用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)的制作方法
1.本發(fā)明涉及一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)，一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配方法以及一種相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理裝置。
背景技術(shù)：
2.用于生產(chǎn)印刷電路板(printed circuit boards,pcbs)的面板的基底尺寸正在大幅增加，以提高制造效率，及適應(yīng)大物理尺寸技術(shù)要求。面板的單邊長度已經(jīng)遠遠超過了1000毫米，在某些情況下甚至超過了3000毫米。
3.在電子工業(yè)的面板制造過程中，一個重要的加工步驟是創(chuàng)建所謂的互連，也就是說，在電路板上的設(shè)備之間制造單獨的電氣連接。通常情況下，用銅(或其他導(dǎo)電材料)的電化學(xué)沉積技術(shù)來創(chuàng)建這些互連。與微電子互連相比，面板上的電氣連接線在尺寸上是肉眼可見的，而且在整個面板上的分布肉眼可見大多是不均勻的。例如，在銅沉積區(qū)域的肉眼可見的不均勻分布會導(dǎo)致這樣的效果：在金屬線密度低的區(qū)域，與銅線密度高的區(qū)域相比，銅的沉積率會更高。這是因為在低密度的金屬線區(qū)域，相對于要沉積的金屬線密度較高的區(qū)域，有更多的含銅電解液可用于沉積過程(金屬離子擴散限制較少)。此外，相對于可用的金屬線，有效電場線的密度更高。
4.迄今為止，改善互連線整體沉積均勻性的最佳加工方法是基于所謂的hsp系統(tǒng)，即包含高速電鍍技術(shù)的系統(tǒng)。在這樣的系統(tǒng)中，將一個或兩個hsp與一個或兩個基底一起浸入一個含有電解液和一個或多個陽極的槽中。在這個充滿電解液的槽內(nèi)，電解液(以及隨之而來的電流分布)通過hsp板被引向基底表面。hsp通常是專門為加工某些面板設(shè)計而生產(chǎn)的，其中面板特征在一定程度上與基底上待電鍍的金屬線特征一致。在現(xiàn)有技術(shù)中，通過創(chuàng)造高密度的電解質(zhì)噴射器和電流密度分布元件，大致對應(yīng)于在基底上反應(yīng)的表面元件的分布，已經(jīng)改善了基底上的空間不均勻電鍍問題，這些元件定義了一個要顯示的結(jié)構(gòu)，例如，一個出口開口與一個表面元件大致對齊。然而，當(dāng)面板尺寸達到大尺寸時，為不同的面板設(shè)計和不同的尺寸制造特定的hsp分配體變得非常耗時且昂貴。
5.de 102010033256 a1公開了一種用于在化學(xué)和/或電解表面處理中產(chǎn)生定向流動和電流密度圖案的裝置和方法。所述裝置包括分流器主體，所述分流器主體被設(shè)置于其正面與待處理的基底平面平行的位置，并且所述分流器主體的正面設(shè)有多個出口開口，處理液通過所述出口開口流向基底表面。從基底回流的處理液通過連接通道被引出至分流器主體的背面。同時，電場在導(dǎo)電基底表面的定向分布受所述連接通道的特定布置的影響。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
6.因此，可能需要為用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體和電流提供改進的分配系統(tǒng)，這可以使不同的面板設(shè)計和尺寸具有更好的沉積均勻性，而不必重新
制造和更換hsp單元。
7.該問題通過本發(fā)明獨立權(quán)利要求的內(nèi)容來解決，其中進一步的實施例被納入從屬權(quán)利要求中。應(yīng)當(dāng)注意，以下描述的本發(fā)明的各個方面也適用于用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配系統(tǒng)，用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配方法以及相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理裝置。
8.根據(jù)本發(fā)明，提出了一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)。所述分配系統(tǒng)包括分配體和屏蔽元件。所述分配體包括多個開口。工藝流體和/或電流可以通過所述開口。工藝流體通過的開口和電流通過的開口可以是分開的，這意味著開口是不同的。換言之，一些開口用于通過工藝流體，其他開口用于通過電流。所述屏蔽元件被配置為至少有部分覆蓋多個開口中的至少一個(或至少一些)以限制工藝流體和/或通過分配體的電流的流動。這可以理解為屏蔽元件可以獨立地覆蓋工藝流體開口和電流開口，從而獨立地控制和限制工藝流體的流動和電流的流動。
9.換言之，屏蔽元件可以覆蓋分配體的局部，從而影響沉積材料，例如，銅，在基底上的局部沉積率。術(shù)語“局部”是指同一基底上的不同區(qū)域或點。通過控制基底上的局部沉積率，可以實現(xiàn)更好更均勻的整體沉積。這尤其適用于基底密度不同的結(jié)構(gòu)的情況，這種情況通常會導(dǎo)致不同的沉積率和較差的整體沉積均勻性。因此，根據(jù)本發(fā)明的分配系統(tǒng)可以平衡在同一基底上沉積不同密度的結(jié)構(gòu)的常規(guī)負面影響。因此，所述分配系統(tǒng)可以在基底上加工不同密度的結(jié)構(gòu)，并具有很好的沉積均勻性。
10.更詳細地說：通過沉積工藝，基底可以具有致密和非致密結(jié)構(gòu)以及隔離和非隔離結(jié)構(gòu)。致密和非致密結(jié)構(gòu)以及隔離和非隔離結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致不同水平的沉積率。致密結(jié)構(gòu)可以理解為為沉積材料在基底上的覆蓋率在70％-90％之間，而非致密結(jié)構(gòu)可以理解為覆蓋率在10％-30％之間。此外，100％到0％的分布都是可能的。如果一個區(qū)域具有致密結(jié)構(gòu)而另一區(qū)域具有非致密結(jié)構(gòu)，則非致密結(jié)構(gòu)區(qū)域可能具有比致密結(jié)構(gòu)區(qū)域更高的沉積率。對于隔離和非隔離結(jié)構(gòu)，基底可以具有不均勻的沉積率，而在基底的隔離區(qū)域中具有較高的沉積率。此外，靠近基底邊緣的區(qū)域或邊緣本身可以具有比遠離基底邊緣的區(qū)域更高的沉積率。
11.通過將屏蔽元件應(yīng)用于分配系統(tǒng)，沉積材料在基底上的分配率可以調(diào)整為至少平衡前面所解釋的不規(guī)則性。具體地，通過屏蔽元件改變分配體開口的覆蓋率，可以調(diào)整沉積材料的分配率，并且可以使沉積更均勻。
12.在一個實施例中，所述分配體可以包括用于工藝流體和電流的多個開口。在該實施例中，一些開口可以是排放孔，一些其他開口可以是噴射孔。所述排放孔可以被配置為引導(dǎo)電流。所述排放孔可以是在分配體的正面和背面之間延伸的通孔。所述排放孔可以用作電流密度分布元件。所述噴射孔可以是用于排放電解質(zhì)的電解質(zhì)噴射器。分配體的正面可以朝向基底，分配體的背面可以在正面的相對側(cè)上，不面向基底(而是面向例如至少一個陽極)。所述屏蔽元件可以被配置為至少有部分覆蓋多個開口中的至少一個，以限制工藝流體的流動和/或通過分配體的電流的流動。通過覆蓋分配體的至少一些開口，可以改變工藝流體的流動和/或可以改變基底的電流分布。
13.通過各自獨立的開口引導(dǎo)電流與工藝流體分開，可以在處理基底表面的特定部分時提供進一步的靈活性和簡潔性。通過不同的開口將電流和工藝流體的分布分開，可以進
行有針對性的選擇，例如，在改變電流的流量(減少或增加)的同時，可以保持工藝流體的流量不受影響。在降低電流密度的同時不減少流向基底的工藝流體會導(dǎo)致，例如，在基底的化學(xué)和/或電解表面處理過程中防止氫氣泡更強烈地附著到基底上，或者在處理后顆粒仍然可以從表面被洗掉。類似地，可以在改變(增加或減少)工藝流體的流量的同時，保持電流的流量恒定。也有可能，電流或工藝流體中的一個被切斷(被阻止到達基底)，而另一個繼續(xù)流過分配體。在一個實施例中，所述屏蔽元件被配置為至少有部分覆蓋多個開口中的至少一個(或至少一些)，從而不僅改變通過分配體的工藝流體的流動，還改變用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的電流分布。
14.在化學(xué)和/或電解表面處理系統(tǒng)和方法中，將待處理的基底連接到基底支架上，浸入電解工藝流體中并用作陰極。電極可以浸入加工室中的工藝流體中并用作陽極。可以將直流電施加到工藝流體中以在陽極離解帶正電的金屬離子。然后這些離子可以遷移至陰極，在那里，它們會電鍍附著在陰極上的基底。或者，陽極可以是惰性的，并且在這種情況下能夠提供沉積金屬離子所需的電流，所述金屬離子通過電解液組合物提供。
15.分配系統(tǒng)可以是具有垂直加工室的垂直分配系統(tǒng)，基底垂直插入其中。分配系統(tǒng)也可以是具有水平加工室的水平分配系統(tǒng)，基底水平插入其中。
16.基底可以包括導(dǎo)體板、半導(dǎo)體基底、薄膜基底、以及基本為片狀的金屬或金屬化的工件或類似物。
17.為了將工藝流體和/或電流的流動引導(dǎo)至基底，分配體包括多個開口。所述開口可以被配置為在加工室中噴射工藝流體和/或接收來自加工室的工藝流體的回流。引導(dǎo)工藝流體的開口可以朝向基底和/或朝向與基底相反的方向。
18.屏蔽元件可以對應(yīng)于分配體，特別是形狀和尺寸。這意味著，它們可以具有相同的形狀和大小。屏蔽元件也可以小于分配體。屏蔽元件也可以大于分配體或大于待處理的區(qū)域，特別是在基底的邊緣區(qū)域。屏蔽元件可以包括至少一個孔，工藝流體可以通過這個孔。換言之，屏蔽元件的塊狀材料可以覆蓋分配體的多個開口中的至少一個，并且干擾或阻擋工藝流體和/或電流的流動。因此，工藝流體的流動和/或通過分配體的電流的流動被改變，只有一部分工藝流體，可以通過屏蔽元件的孔，到達基底。因此，基底上的沉積材料(例如銅)的沉積率可能受到屏蔽元件的影響。
19.屏蔽元件可以包括至少一個孔，但也可以包括允許工藝流體和電流通過的多個孔。這些孔可以按照相同的尺寸和形狀形成。但是，這些孔也可以按照不同尺寸和/或形狀形成。孔可以是矩形、三角形、多邊形或圓形。孔還可以包括垂直、水平或交叉設(shè)置的若干狹槽。
20.屏蔽元件可以覆蓋開口的特定部分，使得一些開口可以將工藝流體直接噴向基底或相反的方向，而其余開口可以被屏蔽元件覆蓋，使得從這些開口出來的工藝流體不會直接到達基底。屏蔽元件也可以覆蓋開口的特定部分，將電流引導(dǎo)至基底，而其余開口可以被屏蔽元件覆蓋，使得從這些開口出來的電流不會直接到達基底。屏蔽元件的這種覆蓋率可以在0％和100％之間。換言之，屏蔽元件的塊狀材料可以覆蓋分配體的一些開口，例如可以覆蓋所有開口的30％或更多，所有開口的50％或更多或者所有開口的70％或更多。
21.在一個實施例中，用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配系統(tǒng)包括加工單元，所述加工單元被配置為根據(jù)待處理基底局部的預(yù)設(shè)局部沉積率，通過屏
蔽元件來控制開口的覆蓋范圍。所述加工單元可以僅阻擋或覆蓋用于工藝流體的開口或僅阻擋或覆蓋用于電流的開口。換言之，加工單元可根據(jù)工藝流體的預(yù)設(shè)局部沉積率監(jiān)測并確定分配體的一部分開口被屏蔽元件阻擋或覆蓋。因此，可以實現(xiàn)根據(jù)開口的所需覆蓋范圍自動改變或移動屏蔽元件。
22.在一個實施例中，加工單元還可以進一步被配置為基于要施加在基底局部的結(jié)構(gòu)的局部密度來確定局部沉積率。根據(jù)預(yù)設(shè)要求，例如結(jié)構(gòu)的局部密度或沉積的均勻性，加工單元可以監(jiān)測并確定工藝流體的局部沉積率。因此，可以實現(xiàn)根據(jù)開口的所需覆蓋范圍自動改變或移動屏蔽元件。
23.在一個實施例中，所述屏蔽元件是板狀的，以覆蓋開口陣列。所述屏蔽元件可以使得分配體的開口的特定或預(yù)設(shè)區(qū)域可以被阻擋或干涉。屏蔽元件可以相對于待處理的基底表面平行排列，可以在分配體和基底之間，也可以在分配體和陽極之間。因此，如果屏蔽元件可以形成板狀，則可以減小加工室的尺寸，在所述加工室中可以插入分配體、基底、陽極和工藝流體。進一步地，分配體所有待覆蓋的開口可以與屏蔽元件具有相同的距離，使得開口具有均勻的覆蓋效果。但是，屏蔽元件可以是其他形狀，例如，殼形或環(huán)形。環(huán)形不僅包括圓形的環(huán)形，還包括由正方形、長方形或任何其他角度的形式所表達的環(huán)形，這些環(huán)形可以完成并支持更高的沉積均勻性的目標。
24.在一個實施例中，屏蔽元件相對于分配體是可移動。換言之，屏蔽元件可以比分配體小，可以移動到被確定為待覆蓋的位置。優(yōu)選地，屏蔽元件在本實施例中可沿垂直和水平方向移動。附加地，或替代地，屏蔽元件可以可釋放地固定在分配體上，如果有必要，屏蔽元件可以用另一個具有不同覆蓋范圍的屏蔽元件替換。優(yōu)選地，屏蔽元件在本實施例中可沿垂直方向移動。
25.在一個實施例中，屏蔽元件包括多個模板或銷，至少部分地插入分配體的多個開口中的至少一個(或至少一些)中，以防止工藝流體或電流的流動。根據(jù)基于預(yù)設(shè)的局部沉積率、結(jié)構(gòu)的局部密度和/或電流分布確定的所需覆蓋范圍，可將多個銷插入分配體的至少一個(或至少一些)開口中。
26.在一個實施例中，屏蔽元件以機械、靜電和/或磁力方式連接到分配體上。屏蔽元件可以以預(yù)設(shè)距離可釋放地附接到分配體上，也可以與分配體緊密配合。屏蔽元件和分配體可以同時或分別插入加工室中。屏蔽元件可以沿著分配體和/或沿著待處理的基底表面插入。
27.在一個實施例中，分配體可以包括屏蔽元件框架。所述屏蔽元件框架可以包括凹槽，屏蔽元件可以插入其中。屏蔽元件框架可以直接布置在分配體上。屏蔽元件框架可以通過施加靜電、機械或磁力等類似力量來固定屏蔽元件。屏蔽元件框架可以允許根據(jù)不同的待處理基底，(自動)更換屏蔽元件。
28.如果是模板，模板可以以適合的方式插入分配體的開口中，以避免模板在工藝流體中丟失或在電流通過期間被移除。此外，還可以施加靜電、機械或磁力等類似力量將模板固定在開口中。根據(jù)不同的待處理基底，模板可以(自動)更換。模板可以在使用后清洗。
29.在一個實施例中，至少有一個(或至少一些)模板包括孔洞。待插入開口中的模板可以包括在分配體的開口方向上延伸的通孔。通過所述通孔，可以噴射或排出工藝流體。因此，通過改變通孔的直徑，所述孔洞可以對開口的覆蓋范圍或電流分布進行額外調(diào)整。
30.在一個實施例中，所述開口是排放孔。術(shù)語“排放孔”可以理解為開口，電流通過這些開口流過分配體。
31.在一個實施例中，排放孔是在朝向基底的分配體的正面和與正面相對的分配體的背面之間延伸的通孔。換言之，分配體可以包括第一面和第二面。為了使得電流的流體通信通過分配體，分配體可以包括在第一面或正面與第二面或背面之間的通孔。例如，可以在分配體的正面提供電流，并流回分配體以到背面。因此，排放孔可以形成為連接分配體的正面和背面的通孔或通道。
32.在一個實施例中，開口是噴射孔，被配置為將工藝流體引導(dǎo)至基底。術(shù)語“噴射孔”可以理解為開口，工藝流體通過這些開口從分配體中流向基底或加工側(cè)。換言之，布置在分配體上或分配體中的噴射孔可以面向待處理的基底。因此，在這種情況下，噴射孔可以根據(jù)預(yù)設(shè)覆蓋范圍至少有部分被屏蔽元件覆蓋，以調(diào)整工藝流體的噴射率，并相應(yīng)地調(diào)整基底上的沉積率。
33.在一個實施例中，引導(dǎo)電流的開口的尺寸和/或形狀可以不同于引導(dǎo)工藝流體的開口。例如，噴射孔的尺寸和/或形狀可以不同于排放孔。
34.在一個實施例中，用于引導(dǎo)工藝流體流動的開口的數(shù)量可以多于用于引導(dǎo)電流流動的開口的數(shù)量。換言之，排放孔的數(shù)量可以少于噴射孔的數(shù)量。然而，引導(dǎo)工藝流體流動的開口也可以等于引導(dǎo)電流的開口的數(shù)量；即，排放孔和噴射孔的數(shù)量可以相等。
35.在一個實施例中，開口布置在分配體的正面。分配體的正面被配置為面向基底以對基底進行表面處理。分配體的正面可以面向加工側(cè)，所述加工側(cè)布置有基底，分配體的背面可以面向陽極側(cè)，所述陽極側(cè)布置有陽極。所述正面和所述背面可以相對于分配體彼此相對。
36.換言之，待屏蔽元件覆蓋的開口可以布置在基底的方向上。因此，加工室中的工藝流體的噴射率或排放率(或兩者)以及電流密度可以相對于結(jié)構(gòu)的局部密度進行調(diào)整。
37.在一個實施例中，開口布置在分配體的背面。所述背面與分配體的正面相對設(shè)置，其中正面被配置為朝向基底以對基底進行表面處理。換言之，待屏蔽元件覆蓋的開口可以布置在陽極的方向上。因此，可以調(diào)節(jié)工藝流體進入陽極側(cè)的排放率。優(yōu)選地，屏蔽元件可以直接設(shè)置在分配體背面的開口上。
38.在一個實施例中，分配體的背面也被配置為朝向另一個附加基底，以對所述附加基底進行表面處理。因此，兩個待處理的基底相對于分配體對稱設(shè)置，加工單元可以被配置為控制兩個基底的開口覆蓋范圍。因此，可以進一步促進和加快對一個以上的基底的化學(xué)和/或電解表面處理。在上述實施例中，引導(dǎo)電流的開口也可以是通孔，將電流引導(dǎo)至兩個待處理的基底。
39.根據(jù)本發(fā)明，還提出了一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配方法。所述用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配方法包括以下步驟：
[0040]-提供分配體，其中所述分配體包括用于工藝流體及電流的多個開口；
[0041]-提供屏蔽元件，其中所述屏蔽元件被配置為至少有部分覆蓋多個開口中的至少一個(或至少一些)以限制工藝流體的流動和通過分配體的電流，以及
[0042]-通過屏蔽元件控制工藝流體的流動和通過分配體的電流。
[0043]
因此，可以調(diào)整沉積材料在基底上的分配率。特別是，通過改變屏蔽元件的覆蓋范圍，并因此通過改變分配體的開口對工藝流體和電流的覆蓋范圍，可以控制沉積材料的分配率。因此，基底可以包括均勻的沉積材料層。
[0044]
在一個實施例中，根據(jù)分配方法提供的分配體可以包括用于引導(dǎo)工藝流體的開口和用于引導(dǎo)電流的其他開口。一些開口可以是排放孔，另一些開口可以是噴射孔。排放孔可以配置為引導(dǎo)電流，而噴射孔可以配置為將工藝流體引導(dǎo)至基底上。排放孔可以在分配體的正面和背面之間延伸，正面朝向基底。在上述實施例中，屏蔽元件可以被配置為至少有部分覆蓋開口，以限制工藝流體的流動和/或通過分配體的電流的流動，從而改變工藝流體的流動或改變基底的電流分布，或同時改變工藝流體和電流的流動。
[0045]
根據(jù)本發(fā)明，還提出了一種數(shù)據(jù)處理裝置，包括用于執(zhí)行上述方法步驟的方式。
[0046]
應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)獨立權(quán)利要求所述的系統(tǒng)、方法和數(shù)據(jù)處理裝置具有相似和/或相同的優(yōu)選實施例，特別是如從屬權(quán)利要求中所定義的。應(yīng)進一步理解，本發(fā)明的優(yōu)選實施例也可以是從屬權(quán)利要求與相應(yīng)獨立權(quán)利要求的任意組合。
[0047]
本發(fā)明的這些和其他方面將從下文描述的實施例中變得明顯并得到闡明。
附圖說明
[0048]
下面將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行描述：
[0049]
圖1根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)的實施例。
[0050]
圖2a,b根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了設(shè)置在分配系統(tǒng)的分配體上的屏蔽元件的實施例。
[0051]
圖3a,b根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了設(shè)置在分配系統(tǒng)內(nèi)的屏蔽元件的實施例。
[0052]
圖4a,b根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了屏蔽系統(tǒng)的實施例。
[0053]
圖5根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了屏蔽系統(tǒng)的實施例。
具體實施方式
[0054]
圖1根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容，示意性且示例性地示出了用于對基底20進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)1的實施例。
[0055]
在化學(xué)和/或電解表面處理技術(shù)中，將待處理的基底20連接到基底支架21上，并浸入電解工藝流體中，用作陰極。將一個電極浸入工藝流體中，用作陽極40。將直流電施加到工藝流體中以在陽極40離解帶正電的金屬離子。然后這些離子可以遷移至陰極，在那里，它們會電鍍附著在陰極上的基底40。
[0056]
基底20可以包括導(dǎo)體板、半導(dǎo)體基底、薄膜基底、以及基本為片狀的金屬或金屬化的工件或類似物。
[0057]
所述分配系統(tǒng)1包括分配體10和屏蔽元件30。為了將工藝流體的流動和/或電流引導(dǎo)至基底20，所述分配體10包括多個開口11(繼續(xù)參照圖3a和3b)。所述開口11可以將工藝流體噴射至基底20和/或接收來自基底20的工藝流體的回流。其他開口11可以將電流噴射至基底20。所述屏蔽元件30被配置為覆蓋多個開口11中的一些開口，以限制工藝流體的流
動和/或通過分配體10的電流。所述屏蔽元件30至少包括一個孔32，工藝流體和電流可以流過孔32(繼續(xù)參照圖4a和4b)。
[0058]
待屏蔽元件30覆蓋的開口11可以是排放孔。所述排放孔可以形成為通孔，在分配體10的朝向基底20的正面和分配體10的與正面相對并朝向陽極40的背面之間延伸。穿過分配體10的排放孔被配置為向基底20提供電流以用于基底20的表面處理。所述背面與分配體10的正面相對設(shè)置。
[0059]
或者，開口11可以是設(shè)置在正面的噴射孔，并被配置為將工藝流體引導(dǎo)至基底20。
[0060]
在又一設(shè)置中，開口11可以是用于提供電流的排放孔和用于將工藝流體引導(dǎo)至基底的噴射孔的組合。
[0061]
待屏蔽元件30覆蓋的開口11可以設(shè)置在分配體10的正面。所述開口11可以是排放孔或噴射孔或兩者的組合。換言之，屏蔽元件30可以設(shè)置在基底20和分配體10之間。或者，待屏蔽元件30覆蓋的開口11可以設(shè)置在分配體10的背面。換言之，屏蔽元件30可以設(shè)置在陽極40和分配體10之間。
[0062]
所述分配系統(tǒng)1進一步還包括加工單元(未示出)，所述加工單元被配置為基于待處理的基底20局部的預(yù)設(shè)局部沉積率，通過屏蔽元件30來控制開口11的覆蓋范圍。所述加工單元進一步還被配置為基于要施加在基底20局部的結(jié)構(gòu)的局部密度來確定局部沉積率。所述加工單元還被配置為通過屏蔽元件控制開口的覆蓋范圍以限制用于基底的化學(xué)和/或電解表面處理的電流分布。所述屏蔽元件可以僅阻擋或覆蓋用于工藝流體的開口11或用于電流的開口11或兩者的組合。
[0063]
圖2a和2b示意性且示例性地示出了設(shè)置在分配體10上的屏蔽元件30的實施例。所述屏蔽元件30為板狀，以覆蓋開口11的陣列(參照圖3a和3b)。所述屏蔽元件30相對于分配體10可移動，優(yōu)選在垂直方向上移動。為了將屏蔽元件30固定在分配體10上，在分配體10上設(shè)置屏蔽元件框架31。所述屏蔽元件框架31包括凹槽，板狀屏蔽元件可以容易地在所述凹槽中滑動。作為屏蔽元件框架31的替代或附加，屏蔽元件30可以通過施加靜電、機械或磁力連接到分配體10。
[0064]
圖3a和3b示意性且示例性地示出了設(shè)置在分配系統(tǒng)中的屏蔽元件30的實施例。特別地，圖3a顯示了沒有屏蔽元件30的分配體10。相反，圖3b示出了分配體10，其中開口11的至少一個陣列被板狀屏蔽元件30覆蓋。開口11的覆蓋范圍可以由加工單元(未示出)基于待處理的基底20局部的預(yù)設(shè)局部沉積率和/或要施加在基底20局部的結(jié)構(gòu)的局部密度來確定和控制。
[0065]
屏蔽元件30對應(yīng)于分配體10，特別是形狀和尺寸。如圖3b所示，屏蔽元件30覆蓋開口11的特定部分，使得僅剩余未被覆蓋的開口可以將工藝流體或電流直接噴射至基底20。被覆蓋的開口11被屏蔽元件30覆蓋，使得從這些開口11流出的工藝流體可能不會直接到達基底20和/或電流可能不會直接到達基底20(繼續(xù)參照圖4a和4b)。屏蔽元件30的塊狀材料可以覆蓋例如30％、50％或70％的分配體10的開口11。
[0066]
圖4a和4b示出了屏蔽元件30的兩種設(shè)計。如圖4a所示，屏蔽元件30包括一個孔32。如圖4b所示，屏蔽元件30包括根據(jù)，例如預(yù)設(shè)的電流分布設(shè)計的多個孔32。
[0067]
作為另一示例，圖5示出了包括多個模板33的屏蔽元件30，所述模板33至少部分地插入分配體10的多個開口11中的至少一些中。進一步地，至少有一個模板可以包括孔洞(未
示出)。通過改變通孔的直徑，所述孔洞可以對覆蓋范圍或電流分布進行額外調(diào)整。
[0068]
需要指出的是，本發(fā)明的實施方例是參照不同的主題事項來描述的。特別是，一些實施例參照方法類型的權(quán)利要求進行描述，而其他實施例則參照裝置類型的權(quán)利要求進行描述。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將從上述和以下描述中了解到，除非另有說明，否則除了屬于一種主題的特征的任何組合外，與不同主題有關(guān)的特征之間的任何組合也被視為與本技術(shù)公開。然而，所有的特征都可以結(jié)合起來，提供比特征的簡單疊加更多的協(xié)同效應(yīng)。
[0069]
雖然本發(fā)明已在附圖和前述描述中進行了詳細說明和描述，但這種說明和描述應(yīng)被視為說明性或示例性的，而不是限制性的。本發(fā)明不限于所公開的實施例。通過對附圖、公開內(nèi)容和從屬權(quán)利要求書的研究，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解并實現(xiàn)所公開的實施方案的其他變化。
[0070]
在權(quán)利要求中，“包括”一詞并不排除其他元素或步驟，而不定項“一個”或“一種”并不排除多個。一個處理器或其他單元可以實現(xiàn)權(quán)利要求中重新引用的幾個項目的功能。僅僅是某些措施在相互不同的從屬權(quán)利要求中被重新引用這一事實，并不表明這些措施的組合不能被用來發(fā)揮優(yōu)勢。權(quán)利要求中的任何參考標識都不應(yīng)被理解為對保護范圍的限制。
技術(shù)特征：
1.一種用于對基底(20)進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配系統(tǒng)(1)，包括：-分配體(10)，和-屏蔽元件(30)，其中，分配體(10)包括用于工藝流體及電流的多個開口(11)，以及其中，屏蔽元件(30)被配置為至少有部分覆蓋多個開口(11)中的至少一個以限制工藝流體的流動和通過分配體的電流。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分配系統(tǒng)(1)，進一步包括加工單元，被配置為根據(jù)待處理基底(20)局部的預(yù)設(shè)局部沉積率，通過屏蔽元件(30)來控制開口(11)的覆蓋范圍。3.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述加工單元進一步被配置為基于要施加在基底(20)局部的結(jié)構(gòu)的局部密度來確定局部沉積率。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述加工單元被配置為通過所述屏蔽元件(30)來控制開口(11)的覆蓋范圍，以限制用于對基底(20)進行化學(xué)和/或電解表面處理的電流分布。5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述屏蔽元件(30)為板狀，以覆蓋開口(11)的陣列。6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述屏蔽元件(30)相對于分配體(10)可移動。7.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述屏蔽元件(30)通過施加機械、靜電和/或磁力連接到所述分配體(10)。8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述屏蔽元件(30)包括多個模板(33)，所述模板(33)至少部分地插入分配體(10)的多個開口(11)中的至少一些中。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的分配系統(tǒng)(1)，其中至少有一個模板(33)包括孔洞。10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述開口(11)為排放孔，被配置為引導(dǎo)電流，其中所述排放孔為通孔，在分配體(10)的朝向基底(20)的正面和分配體(10)的與正面相對的背面之間延伸。11.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述開口(11)為噴射孔，被配置為將工藝流體引導(dǎo)至基底(20)上。12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述開口(11)設(shè)置在分配體(10)的正面，其中所述分配體(10)的正面被配置為朝向基底(20)以進行基底(20)的表面處理。13.根據(jù)前述權(quán)利要求1-11任一項所述的分配系統(tǒng)(1)，其中所述開口(11)設(shè)置在分配體(10)的背面，其中所述背面與分配體(10)的正面相對設(shè)置，其中正面被配置為朝向基底(20)以進行基底(20)的表面處理。14.一種用于對基底(20)進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體及電流的分配方法，包括以下步驟：-提供分配體(10)，其中所述分配體(10)包括用于工藝流體及電流的多個開口(11)，-提供屏蔽元件(30)，其中所述屏蔽元件(30)被配置為至少有部分覆蓋多個開口(11)中的至少一個以限制工藝流體的流動和通過分配體(10)的電流，以及
?
通過屏蔽元件(30)控制工藝流體的流動和通過分配體(10)的電流。15.一種被配置為用于執(zhí)行權(quán)利要求14所述方法步驟的數(shù)據(jù)處理裝置。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配系統(tǒng)，一種用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配方法以及一種相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理裝置。所述用于對基底進行化學(xué)和/或電解表面處理的工藝流體的分配系統(tǒng)包括分配體和屏蔽元件。所述分配體包括多個用于工藝流體的開口。所述屏蔽元件被配置為至少有部分覆蓋多個開口中的至少一個以限制通過分配體的工藝流體的流動。一個以限制通過分配體的工藝流體的流動。一個以限制通過分配體的工藝流體的流動。
