雜環(huán)化合物在有機(jī)電子器件中的用途的制作方法
雜環(huán)化合物在有機(jī)電子器件中的用途
1.本發(fā)明描述了雜環(huán)化合物在有機(jī)電子器件中的用途。本發(fā)明還涉及新型雜環(huán)化合物和制備本發(fā)明化合物的方法以及包含這些化合物的電子器件。
2.其中使用有機(jī)半導(dǎo)體作為功能材料的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)描述于例如us 4539507、us 5151629、ep 0676461、wo 98/27136和wo 2010/151006 a1中。所用的發(fā)光材料通常是表現(xiàn)出磷光的有機(jī)金屬絡(luò)合物。出于量子力學(xué)原因，使用有機(jī)金屬化合物作為磷光發(fā)光體可以使能量效率和功率效率提高至多四倍。一般來(lái)說(shuō)，仍然需要例如在效率、工作電壓和壽命方面改進(jìn)電致發(fā)光器件，尤其是表現(xiàn)出磷光的電致發(fā)光器件。
3.有機(jī)電致發(fā)光器件的性能不僅取決于所用的發(fā)光體。這里還特別重要的尤其是所用的其它材料，如主體/基質(zhì)材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、空穴傳輸材料和電子或激子阻擋材料。對(duì)這些材料的改進(jìn)可以導(dǎo)致對(duì)電致發(fā)光器件的顯著改進(jìn)。
4.一般而言，在這些材料例如用作發(fā)光體，優(yōu)選用作熒光發(fā)光體，用作基質(zhì)材料、空穴傳輸材料或電子傳輸材料的情況下，仍然需要改進(jìn)，特別是在器件的壽命方面仍然需要改進(jìn)，還在效率和工作電壓方面仍然需要改進(jìn)。此外，化合物應(yīng)當(dāng)具有高純度。
5.因此，本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供適合在有機(jī)電子器件中使用，特別是在有機(jī)電致發(fā)光器件中使用，并且在用于這種器件時(shí)導(dǎo)致良好器件性能的化合物，以及提供相應(yīng)的電子器件。
6.本發(fā)明的一個(gè)特別的目標(biāo)是提供導(dǎo)致高壽命、良好效率和低工作電壓的化合物。特別地，基質(zhì)材料、空穴傳輸材料或電子傳輸材料的性能也對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命和效率具有重要影響。
7.本發(fā)明解決的另一個(gè)問(wèn)題可被認(rèn)為是提供適合在磷光或熒光電致發(fā)光器件中使用，尤其是作為基質(zhì)材料的化合物。更具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供適合在紅、黃和藍(lán)磷光電致發(fā)光器件中使用的基質(zhì)材料。
8.另外，所述化合物，尤其在它們?cè)谟袡C(jī)電致發(fā)光器件中用作基質(zhì)材料、空穴傳輸材料或電子傳輸材料時(shí)將會(huì)導(dǎo)致具有優(yōu)異純度的器件。
9.此外，所述化合物應(yīng)該能以非常簡(jiǎn)單的方式加工，尤其是表現(xiàn)出良好的溶解性和成膜性。舉例來(lái)說(shuō)，所述化合物應(yīng)當(dāng)表現(xiàn)出提高的氧化穩(wěn)定性和改進(jìn)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
10.另一個(gè)目標(biāo)可被認(rèn)為是盡可能廉價(jià)地且以恒定質(zhì)量提供具有優(yōu)異性能的電子器件。
11.此外，應(yīng)當(dāng)能使用或調(diào)整所述電子器件以用于許多目的。更特別地，所述電子器件的性能應(yīng)當(dāng)在寬溫度范圍內(nèi)得以保持。
12.令人驚訝的是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)下文詳述的特定化合物解決了這些問(wèn)題并消除了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。使用所述化合物導(dǎo)致有機(jī)電子器件(尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件)尤其是在壽命、效率和工作電壓方面具有非常好的性能。因此，本發(fā)明提供了包含這種化合物的電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，以及相應(yīng)的優(yōu)選實(shí)施方式。
13.因此，本發(fā)明提供了包含至少一個(gè)式(i)結(jié)構(gòu)的化合物在有機(jī)電子器件中的用途，所述化合物優(yōu)選是式(i)化合物，
[0014][0015]
其中：
[0016]
w是cr、n、sra或s(＝o)ra；
[0017]
ya、yb相同或不同并且為cr或n；
[0018]
p為0或1，條件是如果w、ya、yb基團(tuán)均為cr，則p＝1；
[0019]
ra、rb、rc相同或不同并且為n(ar')2、n(r1)2或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)；同時(shí)，ra、rb、rc基團(tuán)可與另外的基團(tuán)形成環(huán)系；
[0020]
r在每種情況下相同或不同并且為h，d，oh，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar')2，n(r1)2，c(＝o)n(ar')2，c(＝o)n(r1)2，c(ar')3，c(r1)3，si(ar')3，si(r1)3，b(ar')2，b(r1)2，c(＝o)ar'，c(＝o)r1，p(＝o)(ar')2，p(＝o)(r1)2，p(ar')2，p(r1)2，s(＝o)ar'，s(＝o)r1，s(＝o)2ar'，s(＝o)2r1，oso2ar'，oso2r1，具有1至40個(gè)碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至20個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基團(tuán)在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被r1c＝cr1、c≡c、si(r1)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr1、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
1-、nr1、p(＝o)(r1)、-o-、-s-、so或so2代替，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)；同時(shí)，兩個(gè)r基團(tuán)還可一起形成環(huán)系或者與另外的基團(tuán)，例如與ra、rb、rc基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)一起形成環(huán)系；
[0021]
ar'在每種情況下相同或不同并且為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的兩個(gè)ar'基團(tuán)還可經(jīng)由通過(guò)單鍵的橋連基或選自b(r1)、c(r1)2、si(r1)2、c＝o、c＝nr1、c＝c(r1)2、o、s、s＝o、so2、n(r1)、p(r1)和p(＝o)r1的橋連基連接在一起；
[0022]
r1在每種情況下相同或不同并且為h，d，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar”)2，n(r2)2，c(＝o)ar”，c(＝o)r2，p(＝o)(ar”)2，p(ar”)2，b(ar”)2，b(r2)2，c(ar”)3，c(r2)3，si(ar”)3，si(r2)3，具有1至40個(gè)碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，所述烷
基、烷氧基、硫代烷氧基或烯基基團(tuán)各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被-r2c＝cr
2-、-c≡c-、si(r2)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr2、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
2-、nr2、p(＝o)(r2)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，或這些體系的組合；同時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)優(yōu)選相鄰的r1基團(tuán)可一起形成環(huán)系；同時(shí)，一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)可與所述化合物的另外的部分形成環(huán)系；
[0023]
ar”在每種情況下相同或不同并且為具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的兩個(gè)ar"基團(tuán)還可經(jīng)由通過(guò)單鍵的橋連基或選自b(r2)、c(r2)2、si(r2)2、c＝o、c＝nr2、c＝c(r2)2、o、s、s＝o、so2、n(r2)、p(r2)和p(＝o)r2的橋連基連接在一起；
[0024]
r2在每種情況下相同或不同并且選自h，d，f，cn，具有1至20個(gè)碳原子的脂族烴基基團(tuán)，或具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d、f、cl、br、i或cn代替并且所述芳族或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)烷基基團(tuán)取代，所述烷基基團(tuán)各自具有1至4個(gè)碳原子；同時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)優(yōu)選相鄰的取代基r2可一起形成環(huán)系。
[0025]
本發(fā)明化合物可以優(yōu)選在電子器件中用作活性化合物。活性化合物通常是例如在有機(jī)電子器件中，尤其是在有機(jī)電致發(fā)光器件中在陽(yáng)極和陰極之間引入的有機(jī)或無(wú)機(jī)材料，例如電荷注入、電荷傳輸或電荷阻擋材料，但尤其是發(fā)光材料和基質(zhì)材料。這里優(yōu)選有機(jī)材料。
[0026]
根據(jù)本發(fā)明使用的化合物優(yōu)選為純有機(jī)化合物。純有機(jī)化合物是沒(méi)有與金屬原子締合，即，既沒(méi)有與金屬原子形成配位化合物，也沒(méi)有與金屬原子形成共價(jià)鍵的化合物。這里的純有機(jī)化合物優(yōu)選不包含用于磷光發(fā)光體的任何金屬原子。稍后將詳細(xì)討論這些金屬，如銅、鉬等，尤其是錸、釕、鋨、銠、銥、鈀和鉑。
[0027]
可在有機(jī)電子器件中用作活性化合物的化合物可以優(yōu)選地選自熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、電子傳輸材料、激子阻擋材料、電子注入材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、n型摻雜劑、p型摻雜劑、寬帶隙材料、電子阻擋材料和/或空穴阻擋材料。這里優(yōu)選熒光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、電子傳輸材料、激子阻擋材料、電子注入材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、n型摻雜劑、p型摻雜劑、寬帶隙材料、電子阻擋材料和/或空穴阻擋材料。尤其優(yōu)選上述包含式(i)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選式(i)化合物用作主體材料、電子傳輸材料和/或空穴阻擋材料，更優(yōu)選用作磷光發(fā)光體的主體材料，尤其優(yōu)選用作藍(lán)磷光發(fā)光體的主體材料。
[0028]
本發(fā)明的上下文中的相鄰碳原子是彼此直接鍵合的碳原子。此外，基團(tuán)定義中的“相鄰基團(tuán)”意指這些基團(tuán)與同一碳原子或與相鄰碳原子鍵合。這些定義相應(yīng)地尤其適用于術(shù)語(yǔ)“相鄰基團(tuán)”和“相鄰取代基”。
[0029]
在本說(shuō)明書(shū)的上下文中，兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)可一起形成環(huán)的措辭應(yīng)當(dāng)理解為尤其意指，兩個(gè)基團(tuán)通過(guò)化學(xué)鍵彼此連接，形式上消除兩個(gè)氫原子。這通過(guò)以下方案來(lái)說(shuō)明：
[0030][0031]
然而，此外，上述措辭還應(yīng)當(dāng)理解為意指，如果兩個(gè)基團(tuán)中有一個(gè)是氫，則第二個(gè)基團(tuán)結(jié)合到所述氫原子鍵合的位置，從而形成環(huán)。這將通過(guò)以下方案來(lái)說(shuō)明：
[0032][0033]
本發(fā)明上下文中的稠合芳基基團(tuán)、稠合芳族環(huán)系或稠合雜芳族環(huán)系是其中兩個(gè)或更多個(gè)芳族基團(tuán)沿共用邊彼此稠合，即縮合，使得例如兩個(gè)碳原子屬于至少兩個(gè)芳族或雜芳族環(huán)，和在例如萘中的情況一樣。相比之下，例如，由于芴中的兩個(gè)芳族基團(tuán)不具有共用邊，因此芴不是本發(fā)明上下文中的稠合芳基基團(tuán)。相應(yīng)的定義適用于雜芳基基團(tuán)和可含有但未必還含有雜原子的稠合環(huán)系。
[0034]
如果兩個(gè)或更多個(gè)優(yōu)選相鄰的r、r1和/或r2基團(tuán)一起形成環(huán)系，則結(jié)果可以是單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系。
[0035]
本發(fā)明上下文中的芳基基團(tuán)含有6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選6至40個(gè)碳原子，更優(yōu)選6至30個(gè)碳原子；本發(fā)明上下文中的雜芳基基團(tuán)含有2至60個(gè)碳原子，優(yōu)選2至40個(gè)碳原子，更優(yōu)選2至30個(gè)碳原子，以及至少一個(gè)雜原子，條件是碳原子和雜原子的總和為至少5。所述雜原子優(yōu)選地選自n、o和/或s。芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)在這里理解為意指簡(jiǎn)單的芳族環(huán)，即苯，或簡(jiǎn)單的雜芳族環(huán)，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或者稠合的芳基或雜芳基基團(tuán)，例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等。
[0036]
本發(fā)明上下文中的芳族環(huán)系在環(huán)系中含有6至60個(gè)碳原子，優(yōu)選6至40個(gè)碳原子，更優(yōu)選6至30個(gè)碳原子。本發(fā)明上下文中的雜芳族環(huán)系在環(huán)系中含有1至60個(gè)碳原子，優(yōu)選1至40個(gè)碳原子，更優(yōu)選1至30個(gè)碳原子，以及至少一個(gè)雜原子，條件是碳原子和雜原子的總和為至少5。所述雜原子優(yōu)選地選自n、o和/或s。本發(fā)明上下文中的芳族或雜芳族環(huán)系應(yīng)當(dāng)理解為意指如下體系：其不必僅含有芳基或雜芳基基團(tuán)，而是其中多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)還可被非芳族單元(優(yōu)選少于非h原子的10％)，例如碳、氮或氧原子或羰基基團(tuán)間斷。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明上下文中的體系如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、芪等也因此應(yīng)當(dāng)被視為本發(fā)明上下文中的芳族環(huán)系，并且其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)被例如直鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或被甲硅烷基基團(tuán)中斷的體系同樣如此。此外，其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)彼此直接鍵合的體系，例如聯(lián)苯、三聯(lián)苯、四聯(lián)苯或聯(lián)吡啶，同樣應(yīng)當(dāng)被視為芳族或雜芳族環(huán)系。
[0037]
本發(fā)明上下文中的環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)理解為意指單環(huán)、雙環(huán)或多環(huán)基團(tuán)。
[0038]
在本發(fā)明的上下文中，其中個(gè)別氫原子或ch2基團(tuán)還可被上述基團(tuán)取代的c1至c
20
烷基基團(tuán)應(yīng)理解為意指例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、環(huán)丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、環(huán)戊基、正己基、仲
己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、環(huán)己基、1-甲基環(huán)戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環(huán)庚基、1-甲基環(huán)己基、正辛基、2-乙基己基、環(huán)辛基、1-雙環(huán)[2.2.2]辛基、2-雙環(huán)[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)環(huán)己-1-基、1-(正丁基)環(huán)己-1-基、1-(正己基)環(huán)己-1-基、1-(正辛基)環(huán)己-1-基和1-(正癸基)環(huán)己-1-基基團(tuán)。烯基基團(tuán)應(yīng)理解為意指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基或環(huán)辛二烯基。炔基基團(tuán)應(yīng)理解為意指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。c1至c
40
烷氧基基團(tuán)應(yīng)理解為意指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
[0039]
具有5至60個(gè)、優(yōu)選5至40個(gè)芳族環(huán)原子、更優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下還可被上述基團(tuán)取代并且可經(jīng)由任何所期望的位置與芳族或雜芳族體系連接的芳族或雜芳族環(huán)系，應(yīng)理解為意指例如衍生自以下的基團(tuán)：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、熒蒽、苯并熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、聯(lián)二苯叉、三聯(lián)苯、聯(lián)三苯叉、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚并芴、順式或反式單苯并茚并芴、順式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、熒紅環(huán)、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。
[0040]
在一種優(yōu)選配置中，可行情況為式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)中的至少一個(gè)表示n，優(yōu)選式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)中的至少兩個(gè)表示n，更優(yōu)選式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)全都表示n。
[0041]
另外可行情況為式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)中的至少一個(gè)表示cr，優(yōu)選式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)中的至少兩個(gè)表示cr，更優(yōu)選式(i)中的w、ya、yb基團(tuán)全都表示cr，其中r具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0042]
此外，可行情況為式(i)中的ya、yb基團(tuán)中的至少一個(gè)表示n，優(yōu)選式(i)中的ya、yb基團(tuán)全都表示n，并且w基團(tuán)表示cr，其中r具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0043]
此外可行情況為式(i)中的ya基團(tuán)表示n，并且式(i)中yb基團(tuán)表示cr，其中r具有上
文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0044]
在另一個(gè)實(shí)施方式中，可行情況為式(i)中的w和ya基團(tuán)表示n并且式(i)中的yb基團(tuán)表示cr，其中r具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0045]
另外可行情況為式(i)中的ya基團(tuán)表示n，并且式(i)中w和yb基團(tuán)表示cr，其中r具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0046]
在一種優(yōu)選配置中，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物可以包含至少一個(gè)式(ii-1)、(ii-2)、(ii-3)、(ii-4)、(ii-5)、(ii-6)、(ii-7)、(ii-8)、(ii-9)、(ii-10)和(ii-11)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地選自式(ii-1)、(ii-2)、(ii-3)、(ii-4)、(ii-5)、(ii-6)、(ii-7)、(ii-8)、(ii-9)、(ii-10)和(ii-11)的化合物，
[0047]
[0048][0049]
其中ra、rb、rc和r基團(tuán)具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義，下標(biāo)n為0、1、2或3，優(yōu)選0、1或2，下標(biāo)j為0、1或2，下表k為0或1。
[0050]
優(yōu)選地，ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)選自以下基團(tuán)：苯基、芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、吡啶、喹啉、異喹啉、內(nèi)酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脫氫菲、熒蒽、萘、菲、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴、芘、苝、苣、硼吖嗪、硼氧烷、硼雜環(huán)戊二烯、硼唑、氮雜硼雜環(huán)戊二烯、酮、氧化膦、芳基硅烷、硅氧烷及其組合。
[0051]
另外可行情況為ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)選自苯基、鄰聯(lián)苯、間聯(lián)苯或?qū)β?lián)苯、三聯(lián)苯(尤其是支鏈三聯(lián)苯)、四聯(lián)苯(尤其是支鏈四聯(lián)苯)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、9,9'-二芳基芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、芘基、三嗪基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基或9-咔唑基、1-萘基或2-萘基、蒽基(優(yōu)選9-蒽基)、反式和順式茚并芴基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、螺咔唑基、5-芳基菲啶-6-酮基、9,10-脫氫菲基、熒蒽基、甲苯基、均三甲苯基、苯氧基甲苯基、茴香醚基、三芳基胺基、雙(三芳基胺基)、三(三芳基胺基)、六甲基茚滿基、四氫化萘基、單環(huán)烷基、雙環(huán)烷基、三環(huán)烷基、烷基(例如叔丁基、甲基、丙基)、烷氧基、烷基硫烷基、烷基芳基、三芳基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、呫噸基、10-芳基吩嗪基、菲基和/或三苯亞基，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，特別優(yōu)選苯基、螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、聯(lián)三苯叉基團(tuán)。
[0052]
當(dāng)上文和下文詳述的結(jié)構(gòu)被取代基r取代時(shí)，這些取代基r優(yōu)選地選自h，d，f，cn，n(ar')2，c(＝o)ar'，p(＝o)(ar')2，具有1至10個(gè)碳原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3至10個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2至10個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被o代替并且其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d或f代替，具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至25個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)；同時(shí)，優(yōu)選地與相鄰碳原子鍵合的兩個(gè)取代基r可以任選地形成可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的單環(huán)或多環(huán)脂族、芳族或雜芳族環(huán)系；其中ar基團(tuán)具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義。
[0053]
更優(yōu)選地，這些取代基r選自h，d，f，cn，n(ar')2，具有1至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有1、2、3或4個(gè)碳原子的直鏈烷基，或具有3至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有3或4個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基，或具有2至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有2、3或4個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代，或者具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6至18個(gè)芳族環(huán)原子、更優(yōu)選6至13個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r1基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，優(yōu)選與相鄰碳原子鍵合的兩個(gè)取代基r1可以任選地形成可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的單環(huán)或多環(huán)脂族環(huán)系，其中ar可以具有如上所述的定義。
[0054]
更優(yōu)選地，取代基r選自h或具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至13個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。合適的取代基r的實(shí)例選自苯基、鄰聯(lián)苯基、間聯(lián)苯基或?qū)β?lián)苯基、三聯(lián)苯基(尤其是支鏈三聯(lián)
苯基)、四聯(lián)苯基(尤其是支鏈四聯(lián)苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹唑啉基、喹啉基、喹啉基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基和茚并咔唑基，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。
[0055]
另外可行情況為上文和下文所示的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)的取代基ra、rb、rc和/或r彼此不形成任何稠合芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選任何稠合環(huán)系。這包括與可與ra、rb、rc和/或r或與r1基團(tuán)鍵合的可能取代基r1和r2形成稠合環(huán)系。
[0056]
在另一個(gè)實(shí)施方式中，可行情況為根據(jù)本發(fā)明使用的化合物包含空穴傳輸基團(tuán)，其中優(yōu)選上述式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中可存在的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)尤其包含空穴傳輸基團(tuán)并且優(yōu)選表示空穴傳輸基團(tuán)。空穴傳輸基團(tuán)是技術(shù)領(lǐng)域中已知的，它們優(yōu)選地包括三芳基胺或咔唑基團(tuán)。
[0057]
優(yōu)選的可行情況為空穴傳輸基團(tuán)包含選自式(h-1)至(h-3)的基團(tuán)并且優(yōu)選為選自式(h-1)至(h-3)的基團(tuán)，
[0058][0059]
其中虛線鍵標(biāo)記連接位置，并且符號(hào)定義如下：
[0060]
ar2、ar3、ar4在每種情況下獨(dú)立地為具有6至40個(gè)碳原子的芳族環(huán)系或具有3至40個(gè)碳原子的雜芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系或雜芳族環(huán)系各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代；
[0061]
p為0或1；
[0062]
z是鍵或者c(r1)2、si(r1)2、c＝o、nr1、nar1、br1、pr1、po(r1)、so、so2、se、o或s，優(yōu)選為鍵或者c(r1)2、nar1、o或s；
[0063]
其中ar1是具有6至40個(gè)碳原子的芳族環(huán)系或具有3至40個(gè)碳原子的雜芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，并且r1基團(tuán)具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義。同時(shí)，優(yōu)選排除存在n-n鍵。
[0064]
此外可行情況為空穴傳輸基團(tuán)包含選自式(h-4)至(h-26)的基團(tuán)并且優(yōu)選為選自式(h-4)至(h-26)的基團(tuán)，
[0065]
[0066]
[0067][0068]
其中y1為o、s、c(r1)2或nar1，虛線鍵標(biāo)記連接位置，e為0、1或2，j為0、1、2或3，h為0、1、2、3或4，p為0或1，r1具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義，并且ar1和ar2具有上文尤其針對(duì)式(h-1)或(h-2)給出的定義。同時(shí)，優(yōu)選排除存在n-n鍵。
[0069]
從上文清楚地看出，如果下標(biāo)為p＝0，則相應(yīng)的ar2基團(tuán)不存在并形成鍵。
[0070]
優(yōu)選地，ar2基團(tuán)可與式(h-1)至(h-26)的ar2基團(tuán)可以鍵合的芳族或雜芳族基團(tuán)或氮原子形成完全共軛。
[0071]
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，ar2是具有5至14個(gè)芳族或雜芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選具有6至12個(gè)碳原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族環(huán)系，其中r1可以具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義。更優(yōu)選地，ar2是具有6至10個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個(gè)雜芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，其中r1可以具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義。
[0072]
更優(yōu)選地，式(h-1)至(h-26)所示的符號(hào)ar2尤其為具有5至24個(gè)環(huán)原子、優(yōu)選6至13個(gè)環(huán)原子、更優(yōu)選6至10個(gè)環(huán)原子的芳基或雜芳基基團(tuán)，使得芳族或雜芳族環(huán)系的芳族或雜芳族基團(tuán)直接(即，經(jīng)由芳族或雜芳族基團(tuán)的原子)鍵合至另一基團(tuán)的相應(yīng)原子。
[0073]
另外可行情況為式(h-1)至(h-26)所示的ar2基團(tuán)包含具有不超過(guò)兩個(gè)稠合芳族和/或雜芳族6元環(huán)的芳族環(huán)系；優(yōu)選它不包含具有稠合6元環(huán)的任何稠合芳族或雜芳族環(huán)系。因此，萘基結(jié)構(gòu)優(yōu)于蒽結(jié)構(gòu)。此外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基結(jié)構(gòu)優(yōu)于萘基結(jié)構(gòu)。特別優(yōu)選沒(méi)有稠合的結(jié)構(gòu)，例如苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和/或四聯(lián)苯基結(jié)
構(gòu)。
[0074]
另外可行情況為式(h-1)至(h-26)所示的ar2基團(tuán)尤其具有不超過(guò)1個(gè)氮原子，優(yōu)選不超過(guò)2個(gè)雜原子，特別優(yōu)選不超過(guò)一個(gè)雜原子，尤其優(yōu)選沒(méi)有雜原子。
[0075]
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，ar3和/或ar4在每種情況下相同或不同，并且為具有6至24個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6至18個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，更優(yōu)選為具有6至12個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，其中r1可以具有上文尤其是在式(i)中給出的定義。
[0076]
在另一個(gè)實(shí)施方式中，可行情況為根據(jù)本發(fā)明使用的化合物包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)，其中優(yōu)選上述式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中可存在的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)尤其包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)并且優(yōu)選表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。電子傳輸基團(tuán)在技術(shù)領(lǐng)域中廣為人知并且促進(jìn)化合物傳輸和/或傳導(dǎo)電子的能力。
[0077]
此外，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物顯示出令人驚訝的優(yōu)點(diǎn)，所述化合物包含至少一個(gè)選自以下基團(tuán)的結(jié)構(gòu)：吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、喹啉、異喹啉、咪唑和/或苯并咪唑，特別優(yōu)選嘧啶、三嗪和喹唑啉。這些結(jié)構(gòu)通常促進(jìn)化合物傳輸和/或傳導(dǎo)電子的能力。
[0078]
在本發(fā)明的一種優(yōu)選配置中，可行情況為含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)是可以由式(ql)表示的基團(tuán)，
[0079][0080]
其中l(wèi)1表示鍵或具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，q是電子傳輸基團(tuán)，其中r1具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置。
[0081]
優(yōu)選地，l1基團(tuán)可與q基團(tuán)和與式(ql)的l1基團(tuán)鍵合的原子(優(yōu)選碳或氮原子)形成完全共軛。一旦相鄰的芳族或雜芳族環(huán)之間形成直接鍵，就形成芳族或雜芳族體系的完全共軛。上述共軛基團(tuán)之間的另一個(gè)鍵，例如經(jīng)由硫、氮或氧原子或羰基，不會(huì)對(duì)共軛不利。在芴體系的情況下，兩個(gè)芳族環(huán)直接鍵合，其中9位上的sp3雜化碳原子確實(shí)防止了這些環(huán)的稠合，但有可能共軛，因?yàn)?位上的這個(gè)sp3雜化碳原子未必位于電子傳輸q基團(tuán)和式(ql)基團(tuán)與化合物的其它結(jié)構(gòu)要素鍵合所經(jīng)由的原子之間。相比之下，在第二螺二芴結(jié)構(gòu)的情況下，如果q基團(tuán)和式(ql)的l1基團(tuán)所鍵合的芳族或雜芳族基團(tuán)之間的鍵是經(jīng)由螺二芴結(jié)構(gòu)中的相同苯基或經(jīng)由螺二芴結(jié)構(gòu)中彼此直接鍵合并且在一個(gè)平面上的苯基，則可以形成完全共軛。如果q基團(tuán)和式(ql)的l1基團(tuán)所鍵合的芳族或雜芳族基團(tuán)之間的鍵是通過(guò)經(jīng)由第9位上的sp3雜化碳原子鍵合的第二螺二芴結(jié)構(gòu)中的不同苯基鍵合，則共軛被中斷。
[0082]
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，l1是鍵或具有5至14個(gè)芳族或雜芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選具有6至12個(gè)碳原子的芳族環(huán)系，并且其可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，其中r1可以具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義。更優(yōu)選地，l1為具有6至10個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個(gè)雜芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，它們各自可
被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，其中r2可以具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義。
[0083]
更優(yōu)選地，尤其式(ql)所示的符號(hào)l1尤其在每種情況下相同或不同，并且為鍵或具有5至24個(gè)環(huán)原子、優(yōu)選6至13個(gè)環(huán)原子、更優(yōu)選6至10個(gè)環(huán)原子的芳基或雜芳基基團(tuán)，使得芳族或雜芳族環(huán)系的芳族或雜芳族基團(tuán)直接(即，經(jīng)由芳族或雜芳族基團(tuán)的原子)鍵合至另一基團(tuán)的相應(yīng)原子。
[0084]
此外可行情況為式(ql)所示的l1基團(tuán)包含具有不超過(guò)兩個(gè)稠合芳族和/或雜芳族6元環(huán)的芳族環(huán)系，優(yōu)選不包含任何稠合芳族或雜芳族環(huán)系。因此，萘基結(jié)構(gòu)優(yōu)于蒽結(jié)構(gòu)。此外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基結(jié)構(gòu)優(yōu)于萘基結(jié)構(gòu)。
[0085]
特別優(yōu)選沒(méi)有稠合的結(jié)構(gòu)，例如苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和/或四聯(lián)苯基結(jié)構(gòu)。
[0086]
合適的芳族或雜芳族環(huán)系l1的實(shí)例選自鄰苯亞基、間苯亞基或?qū)Ρ絹喕⑧徛?lián)苯亞基、間聯(lián)苯亞基或?qū)β?lián)苯亞基、三聯(lián)苯亞基(尤其是支鏈三聯(lián)苯亞基)、四聯(lián)苯亞基(尤其是支鏈四聯(lián)苯亞基)、芴亞基、螺二芴亞基、二苯并呋喃亞基、二苯并噻吩亞基和咔唑亞基，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。
[0087]
另外可行情況為尤其式(ql)所示的l1基團(tuán)具有不超過(guò)1個(gè)氮原子，優(yōu)選不超過(guò)2個(gè)雜原子，尤其優(yōu)選不超過(guò)一個(gè)雜原子，更優(yōu)選沒(méi)有雜原子。
[0088]
優(yōu)選地，尤其式(ql)中所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)可以選自式(q-1)、(q-2)、(q-4)、(q-4)、(q-5)、(q-6)、(q-7)、(q-8)、(q-9)和/或(q-10)的結(jié)構(gòu)，
[0089]
[0090][0091]
其中虛線鍵標(biāo)記連接位置，
[0092]
q'在每種情況下相同或不同并且為cr1或n；
[0093]
q”為nr1、o或s；
[0094]
其中至少一個(gè)q'為n；并且
[0095]
r1如上文尤其是在式(i)中所定義。
[0096]
此外，尤其式(ql)所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)優(yōu)選可以選自式(q-11)、(q-12)、(q-13)、(q-14)和/或(q-15)的結(jié)構(gòu)，
[0097][0098]
其中符號(hào)r1具有上文尤其針對(duì)式(i)給出的定義，x'為n或cr1，并且虛線鍵標(biāo)記連接位置，其中x'優(yōu)選為氮原子。
[0099]
在另一個(gè)實(shí)施方式中，尤其式(ql)中所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)可以選自式(q-16)、(q-17)、(q-18)、(q-19)、(q-20)、(q-21)和/或(q-22)的結(jié)構(gòu)，
[0100][0101]
其中符號(hào)r1具有上文尤其針對(duì)式(i)詳述的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置，m為0、1、2、3或4，優(yōu)選為0、1或2，n為0、1、2或3，優(yōu)選為0、1或2，并且o為0、1或2，優(yōu)選為1或2。這里優(yōu)選式(q-16)、(q-17)、(q-18)和(q-19)的結(jié)構(gòu)。
[0102]
在另一實(shí)施方式中，尤其式(ql)中所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)可以選自式(q-23)、(q-24)和/或(q-25)的結(jié)構(gòu)，
[0103][0104]
其中符號(hào)r1具有上文尤其針對(duì)式(i)所述的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置。
[0105]
在另一實(shí)施方式中，尤其式(ql)中所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)可以選自式(q-26)、(q-27)、(q-28)、(q-29)和/或(q-30)的結(jié)構(gòu)，
[0106][0107]
其中符號(hào)ar1和r1具有上文尤其針對(duì)式(i)和/或(h-2)、(h-3)給出的定義，x'為n或cr1，并且虛線鍵標(biāo)記連接位置。優(yōu)選地，在式(q-26)、(q-27)和(q-28)的結(jié)構(gòu)中，恰好一個(gè)x'是氮原子。
[0108]
優(yōu)選地，尤其式(ql)中所示的q基團(tuán)或電子傳輸基團(tuán)可以選自式(q-31)、(q-32)、(q-33)、(q-34)、(q-35)、(q-36)、(q-37)、(q-38)、(q-39)、(q-40)、(q-41)、(q-42)、(q-43)和/或(q-44)的結(jié)構(gòu)，
[0109]
[0110][0111]
其中符號(hào)ar1和r1具有上文尤其針對(duì)式(i)和/或(h-2)或(h-3)給出的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置，m為0、1、2、3或4，優(yōu)選0、1或2，n為0、1、2或3，優(yōu)選0或1，n為0、1、2或3，優(yōu)選0、1或2，l為1、2、3、4或5，優(yōu)選0、1或2。
[0112]
在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式中，ar1在每種情況下相同或不同，并且為具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系(優(yōu)選芳基或雜芳基基團(tuán))，更優(yōu)選為具有6至12個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系(優(yōu)選芳基基團(tuán))，或具有5至13個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系(優(yōu)選雜芳基基團(tuán))，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，其中r1可以具有上文尤其是在式(i)中詳述的定義。
[0113]
優(yōu)選地，符號(hào)ar1是芳基或雜芳基基團(tuán)，使得芳族或雜芳族環(huán)系的芳族或雜芳族基團(tuán)直接(即，經(jīng)由芳族或雜芳族基團(tuán)的原子)鍵合至另一基團(tuán)的相應(yīng)原子，例如上文所示的(h-1)至(h-26)或(q-26)至(q-44)基團(tuán)的碳或氮原子。
[0114]
有利地，式(h-1)至(h-26)或(q-26)至(q-44)中的ar1是具有6至12個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族環(huán)系，但優(yōu)選未被取代，其中r1可以具有上文尤其是針對(duì)式(i)詳述的定義。
[0115]
優(yōu)選地，式(h-1)至(h-26)或(q-1)至(q-44)中的r1或r2基團(tuán)不與芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)ar1、ar2、ar3和/或ar4中與r1或r2基團(tuán)鍵合的環(huán)原子形成稠合環(huán)系。這包括與可與r1基團(tuán)鍵合的可能取代基r2形成稠合環(huán)系。
[0116]
另外可行情況為ar'、ar1、ar2、ar3和/或ar4基團(tuán)選自苯基、鄰聯(lián)苯基、間聯(lián)苯基或?qū)β?lián)苯基、三聯(lián)苯基(尤其是支鏈三聯(lián)苯基)、四聯(lián)苯基(尤其是支鏈四聯(lián)苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、芘基、三嗪基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基、1-萘基或2-萘基、蒽基(優(yōu)選9-蒽基)、菲基和/或三苯亞基，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代，特別優(yōu)選苯基、螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、三苯亞基基團(tuán)，其中r1基團(tuán)具有上文尤其是在式(i)中給出的定義。
[0117]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的至少兩個(gè)ra、rb、rc和/或r基團(tuán)包含空穴傳輸基團(tuán)并且優(yōu)選在每種情況下表示空穴傳輸基團(tuán)。
[0118]
另外可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含兩個(gè)空穴傳輸基團(tuán)。空穴傳輸基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(h-1)至(h-26)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0119]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的至少兩個(gè)ra、rb、rc和/或r基團(tuán)包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)并且優(yōu)選在每種情況下表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。
[0120]
另外可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含兩個(gè)含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(ql)和/或(q-1)至(q-44)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0121]
在另一種配置中，可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含空穴傳輸基團(tuán)并且優(yōu)選表示空穴傳輸基團(tuán)，并且r和/或ar基團(tuán)中的至少一個(gè)包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)并且優(yōu)選表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。
[0122]
另外可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)與空穴傳輸基團(tuán)兩者。含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)或空穴傳輸基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(ql)、(q-1)至(q-44)或(h-1)至(h-26)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0123]
在另一種配置中，可行情況為ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)導(dǎo)致具有寬帶隙材料的基團(tuán)。表述“導(dǎo)致具有寬帶隙材料的基團(tuán)”表明所述化合物可以用作寬帶隙材料，因此所述化合物具有相應(yīng)的基團(tuán)。稍后將詳細(xì)討論寬帶隙材料。
[0124]
另外可行情況為ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)導(dǎo)致用作主體材料的材料的基團(tuán)。表述“導(dǎo)致用作主體材料的材料的基團(tuán)”表明所述化合物可以用作主體材料，因此所述化合物具有相應(yīng)的基團(tuán)。稍后將詳細(xì)討論主體材料。
[0125]
在另一種配置中，可行情況為所述化合物包含具有至少2個(gè)、優(yōu)選三個(gè)可以任選地被取代的稠合環(huán)的稠合芳族或雜芳族環(huán)系。
[0126]
優(yōu)選地，式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一
個(gè)包含至少一個(gè)具有兩個(gè)、優(yōu)選具有三個(gè)稠合芳族環(huán)或雜芳族環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0127]
優(yōu)選可行情況為具有兩個(gè)、優(yōu)選具有三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系選自式(ar-1)至(ar-17)的基團(tuán)，
[0128]
[0129][0130]
其中x'為n或cr1，優(yōu)選為cr1，l1表示鍵或具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，其中r1具有上文尤其是針對(duì)式(i)所述的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置。
[0131]
最優(yōu)選的可行情況為具有兩個(gè)、優(yōu)選具有三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系選自式(ar'-1)至(ar'-17)的基團(tuán)，
[0132]
[0133][0134]
其中l(wèi)1表示鍵或具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，其中r1具有上文尤其是針對(duì)式(i)所述的定義，虛線鍵標(biāo)記連接位置，并且下標(biāo)如下：
[0135]
p為0或1；
[0136]
e為0、1或2，優(yōu)選為0或1；
[0137]
j在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2或3，優(yōu)選為0、1或2，更優(yōu)選為0或1；
[0138]
h在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2、3或4，優(yōu)選為0、1或2，更優(yōu)選為0或1；
[0139]
s為在0至7范圍內(nèi)的整數(shù)，優(yōu)選為0、1、2、3、4、5或6，特別優(yōu)選為0、1、2、3或4，尤其優(yōu)選為0、1或2。
[0140]
優(yōu)選在每種情況下式(ar'-1)至(ar'-17)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)p、e、j、h和s的總和不大于3，優(yōu)選不大于2，更優(yōu)選不大于1。
[0141]
上文所示的式(ar-1)至(ar-17)和/或(ar'-1)至(ar'-17)的結(jié)構(gòu)對(duì)于適合用作熒光發(fā)光體或藍(lán)oled材料的化合物為尤其優(yōu)選的基團(tuán)。
[0142]
在本發(fā)明的一個(gè)更優(yōu)選實(shí)施方式中，上文所示的式(ar-1)至(ar-17)和/或(ar'-1)至(ar'-17)的結(jié)構(gòu)中的l1基團(tuán)是具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，其中r1具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義。
[0143]
優(yōu)選的可行情況為根據(jù)本發(fā)明使用的化合物包含至少一個(gè)選自式(l
1-1)至(l
1-76)的連接基團(tuán)；優(yōu)選地，在式(h-1)至(h-26)的結(jié)構(gòu)中，ar2基團(tuán)選自式(l
1-1)至(l
1-76)，或者電子傳輸基團(tuán)經(jīng)由選自式(l
1-1)至(l
1-76)的連接基團(tuán)與其它結(jié)構(gòu)元件連接，或式(ql)、(ar-1)至(ar-17)和/或(ar'-1)至(ar'-17)中的l1基團(tuán)為選自式(l
1-1)至(l
1-76)的基團(tuán)，
[0144]
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149][0150]
其中虛線鍵在每種情況下標(biāo)記連接位置，下標(biāo)k為0或1，下標(biāo)l為0、1或2，下標(biāo)j在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2或3；下標(biāo)h在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2、3或4，下標(biāo)g為0、1、2、3、4或5；符號(hào)y2為o、s、br1或nr1，優(yōu)選為o或s；并且符號(hào)r1具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義。
[0151]
優(yōu)選的可行情況為式(l
1-1)至(l
1-76)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)k、l、g、h和j的總和在每種情況下為最多3，優(yōu)選為最多2，更優(yōu)選為最多1。
[0152]
具有式(h-1)至(h-26)基團(tuán)的優(yōu)選化合物包含選自式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)之一的ar2基團(tuán)。有利地，式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)k、l、g、h和j的總和可在每種情況下不大于3，優(yōu)選不大于2，更優(yōu)選不大于1。
[0153]
具有式(ql)基團(tuán)的優(yōu)選化合物包含表示鍵或選自式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)之一的l1基團(tuán)。有利地，式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)k、l、g、h和j的總和可在每種情況下不大于3，優(yōu)選不大于2，更優(yōu)選不大于1。
[0154]
具有式(ar-1)至(ar-17)和/或(ar'-1)至(ar'-17)基團(tuán)的優(yōu)選化合物包含作為鍵或選自式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)之一的l1基團(tuán)。有利地，式(l
1-1)至(l
1-46)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-32)和/或(l
1-57)至(l
1-76)、尤其優(yōu)選式(l
1-1)至(l
1-10)和/或(l
1-57)至(l
1-68)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)k、l、g、h和j的總和可在每種情況下不大于3，優(yōu)選不大于2，更優(yōu)選不大于1。
[0155]
優(yōu)選地，式(l
1-1)至(l
1-76)中的r1基團(tuán)不與r1基團(tuán)所鍵合的芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)的環(huán)原子形成稠合芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選不形成任何稠合環(huán)系。
[0156]
當(dāng)芳族和/或雜芳族基團(tuán)被取代基r1取代時(shí)，這些取代基r1優(yōu)選地選自h，d，f，cn，n(ar”)2，c(＝o)ar”，p(＝o)(ar”)2，具有1至10個(gè)碳原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)或具有3至10個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)或具有2至10個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被o代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d或f代替，具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或者具有5至25個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)；同時(shí)，任選地兩個(gè)優(yōu)選與相鄰碳原子鍵合的取代基r1可形成可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的單環(huán)或多環(huán)脂族、芳族或雜芳族環(huán)系；其
中ar”基團(tuán)具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義。
[0157]
更優(yōu)選地，這些取代基r1選自h，d，f，cn，n(ar”)2，具有1至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有1、2、3或4個(gè)碳原子的直鏈烷基，或具有3至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有3或4個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基，或具有2至8個(gè)碳原子，優(yōu)選具有2、3或4個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代，或者具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6至18個(gè)芳族環(huán)原子、更優(yōu)選6至13個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r1基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，優(yōu)選與相鄰碳原子鍵合的兩個(gè)取代基r1可以任選地形成可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的單環(huán)或多環(huán)脂族環(huán)系，其中ar1可以具有上文所述的定義。
[0158]
最優(yōu)選地，取代基r1選自h或具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選6至13個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r2基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。合適的取代基r1的實(shí)例選自苯基、鄰聯(lián)苯基、間聯(lián)苯基或?qū)β?lián)苯基、三聯(lián)苯基(尤其是支鏈三聯(lián)苯基)、四聯(lián)苯基(尤其是支鏈四聯(lián)苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基和茚并咔唑基，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。
[0159]
另外可行情況為芳族或雜芳族環(huán)系的取代基r1不與芳族或雜芳族環(huán)系的其它環(huán)原子形成稠合芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選任何稠合環(huán)系。這包括與可與r1基團(tuán)鍵合的可能取代基r2形成稠合環(huán)系。
[0160]
另外可行情況為式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)r1或ar”基團(tuán)為選自式(r
1-1)至(r
1-43)的基團(tuán)，或式(h-1)至(h-26)、(ql)、(q-1)至(q-44)、(ar-1)至(ar-17)和/或(ar'-1)至(ar'-17)的結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)r1是選自式(r
1-1)至(r
1-43)的基團(tuán)，
[0161]
[0162]
[0163]
[0164][0165]
其中所用符號(hào)如下：
[0166]y3 為o、s或nr2，優(yōu)選為o或s；
[0167]
k 在每種情況下獨(dú)立地為0或1；
[0168]
i 在每種情況下獨(dú)立地為0、1或2；
[0169]
j 在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2或3；
[0170]
h 在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2、3或4；
[0171]
g 在每種情況下獨(dú)立地為0、1、2、3、4或5；
[0172]r2 可以具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，并且
[0173]
虛線鍵標(biāo)記連接位置。
[0174]
這里優(yōu)選式r
1-1至r
1-28的基團(tuán)，特別優(yōu)選r
1-1、r
1-3、r
1-4、r
1-10、r
1-11、r
1-12、r
1-13、r
1-14、r
1-16、r
1-17、r
1-18、r
1-19、r
1-20、r
1-21和/或r
1-22基團(tuán)。
[0175]
優(yōu)選的可行情況為式(r
1-1)至(r
1-43)的結(jié)構(gòu)中下標(biāo)k、i、j、h和g的總和在每種情況下都不大于3，優(yōu)選不大于2，更優(yōu)選不大于1。
[0176]
優(yōu)選地，式(r
1-1)至(r
1-43)中的r2基團(tuán)不與r2基團(tuán)所鍵合的芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)的環(huán)原子形成稠合芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選不形成任何稠合環(huán)系。
[0177]
上述式(r
1-1)至(r
1-43)的基團(tuán)優(yōu)選為式(i)的ar基團(tuán)或式(h-1)至(h-3)的ar3、ar4基團(tuán)或這些式的優(yōu)選實(shí)施方式，其中在這種情況下，式(r
1-1)至(r
1-43)所示的r2基團(tuán)將被r1基團(tuán)代替。上文關(guān)于式(r
1-1)至(r
1-43)詳述的優(yōu)選項(xiàng)相應(yīng)地適用。
[0178]
在一種優(yōu)選配置中，可根據(jù)本發(fā)明使用的化合物可以由式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)表示。優(yōu)選地，包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)結(jié)構(gòu)的化合物的分子量不超過(guò)5000g/mol，優(yōu)選不超過(guò)4000g/mol，特別優(yōu)選不超過(guò)3000g/mol，尤其優(yōu)選不超過(guò)2000g/mol，最優(yōu)選不超過(guò)1200g/mol。
[0179]
此外，可根據(jù)本發(fā)明使用的優(yōu)選化合物的特征在于它們是可升華的。這些化合物的摩爾質(zhì)量通常小于約1200g/mol。
[0180]
當(dāng)本發(fā)明化合物被芳族或雜芳族r1或r2基團(tuán)取代時(shí)，優(yōu)選這些不存在任何具有超過(guò)兩個(gè)彼此直接稠合的芳族六元環(huán)的芳基或雜芳基基團(tuán)。更優(yōu)選地，取代基完全不具有任何具有彼此直接稠合的六元環(huán)的芳基或雜芳基基團(tuán)。這種優(yōu)選項(xiàng)的原因是此類結(jié)構(gòu)的低三重態(tài)能量。具有超過(guò)兩個(gè)彼此直接稠合的芳族六元環(huán)但盡管如此根據(jù)本發(fā)明也適合的稠合芳基基團(tuán)為菲和聯(lián)三苯叉，因?yàn)檫@些基團(tuán)也具有高三重態(tài)能級(jí)。
[0181]
在配置本發(fā)明化合物以用作熒光發(fā)光體或藍(lán)oled材料的情況下，優(yōu)選的化合物可以含有相應(yīng)的基團(tuán)，例如芴、蒽和/或芘基團(tuán)，它們可被r1或r2基團(tuán)取代或者是通過(guò)以取代基r1或r2相應(yīng)地代替(l
1-1)至(l
1-76)或(r
1-1)至(r
1-43)基團(tuán)而形成。
[0182]
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，例如式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)以及引用這些式的這一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式中的r2在每種情況下相同或不同并且選自h，d，f，cn，具有1至10個(gè)碳原子，優(yōu)選具有1、2、3或4個(gè)碳原子的脂族烴基基團(tuán)，或具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選5至24個(gè)芳族環(huán)原子、更優(yōu)選5至13個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)各自具有1至4個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)取代但優(yōu)選未被取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0183]
優(yōu)選地，r2基團(tuán)不與r2基團(tuán)所鍵合的芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)的環(huán)原子形成稠合芳族或雜芳族環(huán)系，優(yōu)選不形成任何稠合環(huán)系。
[0184]
另外可行情況為本發(fā)明化合物不與金屬原子直接接觸，優(yōu)選不是金屬絡(luò)合物的配體。
[0185]
本發(fā)明還提供了一種包含至少一個(gè)式(iii)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選式(iii)化合物，
[0186][0187]
其中符號(hào)p、ra、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，并且ra、rb、rc、ya、yb和w基團(tuán)中的至少一個(gè)包含或表示hetar基團(tuán)，其中hetar為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的雜芳族環(huán)系，其中hetar基團(tuán)可與r基團(tuán)、ra、rb、rc、ya、yb基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中hetar優(yōu)選為選自上文定義的式(h-1)至(h-26)或選自上文定義的式(ql)和(q-1)至(q-44)的基團(tuán)。
[0188]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明化合物可以包含至少一個(gè)式(iiia)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地選自式(iiia)化合物，
[0189][0190]
其中符號(hào)p、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，hetar為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的雜芳族環(huán)系，其中hetar基團(tuán)可與r基團(tuán)、ra、rb、rc、ya、yb基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中hetar優(yōu)選為選自上文定義的式(h-1)至(h-26)或選自上文定義的式(ql)和(q-1)至(q-44)的基團(tuán)。
[0191]
在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為本發(fā)明化合物包括式(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)，其中本發(fā)明化合物更優(yōu)選地選自式(iv-1)至(iv-14)的化合物，
[0192]
[0193][0194]
其中符號(hào)ra、rb、rc和r具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，下標(biāo)n為0、1、2或3，優(yōu)選為0、1或2，下標(biāo)j為0、1或2，下標(biāo)k為0或1，hetar具有上文尤其是針對(duì)式(iii)給出的定
義，并且優(yōu)選為選自上文定義的式(h-1)至(h-26)或選自上文定義的式(ql)和(q-1)至(q-44)的基團(tuán)。
[0195]
另外特別優(yōu)選具有式(iv-1)、(iv-2)、(iv-3)、(iv-4)、(iv-5)、(iv-6)、(iv-7)、(iv-8)、(iv-9)、(iv-10)、(iv-11)、(iv-12)、(iv-13)和/或(iv-14)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物，所述化合物具有以下性質(zhì)：
[0196][0197]
在本文上下文中，如上文所示的表中所示的具有式(iv-1)至(iv-14)結(jié)構(gòu)的化合物中的式q-11至q-25的基團(tuán)包含r1基團(tuán)，所述r1基團(tuán)優(yōu)選表示具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至13個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r2基團(tuán)取代；優(yōu)選地，如上文所示的表中所示的具有式(iv-1)至(iv-14)結(jié)構(gòu)的化合物中的式q-11至q-25的基團(tuán)具有至少一個(gè)r1基團(tuán)，優(yōu)選至少兩個(gè)r1基團(tuán)，所述r1基團(tuán)選自式(r
1-1)至(r
1-43)，優(yōu)選式r
1-1至r
1-28和r
1-34至r
1-38的基團(tuán)，尤其優(yōu)選式r
1-1、r
1-3、r
1-4、r
1-10、r
1-11、r
1-12、r
1-13、r
1-14、r
1-16、r
1-17、r
1-18、r
1-19、r
1-20、r
1-21、r
1-22、r
1-24和/或r
1-37的基團(tuán)。
[0198]
另外特別優(yōu)選具有式(iv-1)、(iv-2)、(iv-3)、(iv-4)、(iv-5)、(iv-6)、(iv-7)、(iv-8)、(iv-9)、(iv-10)、(iv-11)、(iv-12)、(iv-13)和/或(iv-14)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物，其中hetar基團(tuán)具有并且優(yōu)選表示至少一個(gè)ql基團(tuán)，其中q選自q-16至19和q-23至q-25，優(yōu)選q-23至q-25，更優(yōu)選q-23，所述化合物具有以下性質(zhì)：
[0199][0200]
另外特別優(yōu)選具有式(iv-1)、(iv-2)、(iv-3)、(iv-4)、(iv-5)、(iv-6)、(iv-7)、(iv-8)、(iv-9)、(iv-10)、(iv-11)、(iv-12)、(iv-13)和/或(iv-14)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物，其中hetar基團(tuán)具有且優(yōu)選表示至少一個(gè)空穴傳輸基團(tuán)，其中所述空穴傳輸基團(tuán)選自h-1至h-3，所述化合物具有以下性質(zhì)：
[0201][0202]
另外特別優(yōu)選具有式(iv-1)、(iv-2)、(iv-3)、(iv-4)、(iv-5)、(iv-6)、(iv-7)、(iv-8)、(iv-9)、(iv-10)、(iv-11)、(iv-12)、(iv-13)和/或(iv-14)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物，其中hetar基團(tuán)具有且優(yōu)選表示至少一個(gè)空穴傳輸基團(tuán)，其中所述空穴傳輸基團(tuán)選自h-4至h-26，所述化合物具有以下性質(zhì)：
[0203][0204]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)
構(gòu)中的hetar基團(tuán)和ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)各自包含并優(yōu)選表示空穴傳輸基團(tuán)。
[0205]
另外可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)中的hetar基團(tuán)包含兩個(gè)空穴傳輸基團(tuán)。空穴傳輸基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(h-1)至(h-26)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0206]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)中的hetar基團(tuán)和ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含并優(yōu)選表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。
[0207]
另外可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)中的hetar基團(tuán)包含兩個(gè)含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(ql)和/或(q-1)至(q-44)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0208]
在另一種配置中，可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)中的hetar、ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含并且優(yōu)選表示空穴傳輸基團(tuán)，并且hetar、ra、rb、rc和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含并且優(yōu)選表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。
[0209]
另外可行情況為式(iii)、(iiia)和/或(iv-1)至(iv-14)的結(jié)構(gòu)中的hetar基團(tuán)包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)與空穴傳輸基團(tuán)兩者。含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)或空穴傳輸基團(tuán)在此可被視為r1基團(tuán)，在這種情況下，式(ql)、(q-1)至(q-44)或(h-1)至(h-26)的結(jié)構(gòu)中的取代基r1將被r2基團(tuán)代替。
[0210]
本發(fā)明還提供了一種包含至少一個(gè)式(v)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選式(v)化合物，
[0211][0212]
其中符號(hào)p、ra、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，并且ra、rb、rc、ya、yb和w基團(tuán)中的至少一個(gè)包含或表示konar基團(tuán)，其中konar表示具有兩個(gè)、優(yōu)選三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)并具有10至60個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選12至40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其中所述芳族或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中所述konar基團(tuán)可與r基團(tuán)，ra、rb、rc、ya、yb基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中konar優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-1)至(ar-17)和(ar'-1)至(ar'-17)的基團(tuán)，更優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-3)至(ar-17)和(ar'-3)至(ar'-17)的基團(tuán)。
[0213]
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明化合物可以包含至少一個(gè)式(va)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地選自式(va)化合物，
[0214][0215]
其中符號(hào)p、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，并且konar表示具有兩個(gè)、優(yōu)選三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)并具有10至60個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選12至40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其中所述芳族或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中所述konar基團(tuán)可與r基團(tuán)，ra、rb、rc、ya、yb基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中konar優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-1)至(ar-17)和(ar'-1)至(ar'-17)的基團(tuán)，更優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-3)至(ar-17)和(ar'-3)至(ar'-17)的基團(tuán)。
[0216]
在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可行情況為本發(fā)明化合物包括式(vi-1)至(vi-14)的結(jié)構(gòu)，其中本發(fā)明化合物更優(yōu)選地選自式(vi-1)至(vi-14)的化合物，
[0217]
[0218]
[0219][0220]
其中符號(hào)ra、rb、rc和r具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，下標(biāo)n為0、1、2或3，優(yōu)選為0、1或2，下標(biāo)j為0、1或2，下標(biāo)k為0或1，konar具有上文尤其是針對(duì)式(v)給出的定義，并且優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-1)至(ar-17)和(ar'-1)至(ar'-17)的基團(tuán)，更優(yōu)選為選自上文定義的式(ar-3)至(ar-17)和(ar'-3)至(ar'-17)的基團(tuán)。
[0221]
另外特別優(yōu)選具有式(v)、(va)、(vi-1)、(vi-2)、(vi-3)、(vi-4)、(vi-5)、(vi-6)、(vi-7)、(vi-8)、(vi-9)、(vi-10)、(vi-11)、(vi-12)、(vi-13)和/或(vi-14)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物，所述化合物具有以下性質(zhì)：
[0222][0223]
在本文上下文中，如上文所示的表中所示的具有式(v)、(va)和/或(vi-1)至(vi-14)結(jié)構(gòu)的化合物中的式ar-5或ar'-5的基團(tuán)包含r1基團(tuán)，所述r1基團(tuán)優(yōu)選表示具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至13個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，它們各自可被一個(gè)或多個(gè)非芳族r2基團(tuán)取代；優(yōu)選地，如上文所示的表中所示的具有式(v)、(va)和/或(vi-1)至(vi-14)結(jié)構(gòu)的化合物中的式ar-5或ar'-5的基團(tuán)具有至少一個(gè)r1基團(tuán)，所述r1基團(tuán)選自式(r
1-1)至(r
1-43)，優(yōu)選式r
1-1至r
1-28和r
1-34至r
1-38的基團(tuán)，尤其優(yōu)選式r
1-1、r
1-3、r
1-4、r
1-10、r
1-11、r
1-12、r
1-13、r
1-14、r
1-16、r
1-17、r
1-18、r
1-19、r
1-20、r
1-21、r
1-22、r
1-24和/或r
1-37的基團(tuán)。優(yōu)選地表示具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳環(huán)系的這些r1基團(tuán)優(yōu)選在式(ar-5)中或式(ar'-5)中l(wèi)1基團(tuán)連接位點(diǎn)的對(duì)位，下標(biāo)p＝1，并且r1基團(tuán)表示具有6至18個(gè)芳族環(huán)原子的優(yōu)選芳族或雜芳族環(huán)系。
[0224]
本發(fā)明還提供了一種包含恰好兩個(gè)、恰好三個(gè)或恰好四個(gè)式(i)和/或式(ii-1)、(ii-2)、(ii-3)、(ii-4)、(ii-5)、(ii-6)、(ii-7)、(ii-8)、(ii-9)、(ii-10)和(ii-11)結(jié)構(gòu)
和/或其優(yōu)選實(shí)施方式，尤其是式(iii)、(iiia)、(iv-1)至(iv-14)、(v)、(va)、(vi-1)至(vi-14)結(jié)構(gòu)的化合物。
[0225]
更優(yōu)選地，所述化合物選自式(viia)至(viic)的化合物，
[0226][0227][0228]
其中符號(hào)p、ra、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義，并且l1表示鍵或具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，其中l(wèi)1優(yōu)選為鍵或選自上文定義的式(l
1-1)至(l
1-76)的基團(tuán)，其中在式(viia)中，l1基團(tuán)更優(yōu)選不是鍵。
[0229]
實(shí)施例中詳述了本發(fā)明化合物的優(yōu)選實(shí)施方式，這些化合物可單獨(dú)或與其它化合物組合用于本發(fā)明的所有目的。
[0230]
只要滿足權(quán)利要求1所述的條件，上述優(yōu)選實(shí)施方式可以根據(jù)需要彼此組合。在本
發(fā)明的一個(gè)特別優(yōu)選實(shí)施方式中，上述優(yōu)選實(shí)施方式同時(shí)適用。
[0231]
原則上可通過(guò)多種方法制備本發(fā)明化合物。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)下文所述的方法特別合適。
[0232]
因此，本發(fā)明還提供了一種制備本發(fā)明化合物，優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)結(jié)構(gòu)的化合物的方法，其中在偶聯(lián)反應(yīng)中，使包含至少一個(gè)含硫基團(tuán)的化合物與包含至少一個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)的化合物連接。
[0233]
包含至少一個(gè)雜環(huán)結(jié)構(gòu)的合適化合物在許多情況下可商購(gòu)獲得，并且實(shí)施例中詳述的起始化合物可通過(guò)已知方法獲得，因此參照了已知方法。
[0234]
這些化合物可以通過(guò)已知偶聯(lián)反應(yīng)與包含至少一個(gè)芳族或雜芳族基團(tuán)的其它化合物反應(yīng)，用于此目的的必要條件是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的，并且實(shí)施例中的詳細(xì)說(shuō)明幫助了本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)施這些反應(yīng)。
[0235]
導(dǎo)致c-c鍵形成和/或c-n鍵形成的所有特別合適且優(yōu)選的偶聯(lián)反應(yīng)是根據(jù)buchwald、suzuki、yamamoto、stille、heck、negishi、sonogashira和hiyama的那些偶聯(lián)反應(yīng)。這些反應(yīng)廣為人知，并且所述實(shí)施例將為本領(lǐng)域技術(shù)人員提供進(jìn)一步指導(dǎo)。
[0236]
上述制備方法的原理原則上可從關(guān)于類似化合物的文獻(xiàn)中獲知，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地加以調(diào)整以制備本發(fā)明化合物。其它信息可見(jiàn)于實(shí)施例。
[0237]
通過(guò)這些方法，在必要時(shí)加以純化，例如重結(jié)晶或升華后可獲得高純度，優(yōu)選超過(guò)99％(借助于1h nmr和/或hplc測(cè)定)的包含式(i)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物。
[0238]
本發(fā)明化合物還可以具有合適的取代基，例如相對(duì)較長(zhǎng)的烷基基團(tuán)(約4至20個(gè)碳原子)，尤其是支鏈烷基基團(tuán)，或任選取代的芳基基團(tuán)，例如二甲苯基、均三甲苯基或支鏈三聯(lián)苯基或四聯(lián)苯基基團(tuán)，它們導(dǎo)致在標(biāo)準(zhǔn)有機(jī)溶劑中的溶解度，例如使得所述化合物在室溫下以足夠的濃度溶于甲苯或二甲苯中，以便能夠從溶液中處理所述化合物。這些可溶性化合物特別良好地適合于從溶液中處理，例如通過(guò)印刷方法處理。此外，應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)的是，包含至少一個(gè)式(i)、(iia)至(iic)和/或(iib-1)至(iib-4)結(jié)構(gòu)和其它結(jié)構(gòu)所示的其優(yōu)選實(shí)施方式的本發(fā)明化合物已經(jīng)在這些溶劑中具有增強(qiáng)的溶解度。
[0239]
此外，本發(fā)明化合物可以含有一個(gè)或多個(gè)可交聯(lián)基團(tuán)。“可交聯(lián)基團(tuán)”是指能夠發(fā)生不可逆反應(yīng)的官能團(tuán)。這形成了不溶的交聯(lián)材料。通常可以通過(guò)加熱或通過(guò)uv輻射、微波輻射、x輻射或電子束來(lái)促進(jìn)交聯(lián)。在這種情況下，交聯(lián)幾乎沒(méi)有副產(chǎn)物形成。此外，功能性化合物中可存在的可交聯(lián)基團(tuán)非常容易交聯(lián)，因此交聯(lián)需要相對(duì)較少量的能量(例如，在熱交聯(lián)的情況下《200℃)。
[0240]
可交聯(lián)基團(tuán)的實(shí)例為含有雙鍵、三鍵、能夠原位形成雙鍵或三鍵的前體或雜環(huán)加成聚合基團(tuán)的單元。可交聯(lián)基團(tuán)包括乙烯基、烯基(優(yōu)選乙烯基和丙烯基)、c
4-20
環(huán)烯基、疊氮化物、環(huán)氧乙烷、氧雜環(huán)丁烷、二(烴基)氨基、氰酸酯、羥基、縮水甘油醚、丙烯酸c
1-10
烷基酯、甲基丙烯酸c
1-10
烷基酯、烯氧基(優(yōu)選乙烯氧基)、全氟鏈烯氧基(優(yōu)選全氟乙烯氧基)、炔基(優(yōu)選乙炔基)、馬來(lái)酰亞胺、環(huán)丁基苯基、三(c
1-4
)烷基甲硅烷氧基和三(c
1-4
)烷基甲硅烷基。特別優(yōu)選環(huán)丁基苯基、乙烯基和烯基。
[0241]
本發(fā)明化合物還可與聚合物混合。同樣可以將這些化合物共價(jià)結(jié)合到聚合物中。被反應(yīng)性離去基團(tuán)如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯，或被反應(yīng)性可聚合基團(tuán)如烯烴或氧雜環(huán)丁烷取代的化合物尤其可行。這些可以用作制備相應(yīng)低聚物、樹(shù)枝狀大分子或聚合物的單體。
低聚或聚合優(yōu)選經(jīng)由鹵素官能團(tuán)或硼酸官能團(tuán)或經(jīng)由可聚合基團(tuán)實(shí)現(xiàn)。另外可經(jīng)由這類基團(tuán)使聚合物交聯(lián)。本發(fā)明的化合物和聚合物可以交聯(lián)或未交聯(lián)層的形式使用。
[0242]
因此，本發(fā)明還提供了含有一種或多種上述式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或本發(fā)明化合物的低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子，其中本發(fā)明化合物中或式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)中存在一個(gè)或多個(gè)與所述聚合物、低聚物或樹(shù)枝狀大分子的鍵。根據(jù)式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或化合物的連接，這些因此形成了低聚物或聚合物的側(cè)鏈或鍵合在主鏈內(nèi)。所述聚合物、低聚物或樹(shù)枝狀大分子可以是共軛的、部分共軛的或非共軛的。所述低聚物或聚合物可以是線性、支化或樹(shù)枝狀的。如上文所述的相同優(yōu)選特征適用于低聚物、樹(shù)枝狀大分子和聚合物中的本發(fā)明化合物的重復(fù)單元。
[0243]
為了制備所述低聚物或聚合物，使本發(fā)明的單體均聚或與其它單體共聚。優(yōu)選如下共聚物，其中式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的單元或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式以0.01至99.9摩爾％、優(yōu)選5至90摩爾％、更優(yōu)選20至80摩爾％的范圍存在。形成聚合物基礎(chǔ)骨架的合適且優(yōu)選的共聚單體選自芴(例如根據(jù)ep 842208或wo 2000/022026)、螺二芴(例如根據(jù)ep 707020、ep 894107或wo 2006/061181)、對(duì)苯亞基(例如根據(jù)wo 92/18552)、咔唑(例如根據(jù)wo 2004/070772或wo 2004/113468)、噻吩(例如根據(jù)ep 1028136)、二氫菲(例如根據(jù)wo 2005/014689)、順式和反式茚并芴(例如根據(jù)wo 2004/041901或wo 2004/113412)、酮(例如根據(jù)wo 2005/040302)、菲(例如根據(jù)wo 2005/104264或wo 2007/017066)或者多種這些單元。所述聚合物、低聚物和樹(shù)枝狀大分子還可含有其它單元，例如空穴傳輸單元，尤其是基于三芳基胺的那些，和/或電子傳輸單元。
[0244]
此外特別令人感興趣的是以高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為特征的本發(fā)明化合物。在這方面，尤其優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的本發(fā)明化合物，所述化合物根據(jù)din 51005(2005-08版)測(cè)得的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為至少70℃，更優(yōu)選至少110℃，甚至更優(yōu)選至少125℃，尤其優(yōu)選至少150℃。
[0245]
為了從液相加工本發(fā)明化合物，例如通過(guò)旋涂或通過(guò)印刷方法進(jìn)行加工，需要本發(fā)明化合物的制劑。這些制劑可以例如是溶液、分散體或乳液。出于這個(gè)目的，可優(yōu)選使用兩種或更多種溶劑的混合物。合適且優(yōu)選的溶劑例如是甲苯、苯甲醚、鄰二甲苯、間二甲苯或?qū)Χ妆健⒈郊姿峒柞ァ⒕妆健⑤翝M、鄰二甲氧基苯、thf、甲基-thf、thp、氯苯、二烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯烷酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、異丙基苯、環(huán)己醇、環(huán)己酮、環(huán)己基苯、十氫化萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚滿、nmp、對(duì)甲基異丙基苯、苯乙醚、1,4-二異丙基苯、二芐醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-甲基聯(lián)苯、3-甲基聯(lián)苯、1-甲基萘、1-乙基萘、辛酸乙酯、癸二酸二乙酯、辛基辛酯、庚基苯、異戊酸薄荷酯、己酸環(huán)己酯或這些溶劑的混合物。
[0246]
因此，本發(fā)明還提供了包含至少一種本發(fā)明化合物和至少一種其它化合物的制劑或組合物。所述其它化合物可以例如是溶劑，尤其是上述溶劑之一或這些溶劑的混合物。如果其它化合物包含溶劑，則此混合物在本文中稱為制劑。所述其它化合物可以可選地為同
樣用于電子器件中的至少一種其它有機(jī)或無(wú)機(jī)化合物，例如發(fā)光化合物和/或其它基質(zhì)材料。與有機(jī)電致發(fā)光器件相關(guān)的合適的發(fā)光化合物和其它基質(zhì)材料列在后面。所述其它化合物還可以是聚合的。
[0247]
因此，本發(fā)明還提供了一種組合物，所述組合物含有包含以下的組合：
[0248]
a)一種或多種包含至少一個(gè)式(i)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選一種或多種式(i)化合物，
[0249][0250]
其中符號(hào)p、ra、rb、rc、ya、yb和w具有上文尤其是針對(duì)式(i)給出的定義；
[0251]
b)選自以下的其它化合物：熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、激子阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入材料、空穴傳導(dǎo)材料、空穴阻擋材料、量子材料、n型摻雜劑、p型摻雜劑、寬帶隙材料和/或電荷生成材料。
[0252]
所提及的材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員從現(xiàn)有技術(shù)中熟知的；量子材料還理解為意指量子點(diǎn)和量子棒。用于量子材料的其它慣用術(shù)語(yǔ)為納米尺寸化晶體或納米晶體。本發(fā)明還提供了一種組合物，所述組合物包含至少一種包括至少一個(gè)式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的化合物，以及至少一種寬帶隙材料，寬帶隙材料被理解為意指us 7,294,849的公開(kāi)意義上的材料。這些體系在電致發(fā)光器件中表現(xiàn)出了異常有利的性能數(shù)據(jù)。
[0253]
優(yōu)選地，所述其它化合物可以具有2.5ev以上、優(yōu)選3.0ev以上、非常優(yōu)選3.3ev以上的帶隙。計(jì)算帶隙的一種方法是經(jīng)由最高占用分子軌道(homo)和最低未占分子軌道(lumo)的能級(jí)。
[0254]
經(jīng)由量子化學(xué)計(jì)算確定所述材料的分子軌道，尤其是最高占用分子軌道(homo)和最低未占分子軌道(lumo)，其能級(jí)以及最低三重態(tài)t1的能量和最低激發(fā)單重態(tài)s1的能量。為了計(jì)算不含金屬的有機(jī)物質(zhì)，首先通過(guò)“基態(tài)/半經(jīng)驗(yàn)/默認(rèn)自旋/am1/電荷0/自旋單重態(tài)”方法進(jìn)行幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化。隨后，基于優(yōu)化的幾何結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了能量計(jì)算。這使用“td-scf/dft/默認(rèn)自旋/b3pw91”方法用“6-31g(d)”基組(電荷0，自旋單重態(tài))進(jìn)行。對(duì)于含金屬化合物，經(jīng)由“基態(tài)/哈特里-福克/默認(rèn)自旋/lanl2mb/電荷0/自旋單重態(tài)”方法優(yōu)化幾何結(jié)構(gòu)。類似于上述用于有機(jī)物質(zhì)的方法實(shí)現(xiàn)能量計(jì)算，區(qū)別在于對(duì)金屬原子使用“l(fā)anl2dz”基組，而對(duì)配體使用“6-31g(d)”基組。從能量計(jì)算獲得以哈特里單位計(jì)的homo能級(jí)heh或lumo能級(jí)leh。這用于如下確定通過(guò)循環(huán)伏安法測(cè)量值校準(zhǔn)的以電子伏特計(jì)的homo和lumo能級(jí)：
[0255]
homo(ev)＝((heh*27.212)-0.9899)/1.1206
[0256]
lumo(ev)＝((leh*27.212)-2.0041)/1.385。
[0257]
在本技術(shù)的上下文中，這些值被視為材料的homo和lumo能級(jí)。
[0258]
最低三重態(tài)t1定義為具有從所述量子化學(xué)計(jì)算顯而易見(jiàn)的最低能量的三重態(tài)能量。
[0259]
最低激發(fā)單重態(tài)s1定義為具有從所述量子化學(xué)計(jì)算顯而易見(jiàn)的最低能量的激發(fā)單重態(tài)能量。
[0260]
本文所述的方法與所用的軟件包無(wú)關(guān)并且始終給出相同的結(jié)果。用于此目的常用程序的實(shí)例為“gaussian09w”(高斯公司)和q-chem 4.1(q-chem公司)。
[0261]
本發(fā)明還涉及一種組合物，所述組合物包含至少一種包括式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的化合物以及至少一種磷光發(fā)光體，術(shù)語(yǔ)“磷光發(fā)光體”也理解為意指磷光摻雜劑。
[0262]
包含基質(zhì)材料和摻雜劑的體系中的摻雜劑理解為意指混合物中具有較小比例的組分。相應(yīng)地，包含基質(zhì)材料和摻雜劑的體系中的基質(zhì)材料理解為意指混合物中具有較大比例的組分。
[0263]
用于基質(zhì)體系、優(yōu)選混合基質(zhì)體系中的優(yōu)選磷光摻雜劑是下文指定的優(yōu)選磷光摻雜劑。
[0264]
術(shù)語(yǔ)“磷光摻雜劑”通常涵蓋其中通過(guò)自旋禁阻躍遷，例如從激發(fā)三重態(tài)或具有更高自旋量子數(shù)的狀態(tài)(例如五重態(tài))躍遷來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光的化合物。
[0265]
合適的磷光化合物(＝三重態(tài)發(fā)光體)尤其是如下化合物，其在受到適當(dāng)激發(fā)時(shí)發(fā)光，優(yōu)選在可見(jiàn)區(qū)中發(fā)光并且還含有至少一個(gè)原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、更優(yōu)選大于56且小于80的原子，尤其是具有該原子序數(shù)的金屬的化合物。所用的優(yōu)選磷光發(fā)光體是含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，尤其是含有銥或鉑的化合物。
[0266]
上述發(fā)光體的實(shí)例可見(jiàn)于以下申請(qǐng)中：wo 00/70655、wo 2001/41512、wo 2002/02714、wo 2002/15645、ep 1191613、ep 1191612、ep 1191614、wo 05/033244、wo 05/019373、us 2005/0258742、wo 2009/146770、wo 2010/015307、wo 2010/031485、wo 2010/054731、wo 2010/054728、wo 2010/086089、wo 2010/099852、wo 2010/102709、wo 2011/032626、wo 2011/066898、wo 2011/157339、wo 2012/007086、wo 2014/008982、wo 2014/023377、wo 2014/094961、wo 2014/094960、wo 2015/036074、wo 2015/104045、wo 2015/117718、wo 2016/015815、wo 2016/124304、wo 2017/032439、wo 2018/011186、wo 2018/001990、wo 2018/019687、wo 2018/019688、wo 2018/041769、wo 2018/054798、wo 2018/069196、wo 2018/069197、wo 2018/069273、wo 2018/178001、wo 2018/177981、wo 2019/020538、wo 2019/115423、wo 2019/158453和wo 2019/179909。一般來(lái)說(shuō)，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的用于磷光電致發(fā)光器件的所有磷光絡(luò)合物都合適，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下使用其它磷光絡(luò)合物。
[0267]
下表列出了磷光摻雜劑的實(shí)例：
[0268]
[0269]
[0270]
[0271]
[0272]
[0273]
[0274][0275]
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明使用的化合物在發(fā)光層中用作磷光化合物的基質(zhì)材料時(shí)，它優(yōu)選與一種或多種磷光材料(三重態(tài)發(fā)光體)組合使用。本發(fā)明上下文中的磷光理解為意指來(lái)自具有更高自旋多重性的激發(fā)態(tài)，即自旋態(tài)＞1，尤其是來(lái)自激發(fā)三重態(tài)的發(fā)光。在本技術(shù)的上下文中，所有含過(guò)渡金屬或鑭系元素的發(fā)光絡(luò)合物，尤其是所有銥、鉑和銅絡(luò)合物，都應(yīng)被視為磷光化合物。
[0276]
以發(fā)光體和基質(zhì)材料的總混合物計(jì)，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物和發(fā)光化合物的混合物含有99體積％至1體積％、優(yōu)選98體積％至10體積％、更優(yōu)選97體積％至60體積％、尤其是95體積％至80體積％的本發(fā)明化合物。相應(yīng)地，以發(fā)光體和基質(zhì)材料的總混合物計(jì)，所述混合物含有1體積％至99體積％、優(yōu)選2體積％至90體積％、更優(yōu)選3體積％至40體積％、尤其是5體積％至20體積％的發(fā)光體。
[0277]
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物在此用作磷光發(fā)光體的唯一基質(zhì)材料(“單一主體”)。
[0278]
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，有機(jī)電致發(fā)光器件含有根據(jù)本發(fā)明使用的化合物，優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物作為一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層中的基質(zhì)材料，優(yōu)選作為電子傳導(dǎo)基質(zhì)材料，優(yōu)選與其它基質(zhì)材料，優(yōu)選空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料組合。在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其它基質(zhì)材料是電子傳輸化合物。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，其它基質(zhì)材料是具有大帶隙的化合物，即使參與層中的空穴和電子傳輸，也不會(huì)達(dá)到顯著程度。發(fā)光層包含至少一種發(fā)光化合物。
[0279]
在本發(fā)明的另一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件在空穴傳輸層或電子傳輸層中包含根據(jù)本發(fā)明使用的化合物，優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)結(jié)構(gòu)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物。
[0280]
因此，本發(fā)明還涉及一種組合物，所述組合物包含至少一種根據(jù)本發(fā)明使用的化合物，優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的化合物，以及至少一種其它基質(zhì)材料。
[0281]
可與式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物組合使用的合適的基質(zhì)材料為芳族酮、芳族氧化膦或者芳族亞砜或砜，例如根據(jù)wo 2004/013080、wo 2004/093207、wo 2006/005627或wo 2010/006680的；三芳基胺；咔唑衍生物，例如cbp(n,n-雙咔唑基聯(lián)苯)或公開(kāi)在wo 2005/039246、us 2005/0069729、jp 2004/288381、ep 1205527、wo 2008/086851或wo 2013/041176中的咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根據(jù)wo 2007/063754或wo 2008/056746的；茚并咔唑衍生物，例如根據(jù)wo 2010/136109、wo 2011/000455、wo 2013/041176或wo 2013/056776的；氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)ep 1617710、ep 1617711、ep 1731584、jp 2005/347160的；雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)wo 2007/137725的；硅烷，例如根據(jù)wo 2005/111172的；硼氮雜環(huán)戊熳或硼酸酯，例如根據(jù)wo 2006/117052的；三嗪衍生物，例如根據(jù)wo 2007/063754、wo 2008/056746、wo 2010/015306、wo 2011/057706、wo 2011/060859或wo 2011/060877的；鋅絡(luò)合物，例如根據(jù)ep 652273或wo 2009/062578的；硅二氮雜環(huán)戊熳或硅四氮雜環(huán)戊熳衍生物，例如根據(jù)wo 2010/054729的；磷二氮雜環(huán)戊熳衍生物，例如根據(jù)wo 2010/054730的；橋連咔唑衍生物，例如根據(jù)wo 2011/042107、wo 2011/060867、wo 2011/088877和wo 2012/143080的；聯(lián)三苯叉衍生物，例如根據(jù)wo 2012/048781的；二苯并呋喃衍生物，例如根據(jù)wo 2015/169412、wo 2016/015810、wo 2016/023608、wo 2017/148564或wo 2017/148565的；或雙咔唑，例如根據(jù)jp 3139321 b2的；內(nèi)酰胺，例如根據(jù)wo 2011/116865、wo 2011/137951或wo 2013/064206的；4-螺咔唑衍生物，例如根據(jù)wo 2014/094963或wo 2015/192939。以比實(shí)際發(fā)光體更短的波長(zhǎng)發(fā)光的其它磷光發(fā)光體同樣可作為共主體存在于混合物中。
[0282]
優(yōu)選共主體材料為三嗪、喹唑啉、喹喔啉、三芳基胺衍生物，尤其是單胺、茚并咔唑衍生物、4-螺咔唑衍生物、內(nèi)酰胺和咔唑衍生物。
[0283]
還可優(yōu)選使用作為混合物的多種不同的基質(zhì)材料，尤其是至少一種電子傳導(dǎo)基質(zhì)材料和至少一種空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料。同樣優(yōu)選使用電荷傳輸基質(zhì)材料和電惰性基質(zhì)材料的混合物，所述電惰性基質(zhì)材料即使參與電荷傳輸也不顯著，如在例如wo 2010/108579中所述。作為共基質(zhì)材料尤其適合與本發(fā)明的化合物組合的是具有大帶隙并且本身即使參與發(fā)光層電荷傳輸也至少不會(huì)達(dá)到顯著程度的化合物。此類材料優(yōu)選為純烴。此類材料的實(shí)例可見(jiàn)于例如wo 2009/124627或wo 2010/006680。
[0284]
更優(yōu)選使用兩種或更多種三重態(tài)發(fā)光體與基質(zhì)的混合物。在這種情況下，具有較短波發(fā)光光譜的三重態(tài)發(fā)光體用作具有較長(zhǎng)波發(fā)光光譜的三重態(tài)發(fā)光體的共基質(zhì)。
[0285]
更優(yōu)選地，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明使用的包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)的化合物可在有機(jī)電子器件中，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件中，例如oled或olec的發(fā)光層中用作基質(zhì)材料。在這種情況下，含有包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的化合物的基質(zhì)材料與一種或多種摻雜劑，優(yōu)選磷光摻雜
劑組合存在于電子器件中。
[0286]
在這種情況下，發(fā)光層中基質(zhì)材料的比例相對(duì)于熒光發(fā)光層為50.0體積％至99.9體積％，優(yōu)選為80.0體積％至99.5體積％，更優(yōu)選為92.0體積％至99.5體積％，而相對(duì)于磷光發(fā)光層為85.0體積％至97.0體積％。
[0287]
相應(yīng)地，摻雜劑的比例相對(duì)于熒光發(fā)光層為0.1體積％至50.0體積％，優(yōu)選為0.5體積％至20.0體積％，更優(yōu)選為0.5體積％至8.0體積％，而相對(duì)于磷光發(fā)光層為3.0體積％至15.0體積％。
[0288]
有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層還可以包含含有多種基質(zhì)材料的體系(混合基質(zhì)體系)和/或多種摻雜劑。同樣在這種情況下，摻雜劑通常為體系中具有較小比例的那些材料，而基質(zhì)材料為體系中具有較大比例的那些材料。然而，在個(gè)別情況下，體系中單一基質(zhì)材料的比例可小于單一摻雜劑的比例。
[0289]
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式的化合物用作混合基質(zhì)體系的組分。所述混合基質(zhì)體系優(yōu)選包含兩種或三種不同的基質(zhì)材料，更優(yōu)選兩種不同的基質(zhì)材料。優(yōu)選地，在這種情況下，所述兩種材料中一種是具有空穴傳輸性質(zhì)的材料，另一種材料是具有電子傳輸性質(zhì)的材料。然而，混合基質(zhì)組分的所需電子傳輸和空穴傳輸性質(zhì)也可以主要或完全地合并在單一混合基質(zhì)組分中，在這種情況下，其它混合基質(zhì)組分滿足其它功能。兩種不同的基質(zhì)材料可以以1:50至1:1、優(yōu)選1:20至1:1、更優(yōu)選1:10至1:1、最優(yōu)選1:4至1:1的比率存在。優(yōu)選在磷光有機(jī)電致發(fā)光器件中使用混合基質(zhì)體系。關(guān)于混合基質(zhì)體系的更詳細(xì)信息的一個(gè)來(lái)源是申請(qǐng)wo 2010/108579。
[0290]
本發(fā)明還提供了本發(fā)明化合物在電子器件，尤其是在有機(jī)電致發(fā)光器件中的用途。
[0291]
本發(fā)明還提供了根據(jù)本發(fā)明使用的化合物和/或本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子在電子器件中作為熒光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、電子傳輸材料、電子注入材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子阻擋材料、空穴阻擋材料和/或?qū)拵恫牧希瑑?yōu)選作為主體材料、電子傳輸材料、空穴阻擋材料和/或電子注塑材料的用途。
[0292]
本發(fā)明還提供了一種電子器件，所述電子器件包含至少一種可根據(jù)本發(fā)明使用的化合物和/或本發(fā)明化合物。本發(fā)明上下文中的電子器件是具有陽(yáng)極、陰極和至少一個(gè)包含至少一種有機(jī)化合物的中間層的器件。此組件還可以包含無(wú)機(jī)材料或者完全由無(wú)機(jī)材料形成的層。
[0293]
所述電子器件優(yōu)選地選自以下，更優(yōu)選地，所述電子器件選自有機(jī)電致發(fā)光器件(oled、soled、pled、lec等)，優(yōu)選有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、基于小分子的有機(jī)發(fā)光二極管(soled)、基于聚合物的有機(jī)發(fā)光二極管(pled)、發(fā)光電化學(xué)電池(lec)、有機(jī)激光二極管(o-激光器)、有機(jī)等離子體發(fā)光器件(d.m.koller等,nature photonics 2008,1-4)、有機(jī)集成電路(o-ic)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(o-fet)、有機(jī)薄膜晶體管(o-tft)、有機(jī)發(fā)光晶體管(o-let)、有機(jī)太陽(yáng)能電池(o-sc)、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場(chǎng)猝熄器件(o-fqd)和有機(jī)電傳感器，優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件(oled、soled、pled、lec等)，更優(yōu)選有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、基于小分子的有機(jī)發(fā)光二極管(soled)、基于聚合物的有機(jī)發(fā)光二極管
(pled)，尤其是磷光oled。
[0294]
有機(jī)電致發(fā)光器件包括陰極、陽(yáng)極和至少一個(gè)發(fā)光層。除了這些層以外，它還可以包括其它層，例如在每種情況下，一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層和/或電荷生成層。同樣可將具有激子阻擋功能的中間層例如引入兩個(gè)發(fā)光層之間。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每一個(gè)都不一定必須存在。在這種情況下，有機(jī)電致發(fā)光器件有可含有一個(gè)發(fā)光層，或者它可含有多個(gè)發(fā)光層。如果存在多個(gè)發(fā)光層，則這些發(fā)光層優(yōu)選總共具有多個(gè)在380nm與750nm之間的發(fā)光峰值，以使得總體結(jié)果是白發(fā)光；換言之，在發(fā)光層中使用可以發(fā)熒光或發(fā)磷光的多種發(fā)光化合物。尤其優(yōu)選具有三個(gè)發(fā)光層的體系，其中三個(gè)層顯示藍(lán)、綠和橙或紅發(fā)光。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件還可以是串聯(lián)電致發(fā)光器件，尤其是白發(fā)光oled。
[0295]
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件不含有任何單獨(dú)的空穴注入層和/或空穴傳輸層和/或空穴阻擋層和/或電子傳輸層，意味著發(fā)光層直接鄰接空穴注入層或陽(yáng)極，和/或發(fā)光層直接鄰接電子傳輸層或電子注入層或陰極，如在例如wo 2005/053051中所述。另外可使用與發(fā)光層中的金屬絡(luò)合物相同或相似的金屬絡(luò)合物作為直接鄰接發(fā)光層的空穴傳輸或空穴注入材料，如在例如wo 2009/030981中所述。
[0296]
根據(jù)確切的結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明使用的化合物可以用于不同的層中。優(yōu)選在發(fā)光層中包含式(i)或上述優(yōu)選實(shí)施方式的化合物作為磷光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體，尤其是熒光發(fā)光體或磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料的有機(jī)電致發(fā)光器件。此外，本發(fā)明化合物還可以用于電子傳輸層和/或空穴傳輸層和/或激子阻擋層和/或空穴阻擋層中。特別優(yōu)選使用本發(fā)明化合物在發(fā)光層中作為紅、橙或黃磷光發(fā)光體，尤其是紅磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料，或在電子傳輸層或空穴阻擋層中作為電子傳輸材料或空穴阻擋材料。
[0297]
本發(fā)明還提供了一種電子器件，優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件，所述電子器件在一個(gè)或多個(gè)電子傳導(dǎo)層中包含一種或多種本發(fā)明化合物和/或至少一種本發(fā)明低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子作為電子傳導(dǎo)化合物。
[0298]
在其它層中，通常可使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于所述層的任何材料，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下將這些材料中的任一種與本發(fā)明的材料組合在電子器件中。
[0299]
將所述器件相應(yīng)地(根據(jù)應(yīng)用)結(jié)構(gòu)化、接觸連接并最終氣密密封，因?yàn)榇祟惼骷膲勖谒?或空氣存在下會(huì)嚴(yán)重縮短。
[0300]
另外優(yōu)選一種電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過(guò)升華方法涂覆一個(gè)或多個(gè)層。在這種情況下，在真空升華系統(tǒng)中在通常低于10-5
毫巴、優(yōu)選低于10-6
毫巴的初始?jí)毫ο拢ㄟ^(guò)氣相沉積來(lái)施加所述材料。初始?jí)毫σ部梢陨踔粮突蛏踔粮撸绲陀?0-7
毫巴。
[0301]
同樣優(yōu)選一種電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過(guò)ovpd(有機(jī)氣相沉積)方法或借助載氣升華來(lái)涂覆一個(gè)或多個(gè)層。在這種情況下，在10-5
毫巴和1巴之間的壓力下施加所述材料。這種方法的一個(gè)特例是ovjp(有機(jī)蒸氣噴印)方法，其中所述材料通過(guò)噴嘴直接施加并因此結(jié)構(gòu)化(例如m.s.arnold等,appl.phys.lett.2008,92,053301)。
[0302]
此外優(yōu)選一種電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中，例如通
過(guò)旋涂，或通過(guò)任何印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、平板印刷或噴嘴印刷，但更優(yōu)選liti(光引發(fā)熱成像、熱轉(zhuǎn)印)或噴墨印刷，產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)層。為了這個(gè)目的，需要可溶性化合物，例如通過(guò)合適的取代來(lái)獲得。
[0303]
此外，混合方法是可以的，其中例如由溶液施加一個(gè)或多個(gè)層并且通過(guò)氣相沉積施加一個(gè)或多個(gè)其它層。
[0304]
本領(lǐng)域技術(shù)人員通常知道這些方法并且能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下將它們應(yīng)用于包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0305]
本發(fā)明的電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下令人驚訝的優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)：
[0306]
1.上下文所述的包含根據(jù)本發(fā)明使用的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式尤其作為發(fā)光體、優(yōu)選作為熒光發(fā)光體、作為電子傳導(dǎo)材料和/或空穴傳輸材料或作為基質(zhì)材料的電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，具有非常好的壽命。
[0307]
2.上下文所述的包含根據(jù)本發(fā)明使用的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式尤其作為發(fā)光體、優(yōu)選作為熒光發(fā)光體、作為電子傳輸材料、空穴傳輸材料和/或作為主體材料的電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，具有優(yōu)異的效率。更具體來(lái)說(shuō)，與不含本發(fā)明結(jié)構(gòu)的類似化合物相比，效率高得多。在本文上下文中，本發(fā)明的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或上下文所述的優(yōu)選實(shí)施方式在用于電子器件時(shí)帶來(lái)低工作電壓。在本文上下文中，這些化合物尤其會(huì)帶來(lái)低滾降，即所述器件在高亮度下的功率效率下降小。
[0308]
3.上下文所述的包含化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式作為發(fā)光體、優(yōu)選作為熒光發(fā)光體、作為電子傳輸材料、空穴傳輸材料和/或作為主體材料的電子器件，尤其是有機(jī)電致發(fā)光器件，具有非常窄的具有低半高全寬(full width half maximum，fwhm)值的發(fā)光帶，并導(dǎo)致可通過(guò)低cie y值識(shí)別的特別純的顏發(fā)光。
[0309]
4.上下文所述的根據(jù)本發(fā)明使用的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式表現(xiàn)出極高熱穩(wěn)定性和光化學(xué)穩(wěn)定性并且導(dǎo)致具有極長(zhǎng)壽命的化合物。
[0310]
5.上下文所述的使用化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式可避免在電子器件，尤其是在有機(jī)電致發(fā)光器件中形成光損耗通道。因此，這些器件的特征在于發(fā)光體的高pl效率和由此而來(lái)的高el效率，以及基質(zhì)向摻雜劑的優(yōu)異能量傳輸。
[0311]
6.上下文所述的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式具有優(yōu)異的玻璃膜形成。
[0312]
7.上下文所述的化合物、低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或優(yōu)選實(shí)施方式從溶液形成了非常好的膜。
[0313]
這些上述優(yōu)點(diǎn)通常不伴隨其它電子特性的劣化。
[0314]
在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的其它層中，可使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通常使用的任何材料。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下使用已知用于有機(jī)電致發(fā)光器件的任何材料與可用作有機(jī)電子器件中的活性化合物的本發(fā)明化合物，優(yōu)選包含式(i)和/或(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物的組合。
[0315]
本發(fā)明化合物在用于有機(jī)電致發(fā)光器件中時(shí)通常具有非常好的性能。尤其在本發(fā)明化合物用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的情況下，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的類似化合物相比，壽命顯
著更好。同時(shí)，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的其它性能，尤其是效率和電壓，同樣更好或至少相當(dāng)。
[0316]
應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明的范圍涵蓋本發(fā)明所述的實(shí)施方式的變化。除非明確排除，否則本發(fā)明公開(kāi)的任何特征都可以替換為用于相同目的或者等效或相似目的的替代特征。因此，除非另外說(shuō)明，否則本發(fā)明公開(kāi)的任何特征應(yīng)當(dāng)被視為通用系列的一個(gè)實(shí)例或者被視為等效或類似特征。
[0317]
除非特定特征和/或步驟相互排斥，否則本發(fā)明的所有特征都可以以任何方式相互組合。本發(fā)明的優(yōu)選特征尤其如此。同樣地，非必要組合的特征可以單獨(dú)(而非組合)使用。
[0318]
還應(yīng)當(dāng)指出，許多特征，尤其是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的那些特征，本身應(yīng)當(dāng)被視為創(chuàng)造性的而非僅作為本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對(duì)于這些特征，可以作為任何目前要求保護(hù)的發(fā)明的補(bǔ)充或替代來(lái)尋求獨(dú)立的保護(hù)。
[0319]
本發(fā)明公開(kāi)的技術(shù)教導(dǎo)可被提煉出來(lái)并與其它實(shí)施例組合。
[0320]
通過(guò)以下實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，而無(wú)意由此限制本發(fā)明。
[0321]
本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下使用所給出的細(xì)節(jié)來(lái)生產(chǎn)本發(fā)明的其它電子器件，并因此在要求保護(hù)的整個(gè)范圍內(nèi)實(shí)施本發(fā)明。
實(shí)施例
[0322]
除非另有說(shuō)明，否則隨后的合成在保護(hù)氣體氣氛下在無(wú)水溶劑中進(jìn)行。另外避光或在黃光下處理金屬絡(luò)合物。溶劑和試劑可以購(gòu)自例如sigma-aldrich或abcr。方括號(hào)中的相應(yīng)數(shù)字或針對(duì)個(gè)別化合物引用的數(shù)字涉及從文獻(xiàn)已知的化合物的cas編號(hào)。在化合物可具有多種對(duì)映異構(gòu)體、非對(duì)映異構(gòu)體或互變異構(gòu)體形式的情況下，以代表性方式示出了一種形式。
[0323]
本發(fā)明化合物的合成
[0324]
實(shí)施例b1：
[0325][0326]
將36.4g[100mmol]3-(對(duì)氯苯基)-1,5-二苯基-1h-1,2,4,6-噻三嗪[100174-69-4]、39.6g[110mmol]9,9'-螺二[9h-芴]-2-基硼酸[236389-21-2]、42.5g[200mmol]無(wú)水磷酸三鉀[7778-53-2]、1.64g[4mmol]sphos[657408-07-6]、449mg[2mmol]乙酸鈀(ii)、50g玻璃珠(直徑3mm)、300ml二烷和200ml 2-乙氧基乙醇的混合物在100℃下攪拌16小時(shí)。將混合物以二烷漿液形式經(jīng)由硅藻土床趁熱過(guò)濾，將濾液濃縮至干，對(duì)粗產(chǎn)物進(jìn)行快速譜
法(硅膠，正庚烷/ea(乙酸乙酯)，來(lái)自a.semrau的torrent自動(dòng)柱系統(tǒng))。通過(guò)重復(fù)譜法或結(jié)晶，通過(guò)從dcm(二氯甲烷)/乙腈(1:2-1:5，vv)中熱萃取五次并在高真空下分級(jí)升華來(lái)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步純化。產(chǎn)率：29.8g(46mmol)，46％；純度：約99.9％，依據(jù)hplc。
[0327]
可以類似地制備以下化合物：
[0328]
[0329]
[0330][0331]
實(shí)施例b50：
[0332][0333]
36.4g[100mmol]3-(對(duì)氯苯基)-1,5-二苯基-1h-1,2,4,6-噻三嗪[100174-69-4]、44.9g[110mmol]9-苯基-3,3'-二-9h-咔唑[1060735-14-9]、14.4g[150mmol]叔丁醇鈉[865-48-5]、809mg[4mmol]三叔丁基膦[13716-12-6]、449mg[2mmol]乙酸鈀(ii)、50g玻璃珠(直徑3mm)和500ml甲苯的充分?jǐn)嚢杌旌衔镌诨亓飨聰嚢?6小時(shí)。將混合物以甲苯漿液形式經(jīng)由硅藻土床趁熱過(guò)濾，將濾液濃縮至干，對(duì)粗產(chǎn)物進(jìn)行快速譜法(硅膠，正庚烷/ea(乙酸乙酯)，來(lái)自a.semrau的torrent自動(dòng)柱系統(tǒng))。通過(guò)重復(fù)譜法或結(jié)晶，通過(guò)從dcm(二氯甲烷)/乙腈(1:2-1:5，vv)中熱萃取五次并在高真空下分級(jí)升華來(lái)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步純化。產(chǎn)率：37.7g(51mmol)，51％；純度：約99.9％，依據(jù)hplc。
[0334]
可以類似地制備以下化合物：
[0335][0336]
實(shí)施例b100：
[0337][0338]
向冷卻至-60℃的40.9g[100mmol]9-苯基-3,3'-二-9h-咔唑[1060735-14-9]在500ml thf中的溶液中滴加40.0ml[100mmol]n-buli的2.5m正己烷溶液，并將混合物再攪拌30分鐘。將此溶液經(jīng)由轉(zhuǎn)移針轉(zhuǎn)移到冷卻至-60℃的28.8g[100mmol]1-氯-3,5-二苯基-1λ-1,2,4,6-噻三嗪[94426-38-7]在500ml thf中的充分?jǐn)嚢枞芤褐小Ｌ砑油戤吅螅瑢⒒旌衔镌?60℃攪拌30分鐘，然后逐漸升溫至室溫。在減壓下除去thf，對(duì)粗產(chǎn)物進(jìn)行快速譜法(硅膠，正庚烷/ea(乙酸乙酯)，a.semrau的torrent自動(dòng)柱系統(tǒng))。通過(guò)重復(fù)純化或結(jié)晶，通
過(guò)從dcm(二氯甲烷)/乙腈(1:2-1:4，vv)中熱萃取五次并在高真空下分級(jí)升華來(lái)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步純化。產(chǎn)率：36.3g(55mmol)，55％；純度：約99.9％，依據(jù)hplc。
[0339]
可使用芳基溴而非咔唑/仲芳基胺。在那種情況下，在將n-buli加入芳基溴在thf中的溶液之后，讓后者逐漸升溫至0℃，將由此產(chǎn)生的芳基鋰溶液冷卻回到-60℃，然后將它轉(zhuǎn)移到親電子試劑。
[0340]
咔唑/仲芳基胺和芳基溴可連續(xù)使用。在這種情況下，首先交換硫上反應(yīng)性較高的氯官能團(tuán)，之后才交換1λ-1,2,4,6-噻三嗪上的兩個(gè)氯官能團(tuán)。
[0341]
可以類似地制備以下化合物：
[0342]
[0343]
[0344][0345]
實(shí)施例b150：
[0346][0347]
向4.96g(10mmol)b4在200ml dcm中的溶液加入4.73g(30mmol)高錳酸鉀在300ml水中的溶液，然后加入3滴aliquat 336，并且將混合物在室溫下攪拌，直到氧化完成(約16小時(shí))。使用硅藻土過(guò)濾器濾出二氧化錳，用dcm徹底洗滌過(guò)濾器，分離出dcm相，用含0.5ml水合肼的水洗滌兩次，每次200ml，用水洗滌兩次每次200ml，用200ml飽和氯化鈉溶液洗滌一次，用硫酸鎂干燥。使用呈dcm漿液形式的硅膠酸濾出干燥劑，在減壓下除去dcm，通過(guò)結(jié)晶通過(guò)從dcm(二氯甲烷)/乙腈(1:2-1:5，vv)熱萃取三次和在高真空下分級(jí)升華來(lái)濃縮粗產(chǎn)物。產(chǎn)率：3.97g(8.0mmol)，80％；純度：約99.9％，依據(jù)hplc。
[0348]
可以類似地制備以下化合物：
[0349]
[0350][0351]
實(shí)施例：oled的制造
[0352]
1)真空加工器件：
[0353]
通過(guò)根據(jù)wo 2004/058911的一般方法制造本發(fā)明的oled和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的oled，調(diào)整所述一般方法以適用于在此描述的情況(層厚度的變化、所用的材料)。
[0354]
在下面的實(shí)施例中，呈現(xiàn)了多種oled的結(jié)果。將涂有50nm厚的結(jié)構(gòu)化ito(氧化錫銦)的清潔玻璃板(在miele實(shí)驗(yàn)室玻璃清洗機(jī)、merck extran清潔劑中清潔)用uv臭氧預(yù)處理25分鐘(來(lái)自u(píng)vp的pr-100uv臭氧發(fā)生器)，并且為了改進(jìn)加工，在30分鐘內(nèi)涂覆20nm pedot:pss(聚(3,4-乙亞基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)，作為clevios
tm p vp ai 4083購(gòu)自heraeus precious metals gmbh deutschland，從水溶液旋涂)，然后在180℃烘烤10分鐘。這些涂覆過(guò)的玻璃板形成了施加oled的基底。
[0355]
所述oled基本上具有以下層結(jié)構(gòu)：基底/空穴注入層1(hil1)(由摻雜有5％ndp-9(可商購(gòu)自novaled)的htm1組成，20nm)/空穴傳輸層1(htl1)(由對(duì)于藍(lán)器件為170nm，對(duì)于綠/黃器件為215nm，對(duì)于紅器件為110nm的htm1組成)/空穴傳輸層2(htl2)/發(fā)光層(eml)/空穴阻擋層(hbl)/電子傳輸層(etl)/可選電子注入層(eil，來(lái)自etm2)和最終的陰極。所述陰極由100nm厚的鋁層形成。
[0356]
首先描述了真空加工的oled。為此目的，通過(guò)在真空室中進(jìn)行熱氣相沉積來(lái)施加所有材料。在這種情況下，發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料(主體材料)和通過(guò)共蒸發(fā)以特定體積比例添加到一種或多種基質(zhì)材料中的發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)組成。以諸如m1:m2:ir(l1)(55％:35％:10％)的形式給出的細(xì)節(jié)在此意指材料m1以55％的體積比例存在于層中，m2以35％的體積比例存在于層中，而ir(l1)以10％的體積比例存在于層中。類似地，電子傳輸層還可以由兩種材料的混合物組成。oled的確切結(jié)構(gòu)可見(jiàn)于表1。用于制造oled的材料示于表4中。
[0357]
以標(biāo)準(zhǔn)方式對(duì)oled進(jìn)行表征。為此目的，測(cè)定電致發(fā)光光譜、呈現(xiàn)朗伯發(fā)光特性的
電流-電壓-發(fā)光密度特性線(iul特性線)計(jì)算作為發(fā)光密度的函數(shù)的電流效率(以cd/a測(cè)量)、功率效率(以lm/w測(cè)量)和外量子效率(eqe，以百分比測(cè)量)，以及壽命。測(cè)定了在1000cd/m2發(fā)光密度下的電致發(fā)光光譜，并且將這些用于計(jì)算cie 1931x和y顏?zhàn)鴺?biāo)。
[0358]
本發(fā)明化合物在磷光oled中作為發(fā)光體材料的用途
[0359]
除了其它用途以外，本發(fā)明化合物可以在磷光oled的發(fā)光層eml中用作電子傳導(dǎo)主體材料etmm，以及在hbl和etl中用作電子傳輸材料。oled的結(jié)果整理在表2中。
[0360]
表1：oled的結(jié)構(gòu)
[0361][0362]
[0363]
[0364][0365]
表2：真空加工的oled的結(jié)果
[0366]
[0367][0368]
2)溶液加工的器件：
[0369]
從低分子量可溶性功能材料
[0370]
本發(fā)明化合物還可以從溶液加工，并且在其中產(chǎn)生了與真空加工的oled相比在加工技術(shù)方面要簡(jiǎn)單得多但仍具有良好性能的oled。此類組件的制造是基于聚合物發(fā)光二極管(pled)的制造，后者已經(jīng)在文獻(xiàn)中(例如在wo 2004/037887中)多次描述。所述結(jié)構(gòu)包含基底/ito/空穴注入層(60nm)/中間層(20nm)/發(fā)光層(60nm)/空穴阻擋層(10nm)/電子傳輸層(40nm)/陰極構(gòu)成。為此目的，使用來(lái)自technoprint的基底(鈉鈣玻璃)，向其施加ito結(jié)構(gòu)(氧化錫銦，透明導(dǎo)電陽(yáng)極)。將所述基底在清潔室中用去離子水和清潔劑(deconex 15pf)清潔，然后通過(guò)uv/臭氧等離子體處理激活。此后，同樣在清潔室中，通過(guò)旋涂施加20nm空穴注入層(pedot:pss，來(lái)自clevios
tm
)。所需旋轉(zhuǎn)速率取決于稀釋程度和具體的旋涂?jī)x幾何結(jié)構(gòu)。為了從層中除去殘余水，將基底在熱板上在200℃烘烤30分鐘。所用中間層用于空穴傳輸；在這種情況下，使用來(lái)自merck的hl-x。可選地，所述中間層還可被一個(gè)或多個(gè)層代替，所述一個(gè)或多個(gè)層只須滿足不會(huì)被從溶液中eml沉積的后續(xù)加工步驟再次浸出的條件。為了制造發(fā)光層，將本發(fā)明的三重態(tài)發(fā)光體與基質(zhì)材料一起溶解在甲苯或氯苯中。當(dāng)像這里一樣借助于旋涂實(shí)現(xiàn)器件的典型60nm層厚度時(shí)，此類溶液的典型固含量為16g/l至25g/l。溶液加工的器件含有發(fā)光層ma:mb:ir(w％:x％:z％)或ma:mb:mc:ir(w％:x％:y％:z％)；參見(jiàn)表3。在惰性氣體氣氛(在本例中為氬氣)中旋涂發(fā)光層，并在160℃下烘烤10分鐘。在后者上面氣相沉積了空穴阻擋層(10nm etm1)和電子傳輸層(40nm etm1(50％)/etm2(50％))(來(lái)自lesker等公司的氣相沉積系統(tǒng)，典型氣相沉積壓力5
×
10-6
毫巴)。最后，通過(guò)氣相沉積施加鋁陰極(100nm)(來(lái)自aldrich的高純度金屬)。為了保護(hù)器件免受空氣和空氣濕度影響，最后將器件封裝，然后表征。所引用的oled實(shí)施例尚未優(yōu)化。表3總結(jié)了所獲得的數(shù)據(jù)。
[0371]
表3：從溶液加工的材料的結(jié)果
[0372][0373]
表4：所用材料的結(jié)構(gòu)式
[0374]
[0375]
[0376]
[0377][0378]
本發(fā)明的材料在用于發(fā)光層eml、空穴阻擋層hbl和電子傳輸層etl中時(shí)導(dǎo)致改進(jìn)的eqe(外部量子效率)連同降低的電壓，因此總體上改進(jìn)了功率效率。
技術(shù)特征：
1.包含至少一個(gè)式(i)結(jié)構(gòu)的化合物在有機(jī)電子器件中的用途，所述化合物優(yōu)選為式(i)化合物，其中：w為cr、n、sr
a
或s(＝o)r
a
；y
a
、y
b
相同或不同并且為cr或n；p為0或1，條件是如果w、y
a
、y
b
基團(tuán)均為cr，則p＝1；r
a
、r
b
、r
c
相同或不同并且為n(ar')2、n(r1)2或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)；同時(shí)，r
a
、r
b
、r
c
基團(tuán)可與另外的基團(tuán)形成環(huán)系；r在每種情況下相同或不同并且為h，d，oh，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar')2，n(r1)2，c(＝o)n(ar')2，c(＝o)n(r1)2，c(ar')3，c(r1)3，si(ar')3，si(r1)3，b(ar')2，b(r1)2，c(＝o)ar'，c(＝o)r1，p(＝o)(ar')2，p(＝o)(r1)2，p(ar')2，p(r1)2，s(＝o)ar'，s(＝o)r1，s(＝o)2ar'，s(＝o)2r1，oso2ar'，oso2r1，具有1至40個(gè)碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至20個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基團(tuán)在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被r1c＝cr1、c≡c、si(r1)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr1、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
1-、nr1、p(＝o)(r1)、-o-、-s-、so或so2代替，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)；同時(shí)，兩個(gè)r基團(tuán)還可一起形成環(huán)系或者與另外的基團(tuán)，例如與r
a
、r
b
、r
c
基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)一起形成環(huán)系；ar'在每種情況下相同或不同并且為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的兩個(gè)ar'基團(tuán)還可經(jīng)由通過(guò)單鍵的橋連基或選自b(r1)、c(r1)2、si(r1)2、c＝o、c＝nr1、c＝c(r1)2、o、s、s＝o、so2、n(r1)、p(r1)和p(＝o)r1的橋連基連接在一起；r1在每種情況下相同或不同并且為h，d，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar”)2，n(r2)2，c(＝o)
ar”，c(＝o)r2，p(＝o)(ar”)2，p(ar”)2，b(ar”)2，b(r2)2，c(ar”)3，c(r2)3，si(ar”)3，si(r2)3，具有1至40個(gè)碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的烯基基團(tuán)，所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基或烯基基團(tuán)各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的ch2基團(tuán)可被-r2c＝cr
2-、-c≡c-、si(r2)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr2、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
2-、nr2、p(＝o)(r2)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系各自可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，或這些體系的組合；同時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)優(yōu)選相鄰的r1基團(tuán)可一起形成環(huán)系；同時(shí)，一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)可與所述化合物的另外的部分形成環(huán)系；ar”在每種情況下相同或不同并且為具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時(shí)，鍵合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的兩個(gè)ar"基團(tuán)還可經(jīng)由通過(guò)單鍵的橋連基或選自b(r2)、c(r2)2、si(r2)2、c＝o、c＝nr2、c＝c(r2)2、o、s、s＝o、so2、n(r2)、p(r2)和p(＝o)r2的橋連基連接在一起；r2在每種情況下相同或不同并且選自h，d，f，cn，具有1至20個(gè)碳原子的脂族烴基基團(tuán)，或具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系中一個(gè)或多個(gè)氫原子可被d、f、cl、br、i或cn代替并且所述芳族或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)烷基基團(tuán)取代，所述烷基基團(tuán)各自具有1至4個(gè)碳原子；同時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)優(yōu)選相鄰的取代基r2可一起形成環(huán)系。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用途，其特征在于包含式(i)結(jié)構(gòu)的所述化合物，優(yōu)選式(i)化合物，在有機(jī)電子器件中用作熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、激子阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入材料、空穴傳導(dǎo)材料、空穴阻擋材料、n型摻雜劑、p型摻雜劑、寬帶隙材料和/或電荷產(chǎn)生材料，優(yōu)選用作主體材料、電子傳輸材料和/或空穴阻擋材料，更優(yōu)選用作磷光發(fā)光體的主體材料，尤其優(yōu)選用作藍(lán)磷光發(fā)光體的主體材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用途，其特征在于所述化合物包含至少一個(gè)式(ii-1)、(ii-2)、(ii-3)、(ii-4)、(ii-5)、(ii-6)、(ii-7)、(ii-8)、(ii-9)、(ii-10)和(ii-11)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地選自式(ii-1)、(ii-2)、(ii-3)、(ii-4)、(ii-5)、(ii-6)、(ii-7)、(ii-8)、(ii-9)、(ii-10)和(ii-11)的化合物，
其中r
a
、r
b
、r
c
和r基團(tuán)具有權(quán)利要求1中給出的定義，下標(biāo)n為0、1、2或3，優(yōu)選為0、1或2，下標(biāo)j為0、1或2，并且下標(biāo)k為0或1。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的用途，其特征在于r
a
、r
b
、r
c
和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)選自以下基團(tuán)：苯基、芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、吡啶、喹啉、異喹啉、內(nèi)酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脫氫菲、熒蒽、萘、菲、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴、芘、苝、苣、硼吖嗪、硼氧烷、硼雜環(huán)戊二烯、硼唑、氮雜硼雜環(huán)戊二烯、酮、氧化膦、芳基硅烷、硅氧烷及其組合。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的用途，其特征在于所述化合物包含空穴傳輸基團(tuán)，其中優(yōu)選r
a
、r
b
、r
c
和/或r基團(tuán)中的一個(gè)包含空穴傳輸基團(tuán)并且優(yōu)選表示空穴傳輸基團(tuán)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用途，其特征在于所述空穴傳輸基團(tuán)包含選自式(h-1)至(h-3)的基團(tuán)并且優(yōu)選為選自式(h-1)至(h-3)的基團(tuán)，其中虛線鍵標(biāo)記連接位置，并且符號(hào)定義如下：ar2、ar3、ar4在每種情況下獨(dú)立地為具有6至40個(gè)碳原子的芳族環(huán)系或具有3至40個(gè)碳原子的雜芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系或雜芳族環(huán)系各自可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代；p為0或1；z為鍵或者c(r1)2、si(r1)2、c＝o、nr1、nar1、br1、pr1、po(r1)、so、so2、se、o或s，優(yōu)選為鍵
或者c(r1)2、nar1、o或s；其中ar1為具有6至40個(gè)碳原子的芳族環(huán)系或具有3至40個(gè)碳原子的雜芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，并且所述r1基團(tuán)具有上文尤其是權(quán)利要求1中詳述的定義。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用途，其特征在于所述空穴傳輸基團(tuán)包含選自式(h-4)至(h-26)的基團(tuán)并且優(yōu)選為選自式(h-4)至(h-26)的基團(tuán)，26)的基團(tuán)，
其中y1表示o、s、c(r1)2或nar1，虛線鍵標(biāo)記連接位置，e為0、1或2，j為0、1、2或3，h為0、1、2、3或4，p為0或1，ar1、ar2和r1具有權(quán)利要求6中給出的定義。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的用途，其特征在于所述化合物包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)，其中優(yōu)選r
a
、r
b
、r
c
和/或r基團(tuán)中的一個(gè)包含含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)并且優(yōu)選表示含電子傳輸基團(tuán)的基團(tuán)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用途，其特征在于所述電子傳輸基團(tuán)選自式(q-11)、(q-12)、(q-13)、(q-14)和/或(q-15)的結(jié)構(gòu)，其中符號(hào)r1具有上文在權(quán)利要求1中給出的定義，x'為n或cr1，并且虛線鍵標(biāo)記連接位置，其中x'優(yōu)選表示氮原子。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用途，其特征在于所述電子傳輸基團(tuán)選自式(q-26)、(q-27)、(q-28)、(q-29)和/或(q-30)的結(jié)構(gòu)，
其中符號(hào)ar1和r1具有上文在權(quán)利要求1或6中給出的定義，x'為n或cr1，并且虛線鍵標(biāo)記連接位置，其中優(yōu)選恰好一個(gè)x'表示氮原子。11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的用途，其特征在于r
a
、r
b
、r
c
和/或r基團(tuán)中的至少一個(gè)包含至少一個(gè)具有兩個(gè)、優(yōu)選具有三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用途，其特征在于具有兩個(gè)、優(yōu)選具有三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)的所述芳族或雜芳族環(huán)系選自式(ar-1)至(ar-17)的基團(tuán)，
其中x'為n或cr1，優(yōu)選為cr1，l1表示鍵或具有5至40個(gè)、優(yōu)選5至30個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，r1具有權(quán)利要求1中詳述的定義，并且虛線鍵標(biāo)記連接位置。13.一種組合物，所述組合物含有包含以下的組合：a)一種或多種包含至少一個(gè)式(i)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選一種或多種式(i)化合物，
其中符號(hào)p、r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
和w具有權(quán)利要求1中給出的定義；b)選自以下的其它化合物：熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、表現(xiàn)出tadf(熱激活延遲熒光)的發(fā)光體、主體材料、激子阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入材料、空穴傳導(dǎo)材料、空穴阻擋材料、量子材料、n型摻雜劑、p型摻雜劑、寬帶隙材料和/或電荷產(chǎn)生材料。14.一種包含至少一個(gè)式(iii)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選式(iii)化合物，其中符號(hào)p、r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
和w具有權(quán)利要求1中給出的定義，并且r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
和w基團(tuán)中的至少一個(gè)包含或表示hetar基團(tuán)，其中hetar為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代的雜芳族環(huán)系，其中所述hetar基團(tuán)可與r基團(tuán)，r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中hetar優(yōu)選為選自權(quán)利要求6和7中定義的式(h-1)至(h-26)或選自權(quán)利要求9和10中定義的式(q-11)至(q-30)的基團(tuán)。15.一種包含至少一個(gè)式(v)結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選式(v)化合物，其中符號(hào)p、r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
和w具有權(quán)利要求1中給出的定義，并且r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
和w基團(tuán)中的至少一個(gè)包含或表示konar基團(tuán)，其中konar表示具有兩個(gè)、優(yōu)選三個(gè)稠合芳族或雜芳族環(huán)并且具有10至60個(gè)芳族環(huán)原子、優(yōu)選12至40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其中所述芳族或雜芳族環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)r1基團(tuán)取代，其中所述konar基團(tuán)可與r基團(tuán)，r
a
、r
b
、r
c
、y
a
、y
b
基團(tuán)或另外的基團(tuán)形成環(huán)系，其中konar優(yōu)選為選自權(quán)利要求12中定義的式(ar-1)至(ar-17)的基團(tuán)，更優(yōu)選為選自權(quán)利要求12中定義的式(ar-3)至(ar-17)的基團(tuán)。16.一種化合物，所述化合物包含恰好兩個(gè)、恰好三個(gè)或恰好四個(gè)權(quán)利要求1中定義的式(i)和/或權(quán)利要求3中定義的式(ii-1)至(ii-11)的結(jié)構(gòu)。17.一種低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子，所述低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子含有至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至13中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所定義的用途中的所述化合物、根據(jù)權(quán)利要求
14或15所述的化合物，其中代替氫原子或取代基，存在一個(gè)或多個(gè)與混合物中的相應(yīng)結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的鍵以形成所述聚合物、低聚物或樹(shù)枝狀大分子。18.一種制劑，所述制劑包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的化合物，根據(jù)權(quán)利要求17所述的低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或根據(jù)權(quán)利要求13所述的組合物以及至少一種溶劑。19.一種電子器件，所述電子器件包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至13中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所定義的用途中的所述化合物，根據(jù)權(quán)利要求14至16中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，根據(jù)權(quán)利要求17所述的低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子或根據(jù)權(quán)利要求13所述的組合物，其中所述電子器件優(yōu)選地選自有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)集成電路、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光晶體管、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場(chǎng)猝熄器件、發(fā)光電化學(xué)電池或有機(jī)激光二極管。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子器件，所述電子器件為電致發(fā)光器件，所述電致發(fā)光器件優(yōu)選地選自有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、聚合物發(fā)光二極管(pled)和有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(olec)。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及雜環(huán)化合物在電子器件中的用途。本發(fā)明還涉及新型雜環(huán)化合物，特別是用于電子器件中的新型雜環(huán)化合物，以及包含這些化合物的電子器件。合物的電子器件。
