一種低吸附移液吸頭及其制備方法與流程
1.本發(fā)明屬于表面改性技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種低吸附移液吸頭的制備方法，更具體地說，涉及低吸附移液吸頭的表面處理方法，及通過該表面處理方法制備而得的移液吸頭。
背景技術(shù)：
2.隨著現(xiàn)代檢驗分析的迅猛發(fā)展，化學(xué)及生物學(xué)技術(shù)也要求越來越精確和簡便。現(xiàn)有技術(shù)中，對液體樣品的精確采樣、移液、混勻等操作均是通過移液器進行的，移液吸頭是跟移液器配套使用的耗材，移液器能夠配合移液吸頭且利用移液器內(nèi)活塞的上下移動來實現(xiàn)液體的吸取和放液。現(xiàn)有的移液吸頭包括0.1-10000μl等不同規(guī)格，目前，醫(yī)療用移液吸頭可用于任何分子生物學(xué)和基因?qū)W研究的應(yīng)用，其能夠在移液器和樣品之間有效的形成保護，保證吸樣和分樣的安全性。在移取低表面張力的液體(如含有清潔劑的試劑、甘油等粘性液體)時，移液器吸頭的內(nèi)壁上通常會留下一層肉眼難以察覺的液體薄膜。這種液體殘留的存在會導(dǎo)致移液結(jié)果的不一致和不準(zhǔn)確，并造成珍貴樣品的損失。
3.例如，中國發(fā)明專利，申請?zhí)枺篶n201980014167.4，公開號：cn111741804a，公開了用于移液管吸頭的過濾器的氟化方法、移液管吸頭、相關(guān)的制造方法和移液管，其技術(shù)方案如下：
[0004]“首先，上述目的是通過一種移液管吸頭過濾器的氟化方法來實現(xiàn)的，這種過濾器是由多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)形成的。
[0005]
根據(jù)本發(fā)明，這種氟化方法包括以下步驟：
[0006]
(a)將過濾器放置在外殼中；
[0007]
(b)在外殼內(nèi)產(chǎn)生真空；
[0008]
(c)使過濾器與以氣態(tài)引入外殼的氟化劑接觸；并且，任選地
[0009]
(d)去除步驟(c)期間形成的副產(chǎn)物。
[0010]
該氟化劑由二氟f2組成，二氟f2在100pa至10000pa之間的分壓下引入外殼，步驟(c) 在0℃至100℃之間的溫度下進行。
[0011]
發(fā)明者觀察到，實施步驟(a)至(c)，或(a)至(d)，特別是在100pa至10000pa之間的分壓下，并且在外殼中的溫度在0℃至100℃之間的條件下，將二氟f2作為唯一的氟化劑引入真空下的外殼中，使聚烯烴的c-h鍵斷裂，以利于c-f鍵的形成，并因此用氟原子代替聚烯烴中的位于形成過濾器的多孔固體結(jié)構(gòu)的外表面水平上的至少部分或全部氫原子。
[0012]
這樣，不是像文獻[1]至[3]中的每一個那樣，通過添加材料和/或分子來將疏水性賦予過濾器，而是通過形成連續(xù)梯度的氟原子，這些氟原子代替了聚烯烴的氫原子，這種連續(xù)梯度的氟原子與多孔固體結(jié)構(gòu)的厚度相適應(yīng)，其數(shù)量從多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)的外表面向核心遞減。
[0013]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法在工業(yè)上比較容易實現(xiàn)，而且成本可控，因為只需要少量的氟就可以對大量的聚烯烴過濾器進行氟化。
[0014]
來自氟化劑的氟原子與聚烯烴的碳原子之間形成的鍵是共價鍵。由于c-f共價鍵的特征在于結(jié)合能為490kj.mol-1，大于c-h共價鍵的結(jié)合能，而c-h共價鍵的結(jié)合能是建立在 402kj.mol-1和414kj.mol-1之間，所以這些c-f鍵特別穩(wěn)定。因此，如果用根據(jù)本發(fā)明的氟化方法處理的過濾器與所取的樣品接觸，就不會有因釋放其中的氟原子而分層和/或污染該樣品的風(fēng)險。
[0015]
此外，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的實施使得可以保留多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)所呈現(xiàn)的初始形態(tài)，特別是其初始的多孔性，這是因為一方面氟原子和氫原子的原子半徑(分別為50pm和 25pm)，另一方面c-f和c-h共價鍵的長度(分別為和)具有相同的數(shù)量級。
[0016]
因此，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法，使得可以通過用氟原子代替形成移液管吸頭過濾器的多孔固體結(jié)構(gòu)的聚烯烴的氫原子來進行氟化。
[0017]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法還具有適用于任何類型的聚烯烴過濾器的優(yōu)點，而不管其形式如何。
[0018]
盡管對于形成過濾器的聚烯烴的選擇沒有實際限制，但所述聚烯烴更特別地選自聚乙烯和聚丙烯。
[0019]
有利地，形成過濾器的聚烯烴是聚乙烯。
[0020]
除了容易和快速進行之外，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法只包括幾個步驟，并且進一步具有低能耗的優(yōu)點。
[0021]
根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟(a)，該步驟包括將過濾器放置在外殼中，以便對其進行氟化。這種安裝可以是手動的，也可以是自動的。
[0022]
在關(guān)閉外殼后，進行抽空該外殼的步驟(b)，以便去除存在于外殼的體積中以及存在于形成過濾器的多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)的孔中的氧氣和水(水分)。該步驟(b)使得可以防止聚烯烴的氧氟化，氧氟化將具有與所尋求的疏水作用相反的作用。
[0023]
根據(jù)一個特定的變型，執(zhí)行步驟(b)，以便在外殼中達到小于或等于100pa的壓力，有利地小于或等于50pa，優(yōu)選地小于或等于10pa。
[0024]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的一個有利變型，二氟f2在500pa至8000pa之間的分壓，優(yōu)選在750pa至6000pa之間的分壓下被引入外殼中。
[0025]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的另一個有利變型，使過濾器與二氟接觸的步驟(c)在外殼內(nèi)在10℃和60℃之間的溫度下進行，優(yōu)選在15℃和25℃之間。
[0026]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的一個變型，將過濾器與二氟接觸的步驟(c)進行的持續(xù)時間在1 分鐘至60分鐘之間。
[0027]
在一個有利的變型中，該接觸的持續(xù)時間可以在2分鐘至45分鐘之間，優(yōu)選在5分鐘至 45分鐘之間，更優(yōu)選在10分鐘至30分鐘之間。
[0028]
步驟(c)的持續(xù)時間可能實際上是受限制的，因為一旦氟原子至少部分地代替聚烯烴中的位于多孔固體結(jié)構(gòu)的外表面水平上的氫原子，就會給聚烯烴過濾器賦予顯著的疏水特性。顯然可以設(shè)想用氟原子替代將傳導(dǎo)到核心的氫原子，但并非必要：實際上，用氟原子替代最初存在于多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)的外表面水平的氫原子本身就足夠了，氟原子的接枝為通過本發(fā)明的氟化方法改性的多孔固體結(jié)構(gòu)賦予了疏水性。
[0029]
發(fā)明者能夠證明，在小于2μm的深度上進行氟原子對聚烯烴的氫原子的部分代替，使得可以獲得這種疏水特性。
[0030]
根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的變型，在使過濾器與二氟接觸的步驟(c)期間，引入的二氟的摩爾數(shù)大于或等于聚烯烴的氫原子的當(dāng)量摩爾數(shù)。
[0031]
聚烯烴的氫原子的當(dāng)量摩爾數(shù)是通過考慮氣體可進入的、通過其密度調(diào)節(jié)的多孔聚烯烴的表面積，以及給定的二氟擴散深度來計算的。
[0032]
由于聚烯烴的多孔性可以根據(jù)其制備方法而變化，因此需要確定氣體可進入的表面積：它可以基于顯微鏡的數(shù)據(jù)或通過體積技術(shù)(如氣體吸附或氦比重瓶法)。然后通過二氟的擴散深度來調(diào)節(jié)該氣體可進入的表面積值，該擴散深度可以根據(jù)聚烯烴的多孔結(jié)構(gòu)使用顯微鏡或光譜技術(shù)來估計；從而獲得適合于暴露于該處理的聚烯烴體積。然后，通過與針對相同但不具有多孔結(jié)構(gòu)且其每個式單元的氫原子數(shù)已知的聚烯烴測定的密度進行比較來推導(dǎo)氫原子的摩爾數(shù)。
[0033]
根據(jù)一個有利的變型，該二氟的摩爾數(shù)大于或等于聚烯烴的氫原子的當(dāng)量摩爾數(shù)的5倍，優(yōu)選為10倍。
[0034]
考慮到氟化劑的分壓和實施的溫度的特定條件以及氟化劑的選擇，在使過濾器與氣態(tài)的二氟接觸的步驟(c)期間，形成的反應(yīng)副產(chǎn)物基本上是氟化氫hf。特別要注意的是，很少形成揮發(fā)性的全氟化碳化合物，如四氟甲烷cf4或?qū)嶋H上是六氟乙烷c2f6，這些化合物是已知的實質(zhì)上改變多孔固體結(jié)構(gòu)的孔隙度的化合物。換句話說，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法不會使過濾器失去其初始形態(tài)。
[0035]
根據(jù)第一實施例，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法可以只包括步驟(a)至(c)。
[0036]
根據(jù)第二實施例，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法還可以包括一個或多個附加步驟。
[0037]
根據(jù)該第二實施例的第一變型，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法可有利地包括去除反應(yīng)副產(chǎn)物的步驟(d)，該反應(yīng)副產(chǎn)物是在步驟(c)期間形成的且處于氣態(tài)。
[0038]
該去除步驟(d)可以通過化學(xué)過程進行，特別是通過設(shè)置于外殼內(nèi)或外殼外并與之相連的捕集器對反應(yīng)副產(chǎn)物進行化學(xué)捕集。這樣的捕集器通常是由一種化合物(例如氟鹽)或吸濕性化學(xué)成分形成的，該化合物被選擇為只與副產(chǎn)物(特別是hf)反應(yīng)而不被二氟降解。
[0039]
該去除步驟(d)也可以通過物理過程進行，即通過直接去除氣態(tài)副產(chǎn)物，特別是通過抽吸或通過脫氣(有利地通過真空脫氣)這些副產(chǎn)物。
[0040]
步驟(c)和(d)可以同時進行，以去除在形成時形成的副產(chǎn)物，其中包括氟化氫hf。當(dāng)通過化學(xué)捕集法進行去除所形成的副產(chǎn)物的步驟(d)時，尤其如此。
[0041]
更特別有利地，步驟(c)和(d)相繼進行，在接觸步驟(c)結(jié)束時進行去除所形成的副產(chǎn)物的步驟(d)。
[0042]
根據(jù)該第二實施例的第二變型，根據(jù)本發(fā)明的氟化方法可有利地包括在外殼中產(chǎn)生真空的步驟(e1)，然后是使過濾器與二氫或與包含氫的混合物接觸的步驟(e2)，該二氫或包括二氫的混合物以氣態(tài)引入外殼中。
[0043]
實施這樣的步驟(e2)，可以使根據(jù)本發(fā)明的氟化方法得到的過濾器的多孔固體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化。事實上，將過濾器與二氫接觸，使得可以穩(wěn)定任何所謂的待定鍵或自由鍵，這些鍵可能在步驟(c)期間形成，在c-h鍵斷裂之后，在這些斷裂的鍵上，氫原子沒有被氟原子代替，特別是出于位阻的原因。因此，步驟(e2)的實施使得可以在這些待定鍵或自由鍵的水平上重新形成 c-h鍵，以防止后者例如在打開外殼時與來自空氣的氧氣反應(yīng)形成羥基和/或
羧基鍵，羥基和 /或羧基鍵會降低過濾器的疏水性。
[0044]
無論根據(jù)本發(fā)明的氟化方法是包括還是相反不包括去除在步驟(c)期間形成的副產(chǎn)物的步驟(d)，都可以實施抽真空的步驟(e1)和將過濾器與二氫或包括二氫的混合物接觸的步驟(e2)。
[0045]
在根據(jù)本發(fā)明的方法不包括步驟(d)的情況下，或者實際上在該方法包括步驟(d)并且這些步驟(c)和(d)是同時進行的情況下，直接在步驟(c)之后進行這些步驟(e1)然后(e2)。在根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟(d)并且步驟(c)和(d)不是同時進行而是相繼進行的情況下，在步驟(d)之后進行步驟(e1)然后(e2)。
[0046]
根據(jù)一個特定的變型，步驟(e1)在與上述步驟(b)相同的條件下進行，以便在外殼中達到小于或等于100pa的壓力，有利地小于或等于50pa，優(yōu)選小于或等于10pa。
[0047]
在步驟(e2)中，將二氫或包括二氫的混合物以氣態(tài)引入到外殼中。
[0048]
根據(jù)一個特定的實施例，包括二氫的混合物是二氫和氮的混合物。在一個有利的變型中，在由二氫和氮形成的混合物中，二氫的體積百分比大于或等于2％體積，優(yōu)選地在5％體積和 20％體積之間。
[0049]
根據(jù)另一個實施例，在步驟(e2)期間，引入的二氫的摩爾數(shù)小于或等于步驟(c)期間引入到外殼中的二氟的摩爾數(shù)。
[0050]
根據(jù)另一個實施例，將過濾器與二氫或與包括二氫的混合物接觸的步驟(e2)進行的持續(xù)時間在10分鐘至2小時之間。
[0051]
在一個有利的變型中，步驟(e2)的接觸持續(xù)時間可以在30分鐘和60分鐘之間。
[0052]
根據(jù)另一個實施例，步驟(e2)是在0℃和200℃之間，優(yōu)選在20℃和80℃之間的溫度下進行。
[0053]
根據(jù)本發(fā)明的方法的一個有利的變型，步驟(c)，在該步驟期間，氫原子被氟原子置換的過程是通過紅外光譜監(jiān)測的。
[0054]
實際上，通過紅外光譜法，可以獲得在將聚烯烴過濾器與二氟接觸的步驟(c)期間存在的不同基團的吸收光譜，特別是-ch2-、-chf和-cf2-基團。因此，跟蹤對應(yīng)于-ch2-基團的紅外振動帶的面積(表示為ach2)相對于對應(yīng)于-chf-基團的紅外振動帶的面積(表示為achf) 和另一方面對應(yīng)于-cf2-基團的紅外振動帶的面積(表示為acf2)之和的比率(表示為 ach2/acfx)的變化，這些面積的總和表示為acfx，其中acfx＝achf+acf2，這樣就可以跟蹤形成過濾器的多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)的氟化演變。
[0055]
在根據(jù)本發(fā)明的氟化方法的一個有利地變型中，一旦該面積比ach2/acfx達到小于或等于15，有利地小于或等于6，優(yōu)選地小于或等于3的值，使過濾器與二氟接觸的步驟(c)就可以停止。
[0056]
本發(fā)明其次涉及一種包括氟化過濾器的移液管吸頭的制造方法。
[0057]
根據(jù)本發(fā)明，該方法包括以下步驟：
[0058]
(i)提供由多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)形成的過濾器；
[0059]
(ii)將過濾器安裝在移液管吸頭中；以及
[0060]
(iii)通過實施如上定義的氟化方法對過濾器進行氟化。
[0061]
然而，明顯地，提供過濾器的步驟(i)是首先進行的，但制造方法的步驟(ii)和(iii)可以隨后以任何順序進行。
[0062]
換句話說，根據(jù)本發(fā)明的這種吸頭的制造方法可以根據(jù)下文所述的步驟順序進行。
[0063]
根據(jù)第一順序，在步驟(i)之后，進行在吸頭中安裝由多孔固體聚乙烯結(jié)構(gòu)形成的過濾器的步驟(ii)，隨后進行使放置在吸頭中的該過濾器氟化的步驟(iii)。
[0064]
根據(jù)第二順序，在步驟(i)之后，執(zhí)行對由多孔固體聚乙烯結(jié)構(gòu)形成的過濾器進行氟化的步驟(iii)，隨后執(zhí)行將氟化過濾器安裝在吸頭中的步驟(ii)。
[0065]
無論選擇何種順序，通過實施上述的氟化方法來進行使過濾器氟化的步驟(iii)，與本方法的步驟(a)至(c)以及任選步驟(d)、(e1)和(e2)有關(guān)的特征可單獨或組合采用。
[0066]
因此，不管選擇的順序如何，根據(jù)本發(fā)明的制造方法都可以得到一種裝備有過濾器的移液管吸頭，其中最初由聚烯烴制成的多孔固體結(jié)構(gòu)已經(jīng)通過用氟原子代替聚烯烴的至少部分氫原子而被改性。
[0067]
如上所述，對于形成過濾器的聚烯烴的選擇沒有實際限制。然而，聚烯烴更特別地選自聚乙烯和聚丙烯。有利地，形成過濾器的多孔固體結(jié)構(gòu)的聚烯烴是聚乙烯。
[0068]
移液管吸頭也可以由聚烯烴制成，例如由聚丙烯制成。
[0069]
本發(fā)明再次涉及一種包括過濾器的移液管吸頭。
[0070]
根據(jù)本發(fā)明，該移液管吸頭的過濾器是由多孔固體聚烯烴結(jié)構(gòu)形成的，特別是由聚乙烯制成，其中通過實施上述定義的氟化方法使氟原子代替聚烯烴的氫原子。
[0071]
根據(jù)本發(fā)明的移液管吸頭過濾器具有顯著的疏水性。考慮到所有的情況，即使這種過濾器應(yīng)與樣品接觸，樣品中的可能已經(jīng)充滿形成過濾器的多孔固體結(jié)構(gòu)的孔隙的部分，也可以被再次收集，而沒有任何因從過濾器中釋放分子導(dǎo)致弄臟或污染的風(fēng)險”。
[0072]
又如，中國發(fā)明專利，申請?zhí)枺篶n202111368792.4，公開號：cn113801360b，公開了一種用于實現(xiàn)低吸附塑料移液吸頭的表面處理方法，其技術(shù)方案如下：
[0073]“本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：
[0074]
第一方面，本發(fā)明提供一種用于實現(xiàn)低吸附塑料移液吸頭的表面處理方法，包括：
[0075]
提供疏水改性材料和聚丙烯基材，所述疏水改性材料包括疏水組分，所述疏水組分包括聚烷基硅氧烷、聚四氟乙烯以及納米二氧化硅顆粒中的一種或多種組合；將所述疏水改性材料和聚丙烯基材在熔融狀態(tài)下均勻混合并注塑成型制得塑料移液吸頭，所述塑料移液吸頭的最大直徑小于7mm，且所述塑料移液吸頭的長度與最大直徑之比大于10；
[0076]
利用氣壓緩沖控制裝置將第一氣體輸送至等離子體處理設(shè)備的反應(yīng)腔室，在由第一氣體形成的第一氣氛中對所述塑料移液吸頭進行等離子體表面刻蝕處理，所述第一氣體包括惰性氣體；
[0077]
利用所述氣壓緩沖控制裝置向所述第一氣氛中輸入第二氣體，形成包含所述第一氣體和第二氣體的第二氣氛，并在所述第二氣氛中對經(jīng)等離子體表面刻蝕處理后的塑料移液吸頭進行等離子體表面改性處理，至少用以提高所述塑料移液吸頭的疏水能力；所述第二氣氛包括體積比為1.5:4的氮氣與二氧化碳的混合氣體；
[0078]
以及，對經(jīng)等離子體表面改性處理后的塑料移液吸頭進行干燥處理，得到具有超疏水性的低吸附塑料移液吸頭，所述干燥處理的溫度為50-70℃，時間為20-40min。
[0079]
第二方面，本發(fā)明還提供利用上述表面處理方法處理得到的一種低吸附塑料移液吸頭，所述低吸附塑料移液吸頭表面構(gòu)建有低吸附層。
[0080]
在一些優(yōu)選實施方案中，所述低吸附層的厚度為2-3μm”。
[0081]
但上述專利均存在以下問題：
[0082]
吸附性較高，疏水性不夠，操作過程中存在樣品殘留浪費，移液不精確的情況。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
[0083]
1、要解決的問題
[0084]
針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種性能優(yōu)良、功能多的低吸附移液吸頭的制備方法，及使用該制備方法制備的移液吸頭，經(jīng)本發(fā)明所公開制備方法制備的移液吸頭具有較低的低表面能、不易吸附殘留液體。
[0085]
2、技術(shù)方案
[0086]
為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：
[0087]
一種低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0088]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0089]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0090]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0091]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0092][0093]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0094][0095]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0096][0097]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0098]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0099]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0100]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0101]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0102]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為20-30℃，其相對空氣濕度為40％-60％。
[0103]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0104]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0105]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3) 中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0106]
移液吸頭，由上述低吸附移液吸頭的制備方法制備而得。
[0107]
3、有益效果
[0108]
相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果為：
[0109]
本技術(shù)對常規(guī)的移液吸頭處理后，二甲基甲酰胺、鈦酸四丁酯、改性接枝淀粉等多種物質(zhì)之間協(xié)同增效，降低移液吸頭的表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。同時，結(jié)合等離子體表面處理設(shè)備，其中等離子體中的大量離子、激發(fā)態(tài)分子、自由基等多種活性粒子，作用到移液吸頭的表面，清除了移液吸頭表面原有的污染物和雜質(zhì)，等離子體作用到移液吸頭表面后，可以使得移液吸頭表面的原有的化學(xué)鍵產(chǎn)生斷裂，等離子體中的自由基與這些斷裂的化學(xué)鍵形成網(wǎng)狀的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，大大地激活了其表面活性。
具體實施方式
[0110]
下面結(jié)合具體實施例和對比例對本發(fā)明進一步進行描述。
[0111]
實施例1
[0112]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0113]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0114]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0115]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0116]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0117][0118][0119]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0120]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0121]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0122]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)
速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0123]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0124]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為20℃，其相對空氣濕度為40％。
[0125]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0126]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0127]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0128]
本實施例還包括由上述低吸附移液吸頭制備方法制備而得的移液吸頭，具有較低表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。
[0129]
實施例2
[0130]
低吸附移液吸頭的制備法，包括以下步驟：
[0131]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0132]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0133]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0134]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0135][0136][0137]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0138]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0139]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0140]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0141]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0142]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為 30℃，其相對空氣濕度為60％。
[0143]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0144]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0145]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0146]
本實施例還包括由上述低吸附移液吸頭制備方法制備而得的移液吸頭，具有較低表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。
[0147]
實施例3
[0148]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0149]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0150]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0151]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0152]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0153][0154]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0155]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0156]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0157]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0158]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0159]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為20℃，其相對空氣濕度為40％。
[0160]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0161]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0162]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0163]
本實施例還包括由上述低吸附移液吸頭制備方法制備而得的移液吸頭，具有較低表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。
[0164]
實施例4
[0165]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0166]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0167]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0168]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0169]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0170][0171]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0172]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0173]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0174]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0175]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0176]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為30℃，其相對空氣濕度為60％。
[0177]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0178]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0179]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0180]
本實施例還包括由上述低吸附移液吸頭制備方法制備而得的移液吸頭，具有較低表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。
[0181]
實施例5
[0182]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0183]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0184]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0185]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0186]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0187][0188]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0189]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0190]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0191]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0192]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0193]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0194]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0195]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0196]
進一步地，上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0197]
本實施例還包括由上述低吸附移液吸頭制備方法制備而得的移液吸頭，具有較低表面能，進而降低移液吸頭的殘留量，達到低吸附的效果。
[0198]
對比例1
[0199]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0200]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0201]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0202]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0203]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0204][0205]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0206]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0207]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0208]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0209]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0210]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0211]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0212]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0213]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0214]
對比例2
[0215]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0216]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0217]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0218]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0219]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0220][0221]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：
[0222]
準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；
[0223]
在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；
[0224]
最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為 10000rpm，離心處理后，取上清液待用。
[0225]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0226]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0227]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0228]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0229]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0230]
對比例3
[0231]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0232]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0233]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0234]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0235]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0236][0237]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0238]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0239]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0240]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0241]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0242]
對比例4
[0243]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0244]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0245]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移
液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0246]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0247]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0248][0249]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0250]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0251]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0252]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0253]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0254]
對比例5
[0255]
低吸附移液吸頭的制備方法，包括以下步驟：
[0256]
(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；
[0257]
(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；
[0258]
(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。
[0259]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
[0260][0261]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。
[0262]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為25℃，其相對空氣濕度為50％。
[0263]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：
[0264]
先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。
[0265]
上述低吸附移液吸頭的制備方法，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。
[0266]
測試方案：
[0267]
具體操作如下：
[0268]
準(zhǔn)備10個1000μl的普通低吸附移液吸頭，在使用前，分別稱一下各個吸頭的重量，進行記錄。每個吸頭分別吸液打液30次，最后稱取吸液打液30次后吸頭的重量，計算出吸液打液后每只移液吸頭中的液體殘留量，進而計算出殘留率。
[0269]
表1吸頭移液前后質(zhì)量變化情況
[0270]
[0271][0272]
結(jié)合上述表1可以看出，本技術(shù)對常規(guī)的移液吸頭處理后，二甲基甲酰胺、鈦酸四丁酯、改性接枝淀粉等多種物質(zhì)之間協(xié)同增效，降低移液吸頭的表面能，進而降低移液吸頭的殘留量。
[0273]
以上示意性的對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以，如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實施例，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
技術(shù)特征：
1.一種低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：3.根據(jù)權(quán)利要求2所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：4.根據(jù)權(quán)利要求3所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的表面處理劑，以重量份計，包括以下組分：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，所述的改性接枝淀粉的制備方法如下：準(zhǔn)備木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑；在高溫高壓反應(yīng)釜中將木薯淀粉、增韌劑、熱穩(wěn)定劑及潤滑劑進行混合，其中高溫高壓的溫度為85℃，其中高溫高壓的壓強為5mpa，混合反應(yīng)2h后，取出溶液；最后將混合反應(yīng)后的溶液冷卻至室溫，采用高速離心機進行處理，其中離心的轉(zhuǎn)速為10000rpm，離心處理后，取上清液待用。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備通入的氣體為超純氮氣。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的溫度為20-30℃，其相對空氣濕度為40％-60％。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(3)中等離子體表面處理設(shè)備的處理方式如下：先利用真空泵將等離子體表面設(shè)備抽真空，達到0.03mbar的真空度；在該真空度條件下，在高頻發(fā)生器作用下，吸入200sccm氣體進行電離形成等離子體，排氣量設(shè)為350000mt，處理功率設(shè)為1000w，對移液吸頭進行表面處理。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述低吸附移液吸頭的制備方法，其特征在于，步驟(3)中烘干的方式為紅外線輻射或熱風(fēng)循環(huán)。10.一種移液吸頭，其特征在于，該移液吸頭由權(quán)利要求1-9任意一項所述低吸附移液吸頭制備方法制備而得。
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低吸附移液吸頭及其制備方法，屬于表面改性技術(shù)領(lǐng)域。其中所述的移液吸頭制備方法方法，包括以下步驟：(1)預(yù)處理：準(zhǔn)備移液吸頭與表面處理劑，低溫儲藏；(2)浸泡處理：將步驟(1)中表面處理劑倒入到料液槽內(nèi)，然后將升溫至50℃的移液吸頭轉(zhuǎn)移至料液槽中，接著料液槽內(nèi)的溫度升溫到75℃，靜置處理2h；(3)孵育處理：將料液槽內(nèi)的移液吸頭取出，利用等離子體表面處理設(shè)備進行處理，低溫8℃烘干，即可。由此制備的移液吸頭具有較低的表面能、不易吸附殘留液體。不易吸附殘留液體。
