一種含喹喔啉結構的稠雜環化合物及其應用的制作方法
1.本發明屬于有機電致發光材料領域，涉及一種含喹喔啉結構的稠雜環化合物及其應用。
背景技術：
2.有機電致發光(oled)器件是基于有機材料的一種半導體發光器件，與傳統發光技術相比，其具有較寬的視角、較大的對比率以及較快的響應時間，可在無額外背光源的條件下實現全顯示，近年來備受關注。
3.有機電致發光器件可以由空穴注入層、空穴傳輸層、發光輔助層、發光層、電子傳輸層、電子注入層等層組成，各層材料對應為空穴注入材料、空穴傳輸材料、發光輔助材料、發光材料、電子傳輸材料、電子注入材料，隨著器件結構的優化，材料的種類不斷變多，其中發光層材料是oled的關鍵材料，對于整個oled產業鏈至關重要，也是技術壁壘最高的領域。
4.cn105713016a公開了一種oled材料，所述oled材料的結構如下：r1選自甲基、乙基、異丙基、叔丁基、直鏈或枝化的c1～c12含氧烷基、苯環取代的含氮雜環結構或c5～c60多環芳基共軛結構基團中的任一種。但是其主要作為電子傳輸材料降低驅動電壓，提高電子效率。
5.cn107216330a公開了一種oled材料，所述oled材料具有如下結構：r1為c5-c60多環芳基共軛結構基團中的任意一種；r2為直鏈或枝化的c1-c12烷基或c5-c60多環芳基共軛結構基團中的任意一種；可以作為發光層或傳輸層，應用在有機電致發光器件中，可以獲得更加穩定的效果、優良的光電性能和更長的使用壽命。
6.cn107602568a公開了一種基于吲哚并喹喔啉的三芳胺類衍生物，其具有如下結
構：其中，ar1、ar2、l獨立的選自c6～c50的取代或未取代的芳基、c10～c50的取代或未取代的稠環芳基、c6～c50的取代或未取代的雜芳基、c10～c50的取代或未取代的稠環雜芳基中的一種。可做為有機發光器件中的主體發光材料、客體發光材料、電子傳輸材料或空穴傳輸材料，尤其是作為有機發光器件中的主體材料時，具有剛性結構的吲哚并喹喔啉的三芳胺類衍生物具有較高的玻璃化轉變溫度，而這些都有利于延長有機發光器件壽命，且表現出高效率、低驅動電壓和不易結晶的優點。
7.雖然如上材料可作為發光層材料應用于oled器件，但是其器件的驅動電壓仍然較高，壽命提高并不理想，在本領域中，期望進一步開發性能更加優異的發光層材料以進一步降低驅動電壓，提高電流效率，延長壽命。
技術實現要素：
8.針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種。
9.為達此目的，本發明采用以下技術方案：
10.一方面，本發明提供一種含喹喔啉結構的稠雜環化合物，所述化合物具有式(1)所示結構：
[0011][0012]r1-r6各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c2-c30烯基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c2-c30烯基、取代或未取代的c2-c30炔基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，
[0013]r1-r6各自獨立存在或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環，
[0014]
l選自連接鍵、取代或未取代的c6-c30的亞芳基、取代或未取代的c5-c30的亞雜芳基，
[0015]
ar1選自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c5-c60的雜芳基，取代或未
取代的c6-c60芳胺基、取代或未取代的c5-c60的雜芳胺基、取代或未取代的c5-c60的芳基雜芳胺基，
[0016]
n選自0-3的整數(例如可以為0、1、2或3)，
[0017]
m選自0-5的整數(例如可以為0、1、2、3、4或5)，
[0018]
n1選自0-1的整數，
[0019]
m1選自0-1的整數。
[0020]
在本發明中，所述含喹喔啉結構的稠雜環化合物中喹喔啉結構與含有七元芳香環的結構稠合，這樣的母核結構使得電子和空穴結合更有效，避免因空穴與空穴傳輸不平衡導致電流效率下降、器件壽命縮短。
[0021]
優選地，n1+m1＝1。
[0022]
優選地，l-ar1選自
[0023]
其中ar2、ar3各自獨立選自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c5-c60的雜芳基。
[0024]
優選地，ar2、ar3各自獨立選自取代或未取代的如下基團：苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基；
[0025]
優選地，l-ar1選自其中虛線代表l與ar3通過化學鍵連接成環；
[0026]
更優選地，l-ar1選自取代或未取代的如下基團：
[0027][0028][0029]
優選地，l-ar1選自其中虛線代表ar2、ar3通過化學鍵連接成環，
[0030]
更優選地，l-ar1選自取代或未取代的如下基團
[0031][0032][0033]
優選地，ar1選自
[0034]
其中x1選自n或cr
x1
，x2選自n或cr
x2
，x3選自n或cr
x3
，x4選自n或cr
x4
，x5選自n或cr
x5
，
[0035]rx1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代
或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，
[0036]rx1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
各自獨立存在，或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環、吡啶環、萘環、蒽環、菲環、萘并噁唑環、萘并噻唑環、苯并呋喃環或苯并噻吩環，
[0037]
優選地，ar1選自
[0038]
優選地，ar1選自
[0039]
其中x1、x2、x5中任意兩者選自n，
[0040]
y1選自n、cr
y1
，y2選自n、cr
y2
，y3選自n、cr
y3
，y4選自n、cr
y4
，
[0041]ry1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，
[0042]ry1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立存在，或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環。
[0043]
更優選，x2、x5選自n。
[0044]
更優選，x1、x5選自n。
[0045]
更優選，y1選自cr
y1
，y2選自cr
y2
，y3選自cr
y3
，y4選自cr
y4
，
[0046]
更優選，r
x1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
、r
y1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立選自氫、取代或未取代的如下基團：苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基。
[0047]
優選地，所述l各自獨立選自亞苯基、亞聯苯基、亞萘基，
[0048]
優選地，r
1-r6各自獨立選自氫、氘、氰基、氟、甲基、乙基、叔丁基、氘取代甲基、氟取代甲基、苯基、聯苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二甲基芴基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基，
[0049]
優選地，ar1選自苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯并菲基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基、2-苯基菲[3,4-d]噁唑基、2-苯基菲[3,4-d]噻唑基。
[0050]
在本發明中，所述基團含有取代基時，所述取代基各自獨立選自氘、鹵素、氰基、未取代或r'取代的c1-c6的烷基、未取代或r'取代的c6-c12的芳基、未取代或r'取代的c2-c20的雜芳基；r'選自氘、鹵素、氰基、氘取代的甲基、鹵素取代的甲基。
[0051]
更優選地，所述c1-c6的烷基選自甲基、乙基、叔丁基；
[0052]
所述c6-c12的芳基選自苯基、聯苯基、萘基；
[0053]
所述c3-c20的雜芳基選自三嗪基、吡啶基、苯基取代吡啶基、吡啶基取代苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
[0054]
優選地，所述含喹喔啉結構的稠雜環化合物為如下化合物中的任意一種：
[0055]
[0056]
[0057]
[0058]
[0059]
[0060]
[0061]
[0062]
[0063]
[0064]
[0065]
[0066]
[0067]
[0068]
[0069]
[0070]
[0071]
[0072]
[0073][0074]
如在本發明中所用，術語“鹵素”可以包括氟、氯、溴或碘，優選氟。
[0075]
如在本發明所用，術語“烷基”是指衍生自具有1至30個碳原子的直鏈或支鏈飽和烴的單價取代基，其實例包括但不限于甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。
[0076]
如在本發明所用，除非另有說明，術語“環烷基”是指衍生自具有3至30個碳原子的單環或多環非芳族烴的單價取代基。這種環烷基的實例包括但不限于環丙基、環丁基、環戊基、環己基、降冰片基、金剛烷等。
[0077]
本發明中雜芳基、亞雜芳基包括單環、多環或稠環芳基，所述環之間可以被短的非芳族單元間斷，包括但不限于呋喃基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、菲啶基、苯并間二氧雜環戊烯基、二氫吖啶基，及其衍生物等。
[0078]
優選地，所述芳基選自苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基、菲基、9,9'-二甲基芴基、9,9'-二苯基芴基或螺二芴基。
[0079]
優選地，所述雜芳基選自二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、三嗪基、吡啶基、嘧啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、萘并咪唑基、萘并噁唑基、萘并噻唑基、菲并咪唑基、菲并噁唑基、菲并噻唑基、喹喔啉基、喹唑啉基、吲哚并咔唑基、吲哚并芴基、苯并噻吩并吡嗪基、苯并噻吩并嘧啶基、苯并呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并嘧啶基、吲哚并吡嗪基、吲哚并嘧啶基、茚并吡嗪基、茚并嘧啶基、螺(芴-9,1
’?
茚)并吡嗪基、螺(芴-9,1
’?
茚)并嘧啶基、苯并呋喃并咔唑基或苯并噻吩并咔唑基。
[0080]
如在本發明所用，術語“芳氧基”是指由ro-表示的單價取代基，其中r表示具有6至30個碳原子的芳基。這種芳氧基的實例包括但不限于苯氧基、萘氧基、二苯氧基等。
[0081]
如在本發明所用，術語“取代的”是指與化合物中的氫原子被另一取代基取代。該位置不限于特定位置，只要該位置上的氫能夠被取代基取代即可。當出現兩個或兩個以上取代基時，兩個或兩個以上取代基可以相同或不同。
[0082]
如在本發明所用，除非另有說明，氫原子包括氕、氘和氚。
[0083]
本發明中“相鄰兩個基團連接成環”是指處于同一環或相鄰環中相鄰位置的2個取代基之間可以通過化學鍵相互連接成環，本發明對具體的連接成環方式不做限定(舉例通過單鍵連接、通過苯環連接、通過萘環連接、通過稠和、通過稠和、通過稠和、通過稠和、通過稠和；其中表示稠和位置)，如下文涉及相同的描述時，具有相同的意義。
[0084]
在本發明中，基團的限定中限定了碳原子數的范圍，其碳原子數為所限定范圍內的任一整數，例如c6-c60芳基，代表芳基的碳原子數可以是6-60所包含的范圍內的任意整數，例如6、8、10、15、20、30、35、40、45、50、55或60等。
[0085]
在本發明中，所述含喹喔啉結構的稠雜環化合物的制備路徑如下：
[0086][0087]
其中otf代表
[0088]
另一方面，本發明提供一種有機電致發材料，所述有機電致發光材料包括如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。
[0089]
另一方面，本發明提供一種有機電致發光組合物，所述有機電致發光組合物包括如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。
[0090]
另一方面，本發明提供了如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物在制備光學器件中的應用。
[0091]
優選地，所述光學器件包括有機電致發光器件、有機場效應晶體管、有機薄膜晶體管、有機發光晶體管、有機集成電路、有機太陽能電池、有機場淬滅器件、發光電化學電池、有機激光二極管或有機光感受器中任意一種。
[0092]
另一方面，本發明提供一種有機電致發光器件，所述有機電致發光器件包括陽極和陰極，和設置在陽極和陰極間的有機層，所述有機層包括如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。
[0093]
優選地，所述有機層至少包含空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0094]
優選地，所述發光層的材料包含主體材料和客體材料，所述主體材料包含如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合；
[0095]
優選地，所述客體材料為磷光摻雜劑，所述磷光摻雜劑為含過渡金屬的配合物，優
選為含ir或pt的配合物。
[0096]
優選地，所述電子傳輸層的材料至少包含如上所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。
[0097]
另一方面，本發明提供一種有機電致發光設備，所述有機電致發光設備包括如上所述的有機電致發光器件。
[0098]
相對于現有技術，本發明具有以下有益效果：
[0099]
本發明的含喹喔啉結構的稠雜環化合物有效提高電子和空穴的結合率，提高器件的發光效率和延長器件的使用壽命，本發明的化合物使得有機電致發光器件具有更低的驅動電壓(3.98v以下)，更高的電流效率(26cd/a以上)和更長的壽命(206h以上)。
具體實施方式
[0100]
下面通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。本領域技術人員應該明了，所述實施例僅僅是幫助理解本發明，不應視為對本發明的具體限制。
[0101]
合成實施例
[0102][0103]
(1)1-c的合成：取50毫升雙頸圓底燒瓶并放入攪拌子與上接回流管，干燥后充入氮氣，分別加入化合物1-a(1mmol)、1-b(1mmol)、碳酸鉀(k2co3，1.5mmol)、乙醇(3毫升)、水(3毫升)、甲苯(15毫升)和四(三苯基膦)鈀(pd(pph3)4，0.05mmol)，加熱至60攝氏度并反應12小時，反應完成后冷卻至室溫，加入20毫升水淬滅，二氯甲烷(3
×
20毫升)萃取，所得到的萃取液依序加入硫酸鎂干燥、過濾及旋干，粗產物以柱層析純化(乙酸乙酯/正己烷：體積比1/10)，得1-c(0.17克，產率54％)。
[0104]
(2)1-d的合成：取50毫升雙頸圓底燒瓶并放入攪拌子與上接回流管，干燥后充入氮氣，分別加入1-c(1mmol)，雙(頻哪醇合)二硼(1.2mmol)，醋酸鉀(2mmol)，1,4-二氧六環(20毫升)，氮氣保護，加入[1,1-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(ⅱ)(0.05mmol)，回流12小時，反應完成后，粗產物經柱層析純化(乙酸乙酯/正己烷：體積比1/10)，得1-d(0.27克，產率97％)。
[0105]
(3)1-f的合成：同1-c的合成，區別在于用1-d替代1-b，1-e替代1-a，得1-f(0.24克，產率61％)。
[0106]
(4)1-g的合成：取50毫升雙頸圓底燒瓶并放入攪拌子與上接回流管，干燥后充入
氮氣，分別加入1-f(1mmol)、二氯二(三環己基膦)鈀(pdcl2(pcy3)2，0.05mmol)、特戊酸(t-buco2h，2mmol)、碳酸銫(cs2co3，2mmol)和二甲基乙酰胺(20毫升)，120攝氏度下攪拌10小時，反應完成后冷卻至室溫，反應體系經濃縮，粗產物以柱層析純化(乙酸乙酯/正己烷：體積比1/10)，得到1-g(0.17克，產率47％)。
[0107]
(5)1-h的合成：在50毫升三頸瓶中，加入1-g(1mmol)，二氯甲烷(20毫升)，0攝氏度條件下滴加，三溴化硼(2mmol)的二氯甲烷溶液，反應結束后，除去溶劑，粗產物以柱層析純化(乙酸乙酯/正己烷，1/10)，得1-h(0.29克，產率84％)。
[0108]
(6)1-j的合成：取50毫升雙頸圓底燒瓶并放入攪拌子與上接回流管，加入1-h(1mmol)，二氯甲烷(20毫升)，吡啶(6mmol)，反應體系降溫至0攝氏度，加入tf2o(1.5mmol)，體系在室溫下攪拌30分鐘，隨后冷卻至0攝氏度，加入30毫升二氯甲烷，40毫升水，有機相用無水硫酸鎂干燥，減壓蒸餾除去溶劑，粗產物用柱層析(乙酸乙酯/正己烷，1/10)分離，得1-j(0.42克，產率88％)
[0109]
(7)1的合成：取50毫升雙頸圓底燒瓶并放入攪拌子與上接回流管，干燥后充入氮氣，分別加入1-j(1mmol)、1-k(1mmol)、碳酸銫(0.012mol)、三(二亞芐基丙酮)二鈀(pd2(dba)3，0.05mmol)和2-二環己基磷-2
′
,4
′
,6
′?
三異丙基聯苯(xphos，0.055mmol)，然后加入甲苯，混合物回流24小時，反應后冷卻至室溫，反應體系過濾后濃縮，粗產物以柱層析純化(二氯甲烷/正己烷，1/10(體積比))，得化合物1(0.46克，產率70％)。
[0110]
元素分析：c
48h31
n3理論值：c，88.72；h，4.81；n，6.47；實測值：c，88.67；h，4.83；n，6.50；hrms(esi)m/z(m+)：理論值：649.2518；實測值：649.2525。
[0111][0112]
(1)7-c的合成：同1-c的合成，區別在于用7-a替代1-a，7-b替代1-b，得7-c(0.16克，產率51％)。
[0113]
(2)7-d的合成，同1-d的合成，區別在于用7-c替代1-c，得7-d(0.26克，產率94％)
[0114]
(3)7-f的合成：同1-c的合成，區別在于用7-d替代1-b，7-e替代1-a，得7-f(0.23克，產率58％)
[0115]
(4)7-g的合成：同1-g的合成，區別在于用7-f替代1-f，得7-g(0.2克，產率55％)
[0116]
(5)7-h的合成：同1-h的合成，區別在于用7-g替代1-g，得7-h(0.3克，產率88％)
[0117]
(6)7-j的合成：同1-j的合成，區別在于用7-h替代1-h，得7-j(0.41克，產率86％)
[0118]
(7)化合物7的合成：同化合物1的合成，區別在于用7-j替代1-j，7-k替代1-k，得化合物7(0.41克，產率75％)。
[0119]
元素分析：c
40h23
n3理論值：c，88.05；h，4.25；n，7.70；實測值：c，88.10；h，4.23；n，7.67；hrms(esi)m/z(m+)：理論值：545.1892；實測值：545.1897。
[0120][0121]
(1)8-c的合成：同1-c的合成，區別在于用8-b替代1-b，得8-c(0.16克，產率51％)。
[0122]
(2)8-d的合成，同1-d的合成，區別在于用8-c替代1-c，得8-d(0.25克，產率90％)
[0123]
(3)8-f的合成：同1-c的合成，區別在于用8-d替代1-b，8-e替代1-a，得8-f(0.21克，產率53％)
[0124]
(4)8-g的合成：同1-g的合成，區別在于用8-f替代1-f，得8-g(0.18克，產率50％)
[0125]
(5)8-h的合成：同1-h的合成，區別在于用8-g替代1-g，得8-h(0.31克，產率89％)
[0126]
(6)8-j的合成：同1-j的合成，區別在于用8-h替代1-h，得8-j(0.41克，產率86％)
[0127]
(7)化合物8的合成：同化合物1的合成，區別在于用8-j替代1-j，8-k替代1-k，得化合物8(0.53克，產率81％)。
[0128]
元素分析：c
46h25
n3s理論值：c，84.77；h，3.87；n，6.45；s，4.92；實測值：c，84.76；h，3.86；n，6.47；s，4.91；hrms(esi)m/z(m+)：理論值：651.1769；實測值：651.1775。
[0129]
利用與如上相同的制備方法，區別僅在于使用如下表1中的原料來制備相應產物，產物的元素分析以及hrms測試結果如表2所示。
[0130]
表1
[0131]
[0132]
[0133]
[0134][0135]
表2
[0136][0137][0138]
器件實施例
[0139]
提供一種有機電致發光器件，其具有以下層結構：基底(氧化銦錫(ito)涂層玻璃基板)/空穴注入層(hil)/空穴傳輸層(htl)/發光層(eml)/電子傳輸層(etl)/電子注入層(eil)，且最后是陰極。
[0140]
制造oled所需的材料如下：
[0141][0142]
上述有機電致發光器件的制備包括如下步驟：
[0143]
(1)基板清理：將涂布了ito的玻璃基板在水性清洗劑(所述水性清洗劑的成分及濃度：乙二醇類溶劑≤10wt％，三乙醇胺≤1wt％)中超聲處理，在去離子水中沖洗，在丙酮：乙醇混合溶劑(體積比1：1)中超聲除油，在潔凈環境下烘烤至完全除去水份，然后用紫外光
和臭氧清洗。
[0144]
(2)蒸鍍有機發光功能層：
[0145]
把上述帶有陽極層的玻璃基板置于真空腔內，抽真空至1
×
10-6
至2
×
10-4
pa，在上述陽極層膜上真空蒸鍍hat(cn)6作為空穴注入層，蒸鍍厚度為5nm；
[0146]
在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層，蒸鍍膜厚為80nm；
[0147]
在空穴傳輸層上蒸鍍發光層，具體制備方法為：以共蒸的方式真空蒸鍍發光主體材料和客體材料，蒸鍍總膜厚為30nm；
[0148]
在發光層上真空蒸鍍一層電子傳輸層，具體制備方法為：以共蒸的方式真空蒸鍍bphen和liq，蒸鍍總膜厚為30nm；
[0149]
在電子傳輸層上真空蒸鍍一層電子注入層，蒸鍍總膜厚為1nm；
[0150]
在電子注入層上蒸鍍al，蒸鍍總膜厚為80nm。
[0151]
器件中各層及其材料以及厚度等參數如表3所示。
[0152]
表3
[0153]
[0154][0155]
器件性能測試：
[0156]
儀器：器件的電流、電壓、亮度、發光光譜等特性采用pr 650光譜掃描亮度計和keithley k 2400數字源表系統同步測試；
[0157]
測試條件：電流密度為20ma/cm2，室溫。
[0158]
壽命測試：器件亮度下降至原始亮度的98％時記錄時間(以小時計)。
[0159]
器件性能測試結果如表4所示：
[0160]
表4
[0161]
器件實施例序號驅動電壓(v)電流效率(cd/a)壽命(h)13.982720623.922620933.842825243.832723353.862924863.922822173.972922883.822824393.9730236103.8732210113.8633226123.8932262133.8033271143.8329257154.4221112
[0162]
由表4可以看出，本發明的化合物使得有機電致發光器件具有更低的驅動電壓(3.98v以下)，更高的電流效率(26cd/a以上)和更長的壽命(206h以上)。
[0163]
申請人聲明，本發明通過上述實施例來說明本發明的含喹喔啉結構的稠雜環化合物及其應用，但本發明并不局限于上述實施例，即不意味著本發明必須依賴上述實施例才能實施。所屬技術領域的技術人員應該明了，對本發明的任何改進，對本發明產品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發明的保護范圍和公開范圍之內。
技術特征：
1.一種含喹喔啉結構的稠雜環化合物，其特征在于，所述化合物具有式(1)所示結構：r
1-r6各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c2-c30烯基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c2-c30烯基、取代或未取代的c2-c30炔基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，r
1-r6各自獨立存在或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環，l選自連接鍵、取代或未取代的c6-c30的亞芳基、取代或未取代的c5-c30的亞雜芳基，ar1選自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c5-c60的雜芳基，取代或未取代的c6-c60芳胺基、取代或未取代的c5-c60的雜芳胺基、取代或未取代的c5-c60的芳基雜芳胺基，n選自0-3的整數，m選自0-5的整數，n1選自0-1的整數，m1選自0-1的整數。2.根據權利要求1所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物，其特征在于，n1+m1＝1。3.根據權利要求1或2所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物，其特征在于，-l-ar1選自其中ar2、ar3各自獨立選自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c5-c60的雜芳基；優選地，ar2、ar3各自獨立選自取代或未取代的如下基團：苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基；
優選地，-l-ar1選自其中虛線代表l與ar3通過化學鍵連接成環；更優選地，-l-ar1選自取代或未取代的如下基團：4.根據權利要求1-3中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物，其特征在于，-l-ar1選自其中虛線代表ar2、ar3通過化學鍵連接成環，優選地，-l-ar1選自取代或未取代的如下基團
優選地，ar1選自其中x1選自n或cr
x1
，x2選自n或cr
x2
，x3選自n或cr
x3
，x4選自n或cr
x4
，x5選自n或cr
x5
，r
x1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未
取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，r
x1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
各自獨立存在，或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環、吡啶環、萘環、蒽環、菲環、萘并噁唑環、萘并噻唑環、苯并呋喃環或苯并噻吩環，優選地，ar1選自優選地，ar1選自其中x1、x2、x5中任意兩者選自n，y1選自n、cr
y1
，y2選自n、cr
y2
，y3選自n、cr
y3
，y4選自n、cr
y4
，r
y1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一個或多個亞甲基以o原子或s原子不相鄰的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30雜芳基、取代或未取代的c3-c30雜芳烷基、取代或未取代的c3-c30環烷基、取代或未取代的c3-c30雜環烷基、取代或未取代的c3-c30環烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，r
y1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立存在，或相鄰兩者連接成環，所述環為取代或未取代的苯環。優選地，y1選自cr
y1
，y2選自cr
y2
，y3選自cr
y3
，y4選自cr
y4
，優選地，r
x1
、r
x2
、r
x3
、r
x4
、r
x5
、r
y1
、r
y2
、r
y3
、r
y4
各自獨立選自氫、取代或未取代的如下基團：苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基；優選地，所述l各自獨立選自亞苯基、亞聯苯基、亞萘基，優選地，r
1-r6各自獨立選自氫、氘、氰基、氟、甲基、乙基、叔丁基、氘取代甲基、氟取代甲基、苯基、聯苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二甲基芴基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、聯苯基取代咔唑基；優選地，ar1選自苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苯并菲基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基、2-苯基菲[3,4-d]噁唑基、2-苯基菲[3,4-d]噻唑基；
優選地，所述基團含有取代基時，所述取代基各自獨立選自氘、鹵素、氰基、未取代或r'取代的c1-c6的烷基、未取代或r'取代的c6-c12的芳基、未取代或r'取代的c3-c20的雜芳基；r'選自氘、鹵素、氰基、氘取代的甲基、鹵素取代的甲基；更優選地，所述c1-c6的烷基選自甲基、乙基、叔丁基；所述c6-c12的芳基選自苯基、聯苯基、萘基；所述c3-c20的雜芳基選自三嗪基、吡啶基、苯基取代吡啶基、吡啶基取代苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。5.根據權利要求1-4中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物，其特征在于，所述含喹喔啉結構的稠雜環化合物為如下化合物中的任意一種：
6.一種有機電致發材料，其特征在于，所述有機電致發光材料包括如權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。7.一種有機電致發光組合物，其特征在于，所述有機電致發光組合物包括如權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。8.根據權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物在制備光學器件中的應用；優選地，所述光學器件包括有機電致發光器件、有機場效應晶體管、有機薄膜晶體管、有機發光晶體管、有機集成電路、有機太陽能電池、有機場淬滅器件、發光電化學電池、有機激光二極管或有機光感受器中任意一種。9.一種有機電致發光器件，其特征在于，所述有機電致發光器件包括陽極和陰極，和設置在陽極和陰極間的有機層，所述有機層包括如權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合；優選地，所述有機層至少包含空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層；優選地，所述發光層的材料包含主體材料和客體材料，所述主體材料包含如權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合；優選地，所述客體材料為磷光摻雜劑，所述磷光摻雜劑為含過渡金屬的配合物，優選為含ir或pt的配合物；優選地，所述電子傳輸層的材料至少包含如權利要求1-5中任一項所述的含喹喔啉結構的稠雜環化合物中的任意一種或至少兩種的組合。10.一種有機電致發光設備，其特征在于，所述有機電致發光設備包括如權利要求9所述的有機電致發光器件。
技術總結
本發明提供一種含喹喔啉結構的稠雜環化合物及其應用，所述含喹喔啉結構的稠雜環化合物具有式(1)所示結構，本發明的化合物使得有機電致發光器件具有更低的驅動電壓，更高的電流效率和更長的壽命。流效率和更長的壽命。
