錫膏阻流電鍍引線和MEMS-MIC電路板的制作方法
本實(shí)用新型涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地，涉及一種錫膏阻流電鍍引線和mems-mic電路板。
背景技術(shù)：
mems-mic(microelectromechanicalsystems-microphone，微型機(jī)電系統(tǒng)-麥克風(fēng))電路板是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)，其尺寸在幾毫米，可大批量生產(chǎn)，mems-mic電路板在大批量生產(chǎn)制造時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)在電鍍時(shí)每個(gè)電路板單體的電流導(dǎo)通，使鍍層材料在所有電路板單體都能電鍍，在電路板單體之間設(shè)計(jì)有電鍍引線，以便將各電路板單體電連接。
圖1為現(xiàn)有的mems-mic電路板單體之間的電鍍引線示意圖，如圖1所示，在mems-mic電路板單體的外周設(shè)置有環(huán)形焊盤，每個(gè)電路板單體的焊盤之間均連接有十字形電鍍引線，以便將各電路板單體電連接。十字形電鍍引線的四個(gè)直角的頂點(diǎn)均可作為封裝的aoi(automatedopticalinspection，自動(dòng)光學(xué)檢測(cè))工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。aoi是基于光學(xué)原理來(lái)對(duì)焊接生產(chǎn)中遇到的常見缺陷進(jìn)行檢測(cè)的設(shè)備。
mems-mic在麥克風(fēng)單元封裝的時(shí)候，需要在電路板單體外周的焊盤上涂錫膏，將麥克風(fēng)單體的外殼貼裝在電路板單體上，再進(jìn)行回流焊，實(shí)現(xiàn)麥克風(fēng)單體外殼與焊盤的焊接。
但是，錫膏易順著金屬流動(dòng)，在電路板單體外周的焊盤上涂錫膏后，金屬材質(zhì)的電鍍引線會(huì)導(dǎo)致錫膏在不同的電路板單體之間通過電鍍引線流通，導(dǎo)致錫膏量的不均勻問題，及麥克風(fēng)單體外殼內(nèi)外壁爬錫不良、錫膏不均勻。
不僅mems-mic電路板單體在批量生產(chǎn)時(shí)具有電鍍引線，而且其他具有焊盤的pcb(printedcircuitboard，印刷電路板)在批量生產(chǎn)時(shí)也具有電鍍引線，也會(huì)存在pcb焊盤上的錫膏順著電鍍引線流向其他pcb單體的問題。
因此，亟需一種能夠阻斷錫膏在電路板單體之間流動(dòng)的電鍍引線。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種錫膏阻流電鍍引線和mems-mic電路板，以阻止回流焊時(shí)錫膏通過電鍍引線在電路板單體之間流動(dòng)，從而防止mems-mic封裝過程中錫膏量不均勻和爬錫不良問題。
本實(shí)用新型提供的一種錫膏阻流電鍍引線，包括第一連接段、第二連接段和中間連接段，所述中間連接段兩端分別與所述第一連接段、第二連接段以預(yù)定的角度連接，所述第一連接段和所述第二連接段未與所述中間連接段連接的一端分別連接不同的電路板單體；并且，在所述中間連接段上設(shè)置有錫膏阻流部。
優(yōu)選的，所述錫膏阻流部為覆蓋在中間連接段上的阻焊層。
優(yōu)選的，所述錫膏阻流部設(shè)置在中間連接段的中間位置。
優(yōu)選的，所述錫膏阻流部包覆所述中間連接段長(zhǎng)度的1/3～3/4。
優(yōu)選的，所述第一連接段和第二連接段長(zhǎng)度相同。
優(yōu)選的，所述第一連接段和第二連接段平行。
優(yōu)選的，所述第一連接段和第二連接段平行且長(zhǎng)度相等。
優(yōu)選的，所述預(yù)定的角度為直角、鈍角或銳角。
本實(shí)用新型還提供了一種mems-mic電路板，包括電路板本體、設(shè)置在所述電路板本體上的電路板單體以及連接在所述電路板單體之間的電鍍引線，所述電鍍引線為上述的錫膏阻流電鍍引線。
從上面的描述可知，本實(shí)用新型提供的錫膏阻流電鍍引線，具有錫膏阻流部，能夠消除回流焊時(shí)錫膏通過電鍍引線在電路板單體之間流動(dòng)，以至引起的錫膏量不均勻和爬錫不良問題，同時(shí)電鍍引線的中間連接段和第一連接段、第二連接段的連接處角的頂點(diǎn)可以作為aoi工序的定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
附圖說明
通過參考以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對(duì)本實(shí)用新型的更全面理解，本實(shí)用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。
在附圖中：
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中mems-mic電路板單體之間的電鍍引線示意圖；
圖2為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的錫膏阻流電鍍引線的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為實(shí)施例一的錫膏阻流電鍍引線的放大圖；
圖4為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例二的錫膏阻流電鍍引線的放大圖；
圖5為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例三的錫膏阻流電鍍引線的放大圖；
其中：1-電鍍引線、2-錫膏阻流部、3-電路板單體、4-焊盤、11-第一連接段、12-第二連接段、13-中間連接段。
在所有附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施方式
在下面的描述中，出于說明的目的，為了提供對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的全面理解，闡述了許多具體細(xì)節(jié)。然而，很明顯，也可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例。在其它例子中，為了便于描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以方框圖的形式示出。
實(shí)施例一
圖2為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的錫膏阻流電鍍引線的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖2所示，本實(shí)施例提供的錫膏阻流電鍍引線1，包括第一連接段11、第二連接段12和中間連接段13，中間連接段13兩端分別與第一連接段11、第二連接段12以預(yù)定的角度連接，第一連接段11和第二連接段12未與中間連接段13連接的一端分別連接不同的電路板單體3；并且，在中間連接段13上設(shè)置有錫膏阻流部2。
圖3為本實(shí)施例提供的錫膏阻流電鍍引線的放大圖。
如圖3所示，錫膏阻流部2可為覆蓋在中間連接段13上的阻焊層，在中間連接段13上鋪設(shè)或者包覆一層阻焊劑形成阻焊層作為錫膏阻流部2，阻焊層可以設(shè)置在中間連接段13的中間位置，但不限于設(shè)置在中間連接段13的中間位置，可包覆中間連接段13長(zhǎng)度的1/3～3/4，但是不能覆蓋整個(gè)中間連接段13，要留出中間連接段13兩端與第一連接段11、第二連接段13的連接角，作為aoi工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
本實(shí)施例中，第一連接段11和第二連接段12長(zhǎng)度相同而且平行，但不限于第一連接段11和第二連接段12長(zhǎng)度相同也不限于第一連接段11和第二連接段平行12。
第一連接段11、第二連接段12與中間連接段13之間預(yù)定的角度均為直角。
當(dāng)在電路板單體3外周的焊盤4上涂上錫膏后，錫膏順著電鍍引線1流動(dòng)時(shí)，本實(shí)施例中的錫膏阻流部2能夠阻止錫膏在電鍍引線1繼續(xù)流動(dòng)，避免了因電鍍引線1引起的錫膏在電路板單體3之間的流通，導(dǎo)致的錫膏量不均勻和爬錫不良問題。第一連接段11與中間連接段13形成的直角的頂點(diǎn)和第二連接段12與中間連接段13形成的直角的頂點(diǎn)均可作為外殼封裝的aoi工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
實(shí)施例二
圖4為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例二的錫膏阻流電鍍引線的放大圖。
如圖4所示，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，第一連接段11、第二連接段12與中間連接段13之間預(yù)定的角度均為鈍角。
當(dāng)在電路板單體3外周的焊盤4上涂上錫膏后，錫膏順著電鍍引線1流動(dòng)時(shí)，本實(shí)施例中的錫膏阻流部2能夠阻止錫膏在電鍍引線1繼續(xù)流動(dòng)，避免了因電鍍引線1引起的錫膏在電路板單體3之間的流通，導(dǎo)致的錫膏量不均勻和爬錫不良問題。第一連接段11與中間連接段13形成的鈍角的頂點(diǎn)和第二連接段12與中間連接段13形成的鈍角的頂點(diǎn)均可作為外殼封裝的aoi工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
實(shí)施例三
圖5為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例三的錫膏阻流電鍍引線的放大圖。
如圖5所示，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，第一連接段11、第二連接段12與中間連接段13之間預(yù)定的角度均為銳角。
當(dāng)在電路板單體3外周的焊盤4上涂上錫膏后，錫膏順著電鍍引線1流動(dòng)時(shí)，本實(shí)施例中的錫膏阻流部2能夠阻止錫膏在電鍍引線1繼續(xù)流動(dòng)，避免了因電鍍引線1引起的錫膏在電路板單體3之間的流通，導(dǎo)致的錫膏量不均勻和爬錫不良問題。第一連接段11與中間連接段13形成的銳角的頂點(diǎn)和第二連接段12與中間連接段13形成的銳角的頂點(diǎn)均可作為外殼封裝的aoi工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
實(shí)施例四
本實(shí)施例提供一種mems-mic電路板單體之間的電鍍引線，包括實(shí)施例一或?qū)嵤├驅(qū)嵤├娜我庖环N錫膏阻流電鍍引線。
當(dāng)在mems-mic電路板單體3外周的焊盤4上涂上錫膏后，錫膏順著電鍍引線1流動(dòng)時(shí)，本實(shí)施例中的錫膏阻流部2能夠阻止錫膏在電鍍引線1繼續(xù)流動(dòng)，避免了因電鍍引線1引起的錫膏在電路板單體3之間的流通，導(dǎo)致的錫膏量不均勻和封裝外殼爬錫不良問題。第一連接段11與中間連接段13形成的角的頂點(diǎn)和第二連接段12與中間連接段13形成的角的頂點(diǎn)均可作為外殼封裝的aoi工序定位基準(zhǔn)點(diǎn)。
實(shí)施例五
本實(shí)施例提供一種mems-mic電路板，包括電路板本體、設(shè)置在電路板本體上的電路板單體3以及連接在電路板單體3之間的電鍍引線1，其中的電鍍引線1即為上述實(shí)施例中所描述的錫膏阻流電鍍引線。前面已經(jīng)對(duì)錫膏阻流電鍍引線的結(jié)構(gòu)做了詳細(xì)描述，故在此不再一一說明。
通過上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型提供的錫膏阻流電鍍引線，能夠解決長(zhǎng)期以來(lái)電路板焊盤上的錫膏在焊接過程中易順著電鍍引線流向其他電路板焊盤的問題。
如上參照附圖以示例的方式描述根據(jù)本實(shí)用新型的錫膏阻流電鍍引線和mems-mic電路板。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于上述本實(shí)用新型所提出的錫膏阻流電鍍引線和mems-mic電路板，還可以在不脫離本實(shí)用新型內(nèi)容的基礎(chǔ)上做出各種改進(jìn)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書的內(nèi)容確定。
技術(shù)特征：
1.一種錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，包括第一連接段、第二連接段和中間連接段，所述中間連接段兩端分別與所述第一連接段、第二連接段以預(yù)定的角度連接，所述第一連接段和所述第二連接段未與所述中間連接段連接的一端分別連接不同的電路板單體；并且，在所述中間連接段上設(shè)置有錫膏阻流部。
2.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述錫膏阻流部為覆蓋在所述中間連接段上的阻焊層。
3.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述錫膏阻流部設(shè)置在所述中間連接段的中間位置。
4.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述錫膏阻流部包覆所述中間連接段長(zhǎng)度的1/3～3/4。
5.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述第一連接段和第二連接段長(zhǎng)度相同。
6.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述第一連接段和第二連接段平行。
7.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述第一連接段和第二連接段平行且長(zhǎng)度相等。
8.如權(quán)利要求1所述的錫膏阻流電鍍引線，其特征在于，所述預(yù)定的角度為直角、鈍角或銳角。
9.一種mems-mic電路板，包括電路板本體、設(shè)置在所述電路板本體上的電路板單體以及連接在所述電路板單體之間的電鍍引線，其特征在于，所述電鍍引線為如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的錫膏阻流電鍍引線。
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型屬于電路板技術(shù)領(lǐng)域，提供一種錫膏阻流電鍍引線和MEMS?MIC電路板，其中錫膏阻流電鍍引線包括第一連接段、第二連接段和中間連接段，所述中間連接段兩端分別與所述第一連接段、第二連接段以預(yù)定的角度連接，所述第一連接段和所述第二連接段未與所述中間連接段連接的一端分別連接不同的電路板單體；并且，在所述中間連接段上設(shè)置有錫膏阻流部。本實(shí)用新型可阻止回流焊時(shí)錫膏通過電鍍引線在電路板單體之間流動(dòng)，從而防止錫膏量不均勻和爬錫不良問題。
