像素單元11的顯示亮度。而當(dāng)像素電極51與垂直掃描線21之間的寄生電容較大時(shí)，垂直掃描線21上的信號(hào)變化會(huì)對(duì)像素電極51的像素電壓產(chǎn)生較大的干擾，本技術(shù)通過設(shè)置公共電極層30對(duì)垂直掃描線21進(jìn)行覆蓋，以屏蔽垂直掃描線21對(duì)像素電極51的干擾，減小垂直掃描
線21與像素電極51之間的寄生電容，避免由于垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容造成串?dāng)_，提升顯示效果。
32.在本技術(shù)實(shí)施例中，如圖3所示，陣列基板還包括數(shù)據(jù)走線層40，數(shù)據(jù)走線層40設(shè)于公共電極層30遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，數(shù)據(jù)走線層40包括數(shù)據(jù)信號(hào)線41。數(shù)據(jù)信號(hào)線41向像素單元11提供數(shù)據(jù)信號(hào)。
33.在本技術(shù)實(shí)施例中，優(yōu)選地，數(shù)據(jù)信號(hào)線41的橫截面寬度大于垂直掃描線21的橫截面寬度。這樣的設(shè)計(jì)，有利于減小數(shù)據(jù)信號(hào)線41上的阻抗，從而減小數(shù)據(jù)信號(hào)線41上數(shù)據(jù)信號(hào)在傳輸過程中的損耗，提升顯示畫質(zhì)。需要說明的是，橫截面寬度指的是沿陣列基板長(zhǎng)度方向x的長(zhǎng)度。
34.如圖3所示，公共電極31部分覆蓋垂直掃描線21。這樣的設(shè)計(jì)，使得公共電極31能夠?qū)Υ怪睊呙杈€21與像素單元11之間的電場(chǎng)形成屏蔽，大大減小垂直掃描線21與像素單元11之間的寄生電容，從而使得垂直掃描線21上的信號(hào)變化時(shí)對(duì)像素單元11的像素電壓的影響明顯減小或不再影響，進(jìn)而使垂直掃描線21與水平掃描線32連接處的像素單元11的像素電壓與其他位置的像素單元11的像素電壓之間的差異大大減小，有利于改善或消除顯示畫面的顯示異常。
35.在本技術(shù)實(shí)施例中，如圖3所示，陣列基板還包括像素電極51層50，像素電極51層50設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，像素電極51層50包括像素電極51，像素電極51在襯底基板10上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影，且像素電極51在襯底基板10上的正投影至少部分覆蓋公共電極31在襯底基板10上的正投影。需要說明的是，數(shù)據(jù)走線層40也可以設(shè)置于像素電極51層50遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要調(diào)整，本技術(shù)在此不作具體限定。
36.在本技術(shù)實(shí)施例中，垂直掃描線21設(shè)于相鄰兩個(gè)像素電極51之間。這樣的設(shè)計(jì)，有利于增加垂直掃描線21與數(shù)據(jù)信號(hào)線41之間的距離，減少數(shù)據(jù)信號(hào)線41與垂直掃描線21之間的寄生電容；同時(shí)，有利于減少垂直掃描線21與像素電極51之間的正對(duì)面積，進(jìn)而減少垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容，并有利于通過公共電極31對(duì)垂直掃描線21進(jìn)行覆蓋屏蔽，進(jìn)一步減少垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容，提升顯示效果。
37.在本技術(shù)實(shí)施例中，公共電極31與像素電極51相對(duì)應(yīng)的層疊設(shè)置，且公共電極31的沿陣列基板長(zhǎng)度方向x的橫截面寬度大于像素電極51沿陣列基板長(zhǎng)度方向x的橫截面寬度。這樣的設(shè)計(jì)，有利于對(duì)垂直掃描線21進(jìn)行遮蔽。
38.在本技術(shù)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)信號(hào)線41沿陣列基板寬度方向y延伸，且數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影與像素電極51在襯底基板10上的正投影有交疊。優(yōu)選地，如圖4所示，數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影位于像素電極51在襯底基板10上的正投影的中心線上。具體地，數(shù)據(jù)信號(hào)線41位于像素電極51的主干區(qū)上。這樣的設(shè)計(jì)，使得數(shù)據(jù)信號(hào)線41與垂直掃描線21之間的間距最大，且相鄰的兩條數(shù)據(jù)信號(hào)線41之間的間距最大，從而使得垂直掃描線21上的信號(hào)變化時(shí)對(duì)像素電極51的像素電壓的干擾最小，提升像素電壓的穩(wěn)定性；同時(shí)，避免現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)信號(hào)線41與垂直掃描線21均設(shè)于相鄰兩個(gè)像素電極51之間，數(shù)據(jù)信號(hào)線41與其左右兩個(gè)像素電極51之間的寄生電容是相同的，即數(shù)據(jù)信號(hào)線41對(duì)其左右兩個(gè)像素電極51的像素電壓的影響是對(duì)稱的，不會(huì)存在因?yàn)閿?shù)據(jù)信號(hào)線41與相鄰兩個(gè)像素電極51之間的距離不同，導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)線41對(duì)相鄰兩個(gè)像素電極51的像素電壓的影
響不同，引起數(shù)據(jù)信號(hào)線41對(duì)左右兩側(cè)像素電極51的串?dāng)_差異不良的問題，提升顯示品質(zhì)；另外，將數(shù)據(jù)信號(hào)線41設(shè)于像素電極51的主干區(qū)域，有利于減少相鄰像素電極51之間的信號(hào)線設(shè)置，進(jìn)而提升開口率。
39.在本技術(shù)實(shí)施例中，如圖5所示，公共電極層30包括公共電極31以及水平掃描線32，水平掃描線32與公共電極31間隔設(shè)置，且水平掃描線32與垂直掃描線21電連接。具體地，水平掃描線32通過過孔與垂直掃描線21電連接。水平掃描線32與公共電極31間隔設(shè)置，避免信號(hào)線間交叉產(chǎn)生信號(hào)干擾，提升顯示效果。
40.在本技術(shù)實(shí)施例中，陣列基板100還包括第一絕緣層60、第二絕緣層70以及第三絕緣層80，第一絕緣層60設(shè)于掃描走線層20與公共電極層30之間，第二絕緣層70設(shè)于公共電極層30與數(shù)據(jù)走線層40之間，第三絕緣層80設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40與像素電極51層50之間。具體地，第一絕緣層60、第二絕緣層70以及第三絕緣層80的材料可以是有機(jī)樹脂材料或者無機(jī)絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅及其結(jié)合中的至少一種，還可以是其它低介電常數(shù)的材料，使用低介電常數(shù)材料并相對(duì)的增加第一絕緣層60、第二絕緣層70以及第三絕緣層80的厚度，有利于，所以使水平掃描線32與像素電極51之間的寄生電容c
hgp
、數(shù)據(jù)信號(hào)線41與像素電極51之間的寄生電容以及垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容c
vgp
都大大減小，同時(shí)，由于有機(jī)樹脂材料等介電常數(shù)較小，從而能進(jìn)一步減小上述的寄生電容，有利于提升顯示效果。
41.作為本技術(shù)的一個(gè)具體實(shí)施方式，請(qǐng)參閱圖6，圖6是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之二。如圖5和圖6所示，本技術(shù)提供一種陣列基板200，陣列基板200相較于陣列基板100的區(qū)別點(diǎn)在于：公共電極31在襯底基板10上的正投影覆蓋垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影。
42.在本技術(shù)實(shí)施例中，陣列基板200包括：襯底基板10、掃描走線層20、第一絕緣層60、公共電極層30、第二絕緣層70、數(shù)據(jù)走線層40、第三絕緣層80以及像素電極51層50。
43.掃描走線層20設(shè)于襯底基板10上，掃描走線層20包括垂直掃描線21。第一絕緣層60設(shè)于掃描走線層20與公共電極層30之間。
44.公共電極層30設(shè)于掃描走線層20遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，公共電極層30包括公共電極31以及水平掃描線32，水平掃描線32與公共電極31間隔設(shè)置，且水平掃描線32與垂直掃描線21電連接，其中，公共電極31在襯底基板10上的正投影覆蓋垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影。第二絕緣層70設(shè)于公共電極層30與數(shù)據(jù)走線層40之間。
45.數(shù)據(jù)走線層40設(shè)于公共電極層30遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，數(shù)據(jù)走線層40包括數(shù)據(jù)信號(hào)線41。第三絕緣層80設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40與像素電極51層50之間。
46.像素電極51層50設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，像素電極51層50包括像素電極51，像素電極51在襯底基板10上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影，且像素電極51在襯底基板10上的正投影至少部分覆蓋公共電極31在襯底基板10上的正投影，垂直掃描線21設(shè)于相鄰兩個(gè)像素電極51之間。需要說明的是，數(shù)據(jù)走線層40也可以設(shè)置于像素電極51層50遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要調(diào)整，本技術(shù)在此不作具體限定。
47.一方面，本技術(shù)提供的陣列基板200通過公共電極31在襯底基板10上的正投影覆蓋垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影，進(jìn)而最大限度的屏蔽垂直掃描線21對(duì)像素電極
51的像素電壓的影響，最大限度的減小垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容，避免由垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容引起串?dāng)_，提升顯示效果。
48.另一方面，陣列基板200中數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影位于像素電極51在襯底基板10上的正投影的中心線上。具體地，數(shù)據(jù)信號(hào)線41位于像素電極51的主干區(qū)上。這樣的設(shè)計(jì)，使得數(shù)據(jù)信號(hào)線41與垂直掃描線21之間的間距最大，且相鄰的兩條數(shù)據(jù)信號(hào)線41之間的間距最大，從而使得垂直掃描線21上的信號(hào)變化時(shí)對(duì)像素電極51的像素電壓的干擾最小，提升像素電壓的穩(wěn)定性，且有利于減少相鄰像素電極51之間的信號(hào)線設(shè)置，進(jìn)而提升開口率。
49.作為本技術(shù)的一個(gè)具體實(shí)施方式，請(qǐng)參閱圖7，圖7是圖1中的陣列基板沿aa’方向的剖視圖之三。如圖5和圖7所示，本技術(shù)提供一種陣列基板300，陣列基板300相較于陣列基板100的區(qū)別點(diǎn)在于：公共電極31包括第一子電極311以及第二子電極312，第一子電極311與第二子電極312間隔設(shè)置，第一子電極311與像素電極51至少部分交疊，且第一子電極311與垂直掃描線21部分交疊；第二子電極312與垂直掃描線21部分交疊。
50.在本技術(shù)實(shí)施例中，陣列基板300包括：襯底基板10、掃描走線層20、第一絕緣層60、公共電極層30、第二絕緣層70、數(shù)據(jù)走線層40、第三絕緣層80以及像素電極51層50。
51.掃描走線層20設(shè)于襯底基板10上，掃描走線層20包括垂直掃描線21。第一絕緣層60設(shè)于掃描走線層20與公共電極層30之間。
52.公共電極層30設(shè)于掃描走線層20遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，公共電極層30包括公共電極31以及水平掃描線32，水平掃描線32與公共電極31間隔設(shè)置，且水平掃描線32與垂直掃描線21電連接，其中，公共電極31包括第一子電極311以及第二子電極312，第一子電極311與第二子電極312間隔設(shè)置，第一子電極311與像素電極51至少部分交疊，且第一子電極311與垂直掃描線21部分交疊；第二子電極312設(shè)于相鄰兩個(gè)像素電極51之間，第二子電極312與垂直掃描線21部分交疊。第二絕緣層70設(shè)于公共電極層30與數(shù)據(jù)走線層40之間。
53.數(shù)據(jù)走線層40設(shè)于公共電極層30遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，數(shù)據(jù)走線層40包括數(shù)據(jù)信號(hào)線41。第三絕緣層80設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40與像素電極51層50之間。
54.像素電極51層50設(shè)于數(shù)據(jù)走線層40遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，像素電極51層50包括像素電極51，像素電極51在襯底基板10上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影，且像素電極51在襯底基板10上的正投影至少部分覆蓋公共電極31在襯底基板10上的正投影，垂直掃描線21設(shè)于相鄰兩個(gè)像素電極51之間。需要說明的是，數(shù)據(jù)走線層40也可以設(shè)置于像素電極51層50遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要調(diào)整，本技術(shù)在此不作具體限定。
55.一方面，本技術(shù)提供的陣列基板300通過第一子電極311覆蓋垂直掃描線21靠近像素電極51的部分，以及第二子電極312覆蓋垂直掃描線21靠近相鄰像素電極51的部分，進(jìn)而最大限度的屏蔽垂直掃描線21對(duì)相鄰的兩個(gè)像素電極51的像素電壓的影響，最大限度的減小垂直掃描線21與相鄰的兩個(gè)像素電極51之間的寄生電容，避免由垂直掃描線21與相鄰的兩個(gè)像素電極51之間的寄生電容引起串?dāng)_，提升顯示效果。
56.另一方面，陣列基板300中數(shù)據(jù)信號(hào)線41在襯底基板10上的正投影位于像素電極51在襯底基板10上的正投影的中心線上。具體地，數(shù)據(jù)信號(hào)線41位于像素電極51的主干區(qū)上。這樣的設(shè)計(jì)，使得數(shù)據(jù)信號(hào)線41與垂直掃描線21之間的間距最大，且相鄰的兩條數(shù)據(jù)信
號(hào)線41之間的間距最大，從而使得垂直掃描線21上的信號(hào)變化時(shí)對(duì)像素電極51的像素電壓的干擾最小，提升像素電壓的穩(wěn)定性，且有利于減少相鄰像素電極51之間的信號(hào)線設(shè)置，進(jìn)而提升開口率。
57.作為本技術(shù)的一個(gè)具體實(shí)施方式，請(qǐng)參閱圖8，圖8是陣列基板中垂直掃描線與水平掃描線之間的連接關(guān)系的示意圖。如圖8所示，本技術(shù)提供一種陣列基板400，陣列基板400相較于陣列基板100的區(qū)別點(diǎn)在于：垂直掃描線21的數(shù)量與數(shù)據(jù)信號(hào)線41的數(shù)量相等。
58.在本技術(shù)實(shí)施例中，陣列基板400包括陣列排布的多個(gè)像素單元11，n列像素單元11對(duì)應(yīng)有n條數(shù)據(jù)信號(hào)線41，m行像素單元11對(duì)應(yīng)有m條水平掃描線32，其中，每一列像素單元11還對(duì)應(yīng)設(shè)置有一條垂直掃描線21，垂直掃描線21與水平掃描線32一一對(duì)應(yīng)電連接，n和m均為正整數(shù)。圖8中以6條數(shù)據(jù)信號(hào)線41、6條水平掃描線32以及6條垂直掃描線21為例。
59.需要說明的是，這是為了平衡各列像素單元11之間的信號(hào)線數(shù)目，以及寄生電容的大小的優(yōu)選設(shè)置，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，本技術(shù)在此不作具體限定。
60.陣列基板400中通過設(shè)置相同數(shù)量的垂直掃描線21與數(shù)據(jù)信號(hào)線41，有利于平衡各列像素單元11之間的信號(hào)線數(shù)目，以及寄生電容的大小，使得像素電極51左右兩側(cè)的寄生電容一致，在盡可能減小寄生電容的同時(shí)，做到數(shù)據(jù)信號(hào)線41左右兩側(cè)的寄生電容一致且相互抵消，有利于進(jìn)一步改善寄生電容對(duì)各像素單元11的耦合效應(yīng)，進(jìn)一步降低由于垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容引起串?dāng)_的風(fēng)險(xiǎn)，保證顯示效果。
61.另一方面，本技術(shù)提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板。
62.本技術(shù)提供一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括：襯底基板10、掃描走線層20以及公共電極層30；掃描走線層20設(shè)于襯底基板10上，掃描走線層20包括垂直掃描線21；公共電極層30設(shè)于掃描走線層20遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)，公共電極層30包括公共電極31；其中，公共電極31在襯底基板10上的正投影至少部分覆蓋垂直掃描線21在襯底基板10上的正投影。本技術(shù)提供的陣列基板能夠減小垂直掃描線21與像素電極51之間的寄生電容，改善寄生電容對(duì)各像素的耦合效應(yīng)，降低串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)，提升顯示效果。
63.以上對(duì)本技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板及顯示面板進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本技術(shù)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本技術(shù)的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本技術(shù)的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本技術(shù)的限制。
